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公开(公告)号：CN106683914A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710105170.X
申请日：2017-02-25
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： H01H1/025 , H01H11/048
摘要： 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法，涉及铜作为基底材料的触点，该材料是由以下质量百分比的成分组成：Ce 0.05～0.5%，TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1～1.0%，其余为Cu；其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相，同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能，采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备，克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差，以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。
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公开(公告)号：CN109266887B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201811466554.5
申请日：2018-12-03
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种高阻尼铜基形状记忆合金的制备方法，涉及铝作次主要成分的铜基合金，步骤是：制备Cu‑11.9Al‑2.5Mn‑0.08Sc‑xNb形状记忆合金，其中，x＝0.5～1.0；对淬火态合金在580～620℃时效之前，又重新加热至850℃并保温10分钟，最终制得高阻尼铜基形状记忆合金产品。本发明在CuAlMn形状记忆合金的制备中加入了稀土元素Sc和金属元素Nb而分别起到净化熔体，细化晶粒与弥散强化，提高界面密度与界面可动性的作用，克服了现有技术中，铜基形状记忆合金制备的方法还存在所制得的铜基形状记忆合金阻尼性能的提高是以牺牲其力学性能为代价或合金中含有易老化相的缺陷。
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公开(公告)号：CN106756156B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710088330.4
申请日：2017-02-20
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种ZnAl合金晶粒的细化方法，涉及铝作次主要成分的锌基合金，是采用Al‑5Ti‑1B合金薄带孕育剂与Zr元素复合添加对Zn‑22Al合金的晶粒进行细化的方法，取原料纯Zn、纯Al和纯Al‑5Zr合金、脱水ZnCl2精炼剂和Al‑5Ti‑1B合金薄带孕育剂完成配料，于石墨黏土坩埚中完成Zn‑22Al合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对ZnAl系列合金进行晶粒细化的效果仍然不能满足工业水平及武器装备技术高速发展需要的缺陷。
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公开(公告)号：CN109266887A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811466554.5
申请日：2018-12-03
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种高阻尼铜基形状记忆合金的制备方法，涉及铝作次主要成分的铜基合金，步骤是：制备Cu-11.9Al-2.5Mn-0.08Sc-xNb形状记忆合金，其中，x＝0.5～1.0；对淬火态合金在580～620℃时效之前，又重新加热至850℃并保温10分钟，最终制得高阻尼铜基形状记忆合金产品。本发明在CuAlMn形状记忆合金的制备中加入了稀土元素Sc和金属元素Nb而分别起到净化熔体，细化晶粒与弥散强化，提高界面密度与界面可动性的作用，克服了现有技术中，铜基形状记忆合金制备的方法还存在所制得的铜基形状记忆合金阻尼性能的提高是以牺牲其力学性能为代价或合金中含有易老化相的缺陷。
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公开(公告)号：CN106683914B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710105170.X
申请日：2017-02-25
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法，涉及铜作为基底材料的触点，该材料是由以下质量百分比的成分组成：Ce 0.05～0.5%，TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1～1.0%，其余为Cu；其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相，同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能，采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备，克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差，以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。
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公开(公告)号：CN107043867B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710015114.7
申请日：2017-01-09
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种多孔铜基形状记忆合金的制备方法，涉及有多孔形状记忆合金的制造，以原始金属纯Cu粉、纯Al粉和纯Mn粉进行配料制得的Cu‑Al‑Mn预合金化粉作为基体材料，将其与无水乙醇均匀混合后再与去结晶水NaCl颗粒均匀混合，压制得生坯，经烧结成型后置于100℃沸水中将孔洞内残留NaCl颗粒彻底煮除，最后将其置于60℃烘箱内保温20～30分钟，制得具有通孔结构，平均孔隙率为50～80%，平均孔径为0.2～1.5mm的多孔铜基形状记忆合金产品。本发明方法克服了现有技术存在的产品制备成本高和生产安全性低的缺陷。
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公开(公告)号：CN107043867A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710015114.7
申请日：2017-01-09
申请人： 河北工业大学
CPC分类号： C22C9/01 , B22F3/02 , B22F3/1134 , B22F9/04 , B22F2009/041 , C22F1/002 , C22F1/08
摘要： 本发明一种多孔铜基形状记忆合金的制备方法，涉及有多孔形状记忆合金的制造，以原始金属纯Cu粉、纯Al粉和纯Mn粉进行配料制得的Cu‑Al‑Mn预合金化粉作为基体材料，将其与无水乙醇均匀混合后再与去结晶水NaCl颗粒均匀混合，压制得生坯，经烧结成型后置于100℃沸水中将孔洞内残留NaCl颗粒彻底煮除，最后将其置于60℃烘箱内保温20～30分钟，制得具有通孔结构，平均孔隙率为50～80%，平均孔径为0.2～1.5mm的多孔铜基形状记忆合金产品。本发明方法克服了现有技术存在的产品制备成本高和生产安全性低的缺陷。
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公开(公告)号：CN106756156A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710088330.4
申请日：2017-02-20
申请人： 河北工业大学
摘要： 本发明一种ZnAl合金晶粒的细化方法，涉及铝作次主要成分的锌基合金，是采用Al‑5Ti‑1B合金薄带孕育剂与Zr元素复合添加对Zn‑22Al合金的晶粒进行细化的方法，取原料纯Zn、纯Al和纯Al‑5Zr合金、脱水ZnCl2精炼剂和Al‑5Ti‑1B合金薄带孕育剂完成配料，于石墨黏土坩埚中完成Zn‑22Al合金晶粒的细化。本发明方法克服了现有技术对ZnAl系列合金进行晶粒细化的效果仍然不能满足工业水平及武器装备技术高速发展需要的缺陷。
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