公开(公告)号：CN102222701A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110170815.0

申请日：2011-06-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  徐立坤 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619

Abstract: 本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。

公开(公告)号：CN102064199A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010556115.0

申请日：2010-11-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  焦文利 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/812

Abstract: 本发明提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本发明与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN202167495U

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201120167436.1

申请日：2011-05-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李婷 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本实用新型提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分(102)。本实用新型将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域(102)都在区域(103)中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本实用新型与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN201877432U

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201020619724.1

申请日：2010-11-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  焦文利 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/812

Abstract: 本实用新型提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本实用新型与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN203038923U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201220514766.8

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  杨晓亮 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（601）。在多晶硅衬底和该结构最上方的多晶硅层之间有通孔（501）。本实用新型提出了特别设计在双层SiO2层中加入具有平衡电荷作用的半绝缘性多晶硅膜（SIPOS）而形成的结构作为SOI结构的隐埋绝缘层，并在该隐埋绝缘层上设计出通孔结构，将其作为利用选择外延生长形成顶层SOI层的窗口，并兼有导热和传导电荷作用，改善了SOI器件导热、散热能力和抗总剂量辐射性能，达到了提高SOI器件的热稳定性和抗辐射加固目的。