永磁饱和型故障限流器磁流热耦合建模方法

    公开(公告)号:CN104679936B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201410737684.3

    申请日:2014-12-05

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开了一种永磁饱和型故障限流器磁流热耦合建模方法,包括:建立永磁饱和型故障限流器的半波限流拓扑结构2D模型;利用有限元软件Ansoft对所述模型进行仿真;利用Ansoft建立永磁饱和型故障限流器的半波限流拓扑结构3D模型;在ANSYS中建立瞬态热学分析模型,对所述瞬态热学分析模型进行有限单元网格剖分;将温度场图映射到永磁饱和型故障限流器的半波限流拓扑结构3D模型中,得到任意时刻的整个永磁饱和型故障限流器设备的温度场计算结果。本发明对直线型永磁饱和型故障限流器绕组和部件中的电磁场和电流矢量进行分析计算,并加入热场进行磁‑流‑热耦合分析,其结果对PMFCL的材料选型和参数设计具有重要参考价值。

    基于红外精确测温的复合绝缘子绝缘缺陷检测方法

    公开(公告)号:CN104713901B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510035993.0

    申请日:2015-01-23

    IPC分类号: G01N25/20

    摘要: 本发明公开了一种基于红外精确测温的复合绝缘子绝缘缺陷检测方法,根据热像图中不同颜色代表的不同温度,判断该复合绝缘子上是否存在发热异常部位,如果不存在,则认为设备正常,如果存在发热异常部位,则比较发热异常部位最高温度与环境温度的温差,如大于设定的温度阈值C,C>1,则复合绝缘子存在绝缘缺陷,如小于设定的温度阈值C,C>1,再进行同类比较,根据同塔三相或同相双串复合绝缘子对应部位的温差进行比较分析,此时的温差是指三相或双串复合绝缘子热像图中对应部位最高温度点的差值,温差小于1K,则认为设备正常,温差大于1K时,登塔复测。本方法提高了复合绝缘子的检测效率,提升了复合绝缘子绝缘缺陷判断的准确率。