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公开(公告)号：CN111010557B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201911371057.1
申请日：2019-12-26
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
发明人： 陈炜
IPC分类号： H04N9/73
摘要： 一种白点范围确定方法、白平衡校正方法及装置、存储介质，所述白点范围确定方法包括：分别获取多个光源下的基准图像帧，其中，在每个光源下获取的基准图像帧均包含多个灰度色块，所述基准图像帧具有N个颜色通道，N大于等于4；在所述N个颜色通道中选择一个作为基准颜色通道；构建N‑1维颜色比例空间，所述N‑1维颜色比例空间的坐标轴与所述N个颜色通道间像素值的比值有关；以及根据所述N‑1维颜色比例空间生成多个二维平面，并基于所述基准图像帧在每个所述二维平面上分别生成一个白点平面范围。在本发明实施例通过在二维平面上生成白点平面范围，相较于在多维空间中进行光源范围的扩展，可以简化计算，便于硬件实现。
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公开(公告)号：CN113301277A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110587102.8
申请日：2021-05-27
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
发明人： 张琦
摘要： 一种RTS噪声抑制装置及图像传感器。所述装置包括：RTS噪声识别单元及控制单元；其中：所述RTS噪声识别单元，与像素结构的输出端连接，基于所述像素结构当前输出信号的幅度值，识别所述像素结构在读出过程中是否发生RTS噪声，并输出识别结果信号；所述控制单元，与所述RTS噪声识别单元及所述像素结构的读出量化电路连接，适于当所述像素结构在读出过程中发生RTS噪声，对所述像素结构的量化结果进行替换，以获得所述像素结构处理后的图像数据。应用上述方案，可以在抑制RTS噪声的同时，减少所耗费的资源且保证图像清晰度。
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公开(公告)号：CN110971846B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201911357219.6
申请日：2019-12-25
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374
摘要： 一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。
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公开(公告)号：CN112969042A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110226856.0
申请日：2021-03-01
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
摘要： 一种运算电路和图像传感器的读出电路，所述运算电路包括：比较器、积分子电路和开关电路。所述开关电路，适于在连通状态下将所述比较器和积分子电路组合成积分电路。在开关电路连通状态下将比较器和积分子电路组合积分电路。将该结构应用于图像传感器的读出电路时，可以提高对输入信号进行积分以提升信噪比，从而确保可以获取到图像信息，因此，所述运算电路为保证获取到图像信息提供了基础。
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公开(公告)号：CN109361883B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811462074.1
申请日：2018-11-30
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
发明人： 徐新楠
摘要： 一种像素读出电路及图像传感器，像素读出电路包括：至少一个噪声反相放大电路，分别输出补偿电压，在像素单元由于光电效应引起像素电压变化时，补偿电压的变化电压为位线噪声电压的反相电压，且补偿电压的变化电压的电压值为位线噪声电压的电压值的K倍；列模数转换器，包括：反相电容，反相电容的第一端接入补偿电压；比较器，其负输入端耦接反相电容的第二端；电流源，其第一端接地，其第二端作为像素读出电路的输入端；采样电容，其第一端耦接电流源，其第二端耦接比较器的负输入端，其电容值为反相电容的电容值的K倍。本发明技术方案能够消除像素电源噪声，从而降低行噪声，提高图像传感器的图像质量。
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公开(公告)号：CN109120836B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811286257.2
申请日：2018-10-31
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
发明人： 张琦
摘要： 一种图像传感器像素电路及其工作方法，图像传感器像素电路包括：主光电二极管；附光电二极管；传输晶体管，传输晶体管的源级与主光电二极管连接，传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点；第一附加晶体管；第二附加晶体管；第一电容，第一电容具有第一端，第一端与第二源漏极连接且与第三源漏极连接；第二电容，第二电容具有第二端，第二端与第四源漏极连接且适于与附光电二极管电学连接；复位晶体管，复位晶体管的漏极与电源线连接，所述复位晶体管的源极连接第一浮空扩散点或第二源漏极；列读出线，列读出线适于读出第一浮空扩散点的电位信息。所述图像传感器像素电路的动态范围得到有效提高。
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公开(公告)号：CN112004038A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010918056.0
申请日：2020-09-03
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374
摘要： 一种图像传感器像素结构，适于在同一次曝光过程中，获得目标场景的第一帧图像及第二帧图像，以将所述第一帧图像及第二帧图像融合为一帧图像。所述像素结构包括：信号存储使能电路、第一电荷存储电路及第二电荷存储电路；所述信号存储使能电路，适于启动及停止信号储存过程；所述第一电荷存储电路，与所述浮动扩散节点耦接，适于在信号储存过程启动后，存储所述第二帧图像对应的曝光信号；所述第二电荷存储电路，与所述第一源跟随电路耦接，适于在信号储存过程启动后，存储所述第一帧图像对应的曝光信号及复位信号。应用上述方案，在提高感光灵敏度的同时，使得CMOS图像传感器具有较高的动态范围。
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公开(公告)号：CN112004037A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010918051.8
申请日：2020-09-03
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374
摘要： 一种图像传感器像素结构，适于在同一次曝光过程中，获得目标场景的第一帧图像及第二帧图像，以将所述第一帧图像及第二帧图像融合为一帧图像。所述像素结构包括：第一电荷存储电路及第二电荷存储电路；所述第一电荷存储电路，与所述浮动扩散节点耦接，适于在曝光结束后，存储所述第二帧图像对应的曝光信号；所述第二电荷存储电路，与所述第一源跟随电路耦接，适于在曝光结束后，存储所述第一帧图像对应的曝光信号及复位信号。应用上述方案，可以在提高CMOS图像传感器感光灵敏度的同时，使得CMOS图像传感器具有较高的动态范围。
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公开(公告)号：CN109216394B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811288580.3
申请日：2018-10-31
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS‑TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS‑TDI图像传感器，包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第一掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第一浓度；位于所述第一掺杂区底部基底内的第二掺杂区，第二掺杂区的顶部与第一掺杂区的底部接触，所述第二掺杂区内也具有第一离子，所述第二掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第二浓度，且所述第二浓度大于第一浓度；位于各个像素区内所述第一掺杂区表面的栅极结构。所述CMOS‑TDI图像传感器沟道中的电荷传输效率较高。
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公开(公告)号：CN109005374B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811066988.6
申请日：2018-09-13
申请人： 锐芯微电子股份有限公司
发明人： 任张强
摘要： 一种图像传感器像素电路及其工作方法，图像传感器像素电路包括：像素单元，所述像素单元包括：列读出线；检测单元，所述检测单元包括：电容，所述电容具有相对的第一电容端和第二电容端，第一电容端与所述列读出线连接；比较器，所述比较器具有第一比较输入端、第二比较输入端和比较输出端，第二比较输入端与第二电容端连接，第一比较输入端适于输入比较时序信号；开关，所述开关分别与第二比较输入端与比较输出端连接。所述图像传感器像素电路的性能得到提高。
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