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公开(公告)号：CN115948798A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211424792.6
申请日：2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法，属于二维材料异质结制备技术领域。本发明解决了现有晶圆级单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜制备困难的问题。本发明采用化学气相沉积法，在单晶金属催化剂表面，先生长六方氮化硼，然后在其上表面和下表面分别生长石墨烯，形成单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜，且生长的六方氮化硼和石墨烯均为单晶结构，且层数从单层到多层均可以控制，石墨烯异质结尺寸由金属催化剂的尺寸决定，可达晶圆级。
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公开(公告)号：CN104045979B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410304515.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于氧化石墨烯改进背衬材料吸声性能的方法，属于材料技术领域。为了解决W粉和Epoxy之间高的界面能问题，使得W粉和Epoxy得到很好的兼容效果，所述方法一为：一、制备W/Epoxy的复合物粉体；二、制备W/Epoxy/GO复合物粉体；三、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物粉体；四、制备W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜。所述方法二为：一、制备W/GO复合物粉体；二、制备W/GO/Epoxy复合物粉体；三、制备W/GO/Epoxy复合物薄膜。本发明通过W、Epoxy和GO的层层组装，形成W/Epoxy/GO/Epoxy复合物薄膜或W/GO/Epoxy复合物薄膜，并改进传统背衬材料基体W和Epoxy的制备工艺，制备出中阻抗、高衰减的复合物薄膜背衬材料。
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公开(公告)号：CN104194275B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410464380.4
申请日：2014-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高阻抗高衰减背衬材料的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用CVD法，以乙醇作为碳源，通过探究生长温度、生长时间、载气的流量及退火速度等因素，以泡沫镍为催化剂及模板载体，生长出大尺寸、具有孔状多级结构的三维石墨烯。在石墨烯骨架中填充钨粉和环氧树脂复合物，利用三维石墨烯的多级孔状结构和良好的电学传质性能，改善传统背衬材料钨粉和环氧树脂复合物的吸声性能，制备出符合换能器实际应用的高阻抗高衰减的背衬材料。由于石墨烯三维连续骨架的引入，该材料具有较好的电导率和较大的共轭体系，电子可以在期间自由运动，可将声能转化为电能最终转化为热量散发掉，从而该材料具有很好的吸声效果。
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公开(公告)号：CN104900867A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510271300.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/52 , H01M4/58 , H01M4/583 , B01J27/051
CPC classification number: H01M4/362 , H01M4/139 , H01M4/5815 , H01M4/583
Abstract: 一种CNT/Co/MoS2复合材料的制备方法，它涉及一种硫化钼的改性方法。本发明的目的是要解决现有硫化钼的表面改性处理方法存在改性后的硫化钼仍然存在疏水性的问题，或者表面改性处理方法因涉及大量有机溶剂，引起严重的环境污染问题。制备方法：一、酸处理，得到酸化后碳纳米管；二、制备CNT/Co；三、负载MoS2，得到CNT/Co/MoS2复合材料。优点：硫化钼在碳纳米管表面的包覆比较均匀。本发明主要用于制备CNT/Co/MoS2复合材料。
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公开(公告)号：CN104194275A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410464380.4
申请日：2014-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高阻抗高衰减背衬材料的制备方法，属于材料技术领域。本发明利用CVD法，以乙醇作为碳源，通过探究生长温度、生长时间、载气的流量及退火速度等因素，以泡沫镍为催化剂及模板载体，生长出大尺寸、具有孔状多级结构的三维石墨烯。在石墨烯骨架中填充钨粉和环氧树脂复合物，利用三维石墨烯的多级孔状结构和良好的电学传质性能，改善传统背衬材料钨粉和环氧树脂复合物的吸声性能，制备出符合换能器实际应用的高阻抗高衰减的背衬材料。由于石墨烯三维连续骨架的引入，该材料具有较好的电导率和较大的共轭体系，电子可以在期间自由运动，可将声能转化为电能最终转化为热量散发掉，从而该材料具有很好的吸声效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103236469A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310139850.5
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法，它涉及一种材料的制备方法及采用此材料制备光探测器的制备方法。本发明为了解决现有硅基底无法满足便携、耐磨损、可伸缩以及较高的透明度的技术问题。材料的制备：将镓与碲混合、保温，却至室温，即得。光探测器的制备：制备二维结构的碲化镓半导体，以铜制掩膜为模板利用真空镀膜机在二维结构的碲化镓半导体的表面沉积电极，得到器件，将器件退火处理即得光探测器。本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸乙二酯为基底，所以制备的可以任意的弯曲、且透光性好，单个器件大小在几百个微米左右。本发明属于光探测器材料及制备领域。
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公开(公告)号：CN103091318A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310049642.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/78
Abstract: 石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法及应用复合薄膜定量检测气体有机物的方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法及检测气体有机物的方法。石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法：一、制备石墨烯薄膜；二、10，12-二十五二炔酸的氯仿溶液；三、将石墨烯薄膜浸泡在10，12-二十五二炔酸的氯仿溶液中，然后在避光的条件下反应，再用紫外灯照射，即得。本发明制备的石墨烯层数为2～5层，且透过率在蓝光区达到82％，在红光区达到76.9％。如此高的透过率，使传感器与有毒挥发性气体反应后，有利于传感器呈现颜色信号，且通过这种方法制备的石墨烯分散性很好，并且灵敏度高，为制备石墨烯/PDA薄膜传感器提供高质量的基底材料。
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公开(公告)号：CN114657542B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210348132.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 航空发动机在运行状态下，航空燃油流经热部件，温度升高，容易在发动机喷嘴表面金属催化下氧化结焦形成积碳，影响航空发动机使用寿命，严重时甚至会造成航空事故，此外，结焦产生后的除焦过程也面临时间人力成本高昂的问题，本发明为一种应用于航空发动机喷嘴领域金属材料结焦防护涂层技术，具体为一种氮化硼抗结焦涂层及其化学气相沉积制备方法，通过氮化硼涂层可以降低合金材料中金属元素起到的催化结焦作用，实现结焦抑制的目的，同时本工艺具有工艺简单、结焦抑制明显、易于结焦物理清除等优点。
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公开(公告)号：CN117855027A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410009219.1
申请日：2024-01-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明一种低成本制备大尺寸氧化镓薄膜的方法，属于氧化镓薄膜制备领域。本发明要解决现有技术制备成本高，生长尺寸小，薄膜生长的参数难以调控的技术问题。本发明方法：用前驱体镓源、溶剂和稳定剂制备溶胶溶液；清洗衬底；旋涂法覆膜；每次旋涂覆膜后，进行薄膜表面热处理；旋涂四层后，进行氧化镓过渡层退火，薄膜旋涂至一定的厚度后进行氧化镓外延层结晶退火。本发明制备的氧化镓薄膜平整度高，尺寸大、均匀性高，尺寸可达四英寸，可根据实际应用环境恶劣程度制备出不同厚度的氧化镓薄膜材料，在日盲紫外光电探测领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN112159970B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011087287.8
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
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