一种GaN基LED及其制备方法
    52.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105428493B

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201610006255.8

    申请日:2016-01-06

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: H01L33/44 H01L33/22

    摘要: 本发明公开了一种GaN基LED,通过在普通的LED出光面上镀上一层ZnO薄膜,因为ZnO的折射率在2.0左右,处于空气与GaN折射率之间,使有源层发出的光更易出射,本发明同时结合表面粗化和制备周期性结构排布的微孔图案来实现LED光提取效率的显著提高。本发明还公开了上述GaN基LED结构的制备方法。

    一种CsPbBr<base:Sub>x</base:Sub>I<base:Sub>3‑x</base:Sub>纳米棒的制备方法

    公开(公告)号:CN105883909B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201610043837.3

    申请日:2016-01-22

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: C01G21/16

    摘要: 本发明公开了一种CsPbBrxI3‑x纳米棒的制备方法,包括:制备Cs2CO3‑十八烯混合物,然后向该混合物中加入过量油酸,氮气氛围下120℃加热至Cs2CO3与油酸反应完全,获得油酸铯溶液;取PbI2和PbBr2加入十八烯中,氮气氛围下加热至120℃,再加入少量的油胺和油酸并升温至135℃,加热至PbI2和PbBr2溶解后,加入油酸铯溶液反应10‑80min,将反应产物冰浴,离心,甲苯提纯,即得CsPbBrxI3‑x纳米棒;其中,铯和铅的摩尔比为1:1.8,碘和溴摩尔比为2:1。本发明与现有技术相比,简化了反应步骤,缩短了反应时间,降低了反应所需温度,而且可以通过反应时间的长短来调整CsPbBrxI3‑x纳米棒的带隙和荧光发射。

    一种球形甲脒基钙钛矿FAPbBr<base:Sub>3</base:Sub>量子点的制备方法和产品

    公开(公告)号:CN106929010A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710165543.2

    申请日:2017-03-20

    摘要: 本发明涉及一种球形甲脒基钙钛矿FAPbBr3量子点的制备方法和产品,属于半导体量子点发光材料技术领域,该方法具体为:(1)将FABr和PbBr2加入二甲基甲酰胺中,搅拌后制得溶液A;(2)将正己烷、油胺和正辛胺混合后制得溶液B;(3)将溶液A逐滴加入溶液B中,搅拌后加入正丁醇和丙酮,继续搅拌至混合溶液呈黄色悬浊液;(4)将黄色悬浊液离心后取沉淀,再将所述沉淀洗涤干燥后,制得球形甲脒基钙钛矿FAPbBr3量子点。该制备方法可在常温下进行,操作简单方便,由该方法制备的甲脒基钙钛矿FAPbBr3量子点呈球形,粒径为5~10nm,发光效率高达75%,在量子点发光二极管、太阳能电池,微激光等领域具有广泛的应用前景。

    基于CsPbBr<base:Sub>3‑x</base:Sub>I<base:Sub>x</base:Sub>‑ZnS钙钛矿量子点异质结的制备方法及其产品

    公开(公告)号:CN105349140B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510908708.1

    申请日:2015-12-08

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: C09K11/66

    摘要: 本发明公开了一种基于CsPbBr3‑xIx‑ZnS钙钛矿量子点异质结的制备方法及其产品,通过设计一种ZnS量子点掺杂CsPbBr3‑xIx钙钛矿量子点的制备方法,探究ZnS量子点对CsPbBr3‑xIx钙钛矿量子点稳定性的影响并通过调控ZnS与CsPbBr3‑xIx反应的时间来制备不同波长的光致发光光谱。所制备的量子点具有高效的光致发光效率,优异的光学吸收,在发光二极管、太阳能电池有广泛的应用前景。并且本发明方法易操作,易控制,成本低廉,且制备出的产品结晶程度高。

    一种大功率LED器件固晶层散热性能的快速评估方法

    公开(公告)号:CN104569065A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510078344.9

    申请日:2015-02-13

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01N27/00

    摘要: 本发明涉及一种大功率LED器件固晶层散热性能的快速评估方法,属于半导体器件测试技术领域。包括以下步骤:步骤一:搭建用于测量大功率LED器件瞬态电压的测试系统;步骤二:利用所述测试系统测量大功率LED器件加热电流切换至测量电流的冷却电压曲线;步骤三:对电压曲线进行归一化处理;步骤四:对归一化的电压曲线进行等效数学变换,获得时间常数谱;步骤五:对时间常数谱进行分析,提取表征固晶层的特征参数以实现其散热性能的评估;本方法利用归一化的电压曲线得到的时间常数谱的特征参量进行固晶层的散热性能评估,无需进行K系数的标定和耗散热功率的测试,因此操作简单,省时,便于批量大功率LED器件固晶层散热性能的快速评估。