公开(公告)号：CN115244599B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202080098282.7

申请日：2020-03-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦

IPC: G09F9/30

Abstract: 显示装置(1)在俯视时在显示区域(DA)的栅极绝缘膜(42)中的相邻的控制线(143)之间具备与控制线分离地设置的多个第一槽部(71)和多个第二槽部(72)。第一槽部在俯视时沿着连结半导体层(141)设置。第二槽部以与第一槽部的至少一端部相邻的方式分别沿与第一槽部交叉的方向延伸而设置。

公开(公告)号：CN116210038A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202080105367.3

申请日：2020-09-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  三轮昌彦

IPC: G09F9/00

Abstract: 在显示区域的内部，非显示区域(N)设置为岛状，在非显示区域(N)形成有在基底基板(10)的厚度方向上贯通的贯通孔(H)，在非显示区域(N)以包围贯通孔(H)的方式设置有分离壁(Ea)，分离壁(Ea)由与布线层相同的材料设置于同一层，发光元件层侧的上侧部分(8a)中贯通孔(H)侧的端部设置为比基底基板(10)侧的下侧部分(7a)中贯通孔(H)侧的端部更向贯通孔(H)侧突出。

公开(公告)号：CN110383434B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201780087915.2

申请日：2017-03-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  金子诚二

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 在栅电极形成工序中，在第一金属膜(18a)上，对惰性气体的大气添加氧气或者氮气而使第二金属膜(18b)成膜，在使第一金属膜(18a)以及第二金属膜(18b)图案化后，使用氧气或者氮气进行等离子体处理而形成第三金属膜(18c)，由此形成栅电极(18)。由此，抑制生产效率的降低并且防止形成针状结晶或者粒状结晶。

公开(公告)号：CN116018895A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202080104940.9

申请日：2020-09-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  山中雅贵 ,  三轮昌彦 ,  孙屹

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/80 ,  H10K71/60 ,  H10K59/131

Abstract: 电容器(9ha)包括：栅极电极(14a)、第一层间绝缘膜(15)、电容电极(16c)和电容布线(18ha)，电容布线(18ha)与电容电极(16c)电连接，在隔着第一层间绝缘膜(15)对置配置的电容电极(16c)以及电容布线(18ha)与栅极电极(14a)之间形成电容器(9ha)的电容，电容布线(18ha)的线宽(W18h)为电容电极(16c)的线宽(W16c)以上且栅极电极(14a)的线宽(W14a)以下。

公开(公告)号：CN112997236B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201880099376.9

申请日：2018-11-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  神崎庸辅 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H05B33/12

Abstract: 由于设置于边框区域的外缘附近的TEG设置于显示区域，且实际上配置于远离用于显示画面的TFT的位置，从而存在与显示区域内的TFT的特性的变化的方式不同的风险。因此，提供一种显示装置，所述显示装置的特征在于：TEG图案设置于显示区域与沟槽之间，虚设像素电路设置于显示区域与堰堤壁之间，TEG图案设置于显示区域的外侧，并且至少虚设电路相邻地设置。

公开(公告)号：CN112449711B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201880095755.0

申请日：2018-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  神崎庸辅 ,  孙屹 ,  山中雅贵 ,  金子诚二

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 在显示区域以及弯折部(B)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸设置的多个第一上层布线(14d),经由形成在第二树脂层(8)以及无机绝缘膜(11、13)上的多个第一接触孔(Ha),分别与在树脂基板(10a)的第一树脂层(6)以及第二树脂层(8)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸且以横穿狭缝(S)的方式设置的多个下层布线(7b)电连接。

公开(公告)号：CN112740309B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN201880097809.7

申请日：2018-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  金子诚二 ,  孙屹

IPC: G09F9/30

Abstract: 显示装置包括：基底基板；TFT层，设置在所述基底基板上，由第一无机绝缘膜、第一金属膜、第二无机绝缘膜、第二金属膜、第三无机绝缘膜和第三金属膜依次层叠而成；发光元件，设置在所述TFT层上并构成显示区域；多条第一配线；多条第二配线；以及多条第三配线，其中，由第一金属膜形成的第一金属层(14fa、14fb)沿着相邻的一对第三配线(18f、18g)呈岛状设置，使得与由相互平行地延伸由第一金属膜形成的多条第一配线(14d、14e)中的相邻的一对第一配线(14d、14e)，以及在与各第一配线(14d、14e)交叉的方向上相互平行地延伸的多条第三配线(18f、18g)中的相邻的一对第三配线(18f、18g)包围的区域重叠。

公开(公告)号：CN114846907A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201980103309.4

申请日：2019-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  市川伸治 ,  郡司辽佑 ,  斋田信介 ,  金子诚二

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

Abstract: 显示装置具备:第一连接布线(21b)，经由形成于第二平坦化膜(22)的第一通孔(Hi)与第一电极(31)电连接；以及第二连接布线(18i)，经由形成于第一平坦化膜(19)的第二通孔(Hj)与第一连接布线(21b)电连接，在第二层间绝缘膜(20a)贯通第二层间绝缘膜(20a)，与第一连接布线(21b)重叠，并且以俯视时周缘包围第一通孔(Hi)及第二通孔(Hj)的方式设置有接触开口部(M)。

公开(公告)号：CN111819614B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201880091027.2

申请日：2018-03-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/22

Abstract: 第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置到从狭缝(S)露出的树脂基板的上表面，第一平坦化膜(8)在狭缝的内部，以在第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置的部分之间使树脂基板的上表面露出的方式设置，第一配线(18h)和第二配线(18i)经由设置在第一平坦化膜(8)的端面和树脂基板的上表面之间的第三配线(18j)电连接。

公开(公告)号：CN111149146B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201780095251.4

申请日：2017-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在边框区域(F)的弯折部(B)处，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中形成贯穿该无机绝缘膜而使树脂基板(10)的上表面露出的开口部(A)，边框配线(12ea)设置在从开口部(A)露出的树脂基板(10)上，构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中的与树脂基板(10)的上表面接触的无机绝缘膜由氮氧化硅膜形成。