Al3Sc-Al3Zr/Al复合材料孕育剂的制备方法

    公开(公告)号:CN110004332A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910433300.1

    申请日:2019-05-23

    摘要: 本发明Al3Sc-Al3Zr/Al复合材料孕育剂的制备方法,涉及铝基合金,步骤是:依据目标合金中各组分元素的质量百分比为:Sc 1.00%~2.00%、Zr 1.00%~2.00%,其余为Al进行原料配制;块状Al-Sc-Zr中间合金的原位合成制备和超声处理;快速凝固技术制得薄带状Al3Sc-Al3Zr/Al复合材料孕育剂产品。本发明方法用添加廉价Zr元素替代一部分价格高昂的Sc元素,降低了产品成本,克服了现有技术中形核颗粒不能在基体上弥散分布或弥散程度还不理想、颗粒在熔体中的聚集沉淀和颗粒尺寸大,Al-Sc合金中Al3Sc颗粒尺寸过大和数量较少缺陷。

    一种高阻尼铜基形状记忆合金的制备方法

    公开(公告)号:CN109266887A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811466554.5

    申请日:2018-12-03

    摘要: 本发明一种高阻尼铜基形状记忆合金的制备方法,涉及铝作次主要成分的铜基合金,步骤是:制备Cu-11.9Al-2.5Mn-0.08Sc-xNb形状记忆合金,其中,x=0.5~1.0;对淬火态合金在580~620℃时效之前,又重新加热至850℃并保温10分钟,最终制得高阻尼铜基形状记忆合金产品。本发明在CuAlMn形状记忆合金的制备中加入了稀土元素Sc和金属元素Nb而分别起到净化熔体,细化晶粒与弥散强化,提高界面密度与界面可动性的作用,克服了现有技术中,铜基形状记忆合金制备的方法还存在所制得的铜基形状记忆合金阻尼性能的提高是以牺牲其力学性能为代价或合金中含有易老化相的缺陷。

    蓝宝石晶须增韧TiAlNbMo合金复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108977690A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810855487.X

    申请日:2018-07-31

    摘要: 本发明蓝宝石晶须增韧TiAlNbMo合金复合材料及其制备方法,涉及钛铝合金,该材料中,TiAlNbMo合金元素组成成分的原子百分比为:Ti为54~45%、Al为44~49%、Nb为1~3%和Mo为1~3%,所加入的蓝宝石晶须与整体合金的体积百分比为3~5%;该材料的制备方法是:按TiAlNbMo合金元素组成成分的原子百分比配制原料;制备钛铝母合金铸锭;制备蓝宝石晶须增韧TiAlNbMo合金复合材料。本发明克服了现有技术存在工艺复杂,生产周期性长,制备材料致密性差,且成分不均一,无法制成特定形状的零件,此外通过反应生成的氧化铝纤维长径比差距各异导致制得的复合材料力学性能较差的缺陷。

    用于亚共晶铝硅合金变质细化的孕育剂的制备方法

    公开(公告)号:CN108977680A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810855505.4

    申请日:2018-07-31

    IPC分类号: C22C1/06 C22C1/03 C22C21/00

    摘要: 本发明用于亚共晶铝硅合金变质细化的孕育剂,涉及铝基合金,步骤是:按照Al-B中间合金∶Al-Ca中间合金=5:1~3的质量比进行配料;制备块状Al-B-Ca中间合金;采用原位自生反应法和快速凝固技术制得用于亚共晶铝硅合金变质细化的孕育剂,是一种薄带状CaB6-Al4Ca/Al超细晶孕育剂;本发明克服了现有技术中的孕育剂对亚共晶铝硅合金细化效果不明显,变质处理和细化处理不能同时进行,颗粒在基体上弥散程度不理想,颗粒在熔体中的聚集沉淀和颗粒尺寸大的缺陷。

    TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107008905B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201710222633.0

    申请日:2017-04-07

    IPC分类号: B22F3/11

    摘要: 本发明TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料的制备方法,涉及阻尼材料的制造,通过制备多孔TiNiCu形状记忆合金并在其孔洞中填充金属Mg制得TiNiCu形状记忆合金基阻尼复合材料即Mg/TiNiCu,克服了现有的多孔TiNiCu形状记忆合金制备方法中孔隙率和孔径及孔型均难以控制、现有的将Mg引入多孔合金中的技术不可用于Mg对多孔TiNiCu合金的填充、以及合金产品的阻尼性能及其他力学性能尚需提高的缺陷。

    一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法

    公开(公告)号:CN106847453B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201710189336.0

    申请日:2017-03-27

    摘要: 本发明一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的和Ⅲa族元素的硬磁材料的磁体,该SmCo4B基永磁薄带的元素组成式为SmCoxCuyFezB,采用熔体离心快淬技术制备,由此制得的SmCo4B基永磁薄带该薄带的厚度为39μm~62μm,在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe~54.1kOe,剩磁为23.1emu/g~28.1emu/g,饱和磁化强度为24.1emu/g~32.6emu/g,克服了现有技术在Fe和Cu元素同时加入Sm‑Co‑B系合金所制得的SmCo4B基永磁薄带中未形成高硬磁相,薄带磁性能仍然有待进一步提高的缺陷。

    一种Al-Ni-Y-Ce铝基非晶态合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN107829048A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711220068.0

    申请日:2017-11-29

    IPC分类号: C22C45/08 C22C1/03

    CPC分类号: C22C45/08 C22C1/002 C22C1/03

    摘要: 本发明一种Al-Ni-Y-Ce铝基非晶态合金及其制备方法,涉及铝作主要成分的非晶态合金,该合金元素组成的原子百分比为:Al为85.0~88.0at.%,Ni为 6.0~9.0at.%,Y 为2~5at.%,Ce为3~5at.%,四种元素组成的原子百分比之和为100%。其制备方法中原料使用组成质量百分比为Al-25%Y和组成质量百分比为Al-25%Ce的商业铝合金代替纯稀土元素Y和Ce,制备出具有非晶形成能力高和良好塑性的Al-Ni-Y-Ce非晶合金,克服了现有技术制备相应铝基非晶态合金需要高纯度的原料和高纯度的稀土元素造成制备成本高,并且直接使用纯稀土元素熔炼容易氧化,不易工业化生产的缺陷。

    掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金的制备方法

    公开(公告)号:CN105112816B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201510469157.3

    申请日:2015-08-03

    摘要: 本发明掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金的制备方法,涉及含稀土金属和磁性过渡金属的磁性材料,步骤是:按照原料配比式(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix(x=0.1~8.0)配制原料;熔化原料制备母合金铸锭;(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体的制备;对(Sm12Co60Fe8Zr5Nb5Al6B4)100‑xSix薄带磁体进行等温退火处理,最终制得掺Si的低Sm含量Sm‑Co型非晶基磁性合金。本发明克服了现有技术制备低Sm含量的Sm‑Co型非晶磁性合金很难得到非晶的缺陷,进一步提高了Sm‑Co型非晶合金的室温矫顽力。