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公开(公告)号：CN114124123B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111362252.5
申请日：2021-11-17
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种宽带集成CMOS全局反馈接收机前端电路，应用于射频集成电路领域，针对现有技术中片外巴伦和匹配元器件存在的损耗大、体积大、带宽有限，不利于单片集成的缺点；本发明的电路包括四个无源混频器；输入射频信号经过输入跨导放大器转换为电流信号，再经过第二混频器得到基带电流信号，基带电流信号经过第一跨阻放大器得到基带电压输出信号BBI；同时，BBI经过第一无源混频器的上变频，再经有源合路器反馈到跨导放大器输入端，从而获得了全局反馈下的输入端口阻抗匹配；类似地，第三无源混频器第二跨阻放大器得到基带电压信号BBQ，BBQ经过第四无源混频器的上变频，再经过有源合路器反馈到跨导放大器输入端。
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公开(公告)号：CN111726168B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010565941.5
申请日：2020-06-19
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了单载波光通信信号检测方法及其装置，第一光分路模块将光信号分为接收信号L1和接收信号L2两路；延时模块将L1延时处理得到延时光信号；第二光分路模块将延时光信号分为延时光信号M1和延时光信号M2；直接检测模块对M1进行直接检测得到电信号R1；差分检测模块对L2和M2进行差分检测后得到整体电信号R2；第一计算模块将电信号R1与电信号R2做差得到检测电信号R3；转换模块将检测电信号R3预处理后经模数转换得到数字电信号R；数字信号电路模块将R经数字信号电路处理后输出发端数字基带信号；本发明解决现有直接检测中因SSBI干扰带来的低灵敏度问题，实现在低复杂度、低成本条件下获得较高传输灵敏度和较高频谱利用率的复值信号直接检测装置。
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公开(公告)号：CN106903979B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201710144646.0
申请日：2017-03-13
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: B41F16/00
Abstract: 本发明涉及热转印技术领域，公开了一种平面转印装置。包括上台面、下台面、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路和支撑台，所述上台面设置在支撑台上，所述上台面和下台面平行并通过活动式支撑杆连接，所述上台面和下台面压合时相互重叠，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路设置在支撑台内，所述第一高频震荡电路的谐振线圈设置在下台面，所述第二高频震荡电路的谐振线圈设置在上台面，所述上台面和下台面压合时所述第一谐振线圈和第二谐振线圈重叠。转印时上下台面间放置的覆铜板形成涡流产热，覆铜板的温度稳定，一次完成转印。
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公开(公告)号：CN106526404B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201611127032.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种短路、漏电检测装置及其检测方法。所述装置包括恒流子电路，提示子电路，电力切换子电路。本发明可应用于各种设备的供电前检测，能及时检测出设备的漏电、短路情况，即刻提示并不给设备提供电力，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可以启动设备，可以很好的保护设备，避免由于疏忽导致的短路、漏电情况出现，保障工作人员安全及设备的安全运行。
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公开(公告)号：CN114124123A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111362252.5
申请日：2021-11-17
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种宽带集成CMOS全局反馈接收机前端电路，应用于射频集成电路领域，针对现有技术中片外巴伦和匹配元器件存在的损耗大、体积大、带宽有限，不利于单片集成的缺点；本发明的电路包括四个无源混频器；输入射频信号经过输入跨导放大器转换为电流信号，再经过第二混频器得到基带电流信号，基带电流信号经过第一跨阻放大器得到基带电压输出信号BBI；同时，BBI经过第一无源混频器的上变频，再经有源合路器反馈到跨导放大器输入端，从而获得了全局反馈下的输入端口阻抗匹配；类似地，第三无源混频器第二跨阻放大器得到基带电压信号BBQ，BBQ经过第四无源混频器的上变频，再经过有源合路器反馈到跨导放大器输入端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114070266A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111361091.8
申请日：2021-11-17
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种CMOS环形1/4占空比高速时钟电路，应用于射频集成电路领域，针对现有的时钟电路无法满足高速、低功耗的使用需求的问题；本发明采用基于静态锁存器的逻辑门级和反相器缓冲级，由4个逻辑门级进行首尾交叉顺序连接构成一个环状结构，在环状结构的P1‑4节点连接反相器缓冲级INV1‑4；所述逻辑门级包括静态锁存器SL1和与非门A1；静态锁存器SL1由两个与非门G2G4交叉连接构成，反相器缓冲级用于输出1/4占空比信号，同时又可以提升负载的驱动能力。
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公开(公告)号：CN114025285A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111239485.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高效音频电源，包括直流电源、升压转换模块、分压模块、音频信号调理模块，所述直流电源、所述升压转换模块、所述分压模块、所述音频信号调理模块依次电相连构成一条支路，所述直流电源、所述音频信号调理模块、所述分压模块依次电相连构成另一条支路，所述分压模块还与所述升压转换模块电相连构成一条升压转换模块的反馈支路；所述升压转换模块的输出端用以电连接音频功率放大器，所述音频信号调理模块的输入端用以输入音频信号。本发明解决了现有技术存在的不能在保证音质的前提下减少系统损耗、延长电池的续航时间等问题。
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公开(公告)号：CN108511449B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810208513.X
申请日：2018-03-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体的说是一种三维NAND型存储器下选择管的实现方法。包括以下步骤：采用各向异性蚀刻进行存储管蚀刻，使存储管沟道蚀刻至下选择管和衬底的边界处；采用各向同性蚀刻进行下选择管蚀刻，使下选择管拐角处形成圆弧状的栅氧结构；将多晶硅填充或单晶硅外延生长至上述蚀刻形成的沟道内。本发明将应用于三维存储器的下选择管结构，采用各项同性的干法蚀刻来实现该结构，其结构能在下选择管和衬底转角处形成更小的栅氧厚度，实现更大的导通电流，更好的器件特性。
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公开(公告)号：CN111030050A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911395073.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02H7/04
Abstract: 本发明涉及一种接入变压器型设备短路预检保护装置及其工作方法。装置包括主功率电路、逻辑判断电路、开关控制电路、报警电路、切断电路。本发明能够在每次开机前对带有变压器的设备进行检测，如果有故障情况，即刻发出报警并提供预保护，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可启动设备，保障了设备安全运行与人员安全。并且在设备运行过程中发生短路的情况下及时切断电力供应,二次保障安全。
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公开(公告)号：CN110022073A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910373698.4
申请日：2019-05-07
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H02M5/293
Abstract: 本发明提供了一种AC-AC电压调节电路，包括主拓扑电路和驱动控制电路；主拓扑电路包括四个MOS管充放电电路，交替工作的驱动电路，在交流波形的正半周期时Q3与Q4持续导通，控制MOS管Q1打开时，MOS管Q2关闭，当Q1和Q3打开，电容、电感放电，导致电容另一端电压升高，给其他的电感、电容充电，使交流电信号升压；当控制Q2和Q4打开时，Q1关闭，一侧电感、电容放电，导致电容一端电压降低，使其他的电容、电感放电，使交流电信号降压。交替工作的驱动电路控制电容、电感充放电，当充电时间大于放电时间时，主拓扑结构输出电压升高；当放电时间高于充电时间时，主拓扑结构输出电压降低。与现有技术相比，能够降低能量损失，提高电压转换效率。
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