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公开(公告)号：CN116969767A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310992371.1
申请日：2023-08-08
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/587 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本申请涉及硅化物辅助烧结制备氮化硅陶瓷基板的方法，以及该方法制备的氮化硅陶瓷。该氮化硅陶瓷基板照摩尔百分含量计算，包括如下组分：氮化硅：89mol％，烧结助剂：3～11mol％。本发明通过使用硅化镁替代传统的氧化镁，高效优化了氮化硅陶瓷的热导率和力学性能，解决了目前气压烧结氮化硅热导率高热导率和高力学性能难以兼得的问题。经过气压烧结后，制得的氮化硅陶瓷热导率可达98.35W·m‑1·K‑1，维氏硬度可达12.10±0.14GPa，断裂韧性可达6.88±0.17MPa·m1/2。
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公开(公告)号：CN115403406B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211268157.3
申请日：2022-10-17
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B38/10 , C04B35/04 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及一种氧化镁多孔陶瓷的制备方法，属于陶瓷材料技术领域。包括以下步骤：将MgO粉体，烧结助剂，水溶剂，减水剂，粘合剂，分散剂置于行星球磨机中以250r/min研磨2‑4h得到混合均匀的浆料。将经过NaOH水溶液浸泡处理后表面粗糙的聚氨酯泡沫完全浸入制备好的浆料，取出并去除多余浆料，并反复进行该操作，直到骨架上的浆料不再增加后置于烘箱中干燥。将干燥的素坯置于马弗炉烧结，降至室温得到氧化镁多孔陶瓷。将烧结得到的氧化镁多孔陶瓷置于溶胶悬浮液中浸泡，再经高温固化后得到力学性能提升的多孔陶瓷。本申请具有工艺简单，制备周期短，气孔率高、抗压强度高，导热系数低以及重复性好的优势。
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公开(公告)号：CN115403406A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211268157.3
申请日：2022-10-17
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B38/10 , C04B35/04 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及一种氧化镁多孔陶瓷的制备方法，属于陶瓷材料技术领域。包括以下步骤：将MgO粉体，烧结助剂，水溶剂，减水剂，粘合剂，分散剂置于行星球磨机中以250r/min研磨2‑4h得到混合均匀的浆料。将经过NaOH水溶液浸泡处理后表面粗糙的聚氨酯泡沫完全浸入制备好的浆料，取出并去除多余浆料，并反复进行该操作，直到骨架上的浆料不再增加后置于烘箱中干燥。将干燥的素坯置于马弗炉烧结，降至室温得到氧化镁多孔陶瓷。将烧结得到的氧化镁多孔陶瓷置于溶胶悬浮液中浸泡，再经高温固化后得到力学性能提升的多孔陶瓷。本申请具有工艺简单，制备周期短，气孔率高、抗压强度高，导热系数低以及重复性好的优势。
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公开(公告)号：CN113122022B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110235035.3
申请日：2021-03-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种抗水解的改性氮化铝(AlN)粉体及其制备方法，该方法利用VP共聚物、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂在AlN粉体表面形成高分子碳链包裹层，提高了AlN粉体抗水解的能力。高分子直接法中首先把AlN粉体和VP共聚物分别分散在有机溶剂中形成均匀悬浮液，在不高于100℃下混合两种溶液并搅拌反应2～4h得到改性抗水解AlN粉体；偶联剂分子桥法中首先将AlN粉体和偶联剂分别分散在有机溶剂中形成均匀悬浮液，在不高于100℃下混合两种溶液并搅拌反应2～4h得到中间产物，再将VP共聚物分散在有机溶剂后加入，在不高于100℃下搅拌反应2～4h得到改性氮化铝粉体。本发明方法简单，易于操作，抗水解性能优异，解决了AlN粉体易水解的问题。
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公开(公告)号：CN113122022A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110235035.3
申请日：2021-03-03
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种抗水解的改性氮化铝(AlN)粉体及其制备方法，该方法利用VP共聚物、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂在AlN粉体表面形成高分子碳链包裹层，提高了AlN粉体抗水解的能力。高分子直接法中首先把AlN粉体和VP共聚物分别分散在有机溶剂中形成均匀悬浮液，在不高于100℃下混合两种溶液并搅拌反应2～4h得到改性抗水解AlN粉体；偶联剂分子桥法中首先将AlN粉体和偶联剂分别分散在有机溶剂中形成均匀悬浮液，在不高于100℃下混合两种溶液并搅拌反应2～4h得到中间产物，再将VP共聚物分散在有机溶剂后加入，在不高于100℃下搅拌反应2～4h得到改性氮化铝粉体。本发明方法简单，易于操作，抗水解性能优异，解决了AlN粉体易水解的问题。
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公开(公告)号：CN111117601A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911387194.4
申请日：2019-12-30
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种发光性能稳定性的红光钙钛矿量子点及其制备方法。其物质组成的化学式为：CsPbBrxI3-X，其中0＜x＜3。本发明红光钙钛矿量子点的制备方法，使用短链金属有机盐替代传统热注入法制备量子点过程中加入的油酸，这种有机短链的加入不仅可以钝化钙钛矿量子点表面，而且使其红光钙钛矿量子点的稳定性得到显著提高，发光强度和稳定性较传统油酸制备的红光量子点得到较大提升。制得的量子点分散在正己烷之中分散性较好，易于后续QLED的封装。本发明红光钙钛矿量子点发光性能稳定，且发光强度高，对氧气和水汽的稳定性高于传统热注入法制备的红光钙钛矿量子点。
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公开(公告)号：CN107986794A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711222078.8
申请日：2017-11-29
申请人： 上海大学
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/64 , B28B3/00
摘要： 本发明提供了一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法，制备的氮化铝陶瓷基板具有高致密度、高热导率、表面平整、翘起度小等优点。此工艺为一次成型增加了生产效率，降低生产成本。本发明采用不同烧结助剂体系有效降低了氮化铝的烧结温度，采用优化的排胶和烧结制度，大大减少了排胶时间和烧结保温时间。制备出了高致密的氮化铝陶瓷。本发明采用特殊的叠片方式有效降低了素坯中的残余应力，结合重物压平处理和使用抛光的氮化硼匣钵，制备出的基板表面平滑且翘曲度小。本发明实现了大尺寸氮化铝陶瓷基板一次成型，无需对陶瓷基板磨平处理，提高了生产效率、节约了生产成本、有助于氮化铝基板在更多领域应用的推广。
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公开(公告)号：CN104941664A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510176867.7
申请日：2015-04-14
申请人： 上海大学
IPC分类号： B01J27/04
摘要： 本发明涉及一种能有效降解甲基橙的ZnS纳米光催化剂的制备方法。该方法包括以下步骤：一、配置硫源和锌源溶液；二、添加柠檬酸三钠；三、水热法制备ZnS粒子；四、经过洗涤、离心、干燥得到的ZnS粒子用于降解甲基橙。所制备的ZnS在紫外光下具有降解甲基橙速度快和降解完全等特点，最佳的样品对甲基橙的降解率1h可达98.0%，并且ZnS在催化完后1h，可沉淀到甲基橙溶液的底部，容易回收，适宜于催化剂的重复利用，同一样品多次测试效果不会减弱，有很好的重复性和稳定性，适合生产且有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102557598B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210007992.1
申请日：2012-01-12
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种采用无压烧结工艺制备Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的方法，属稀土掺杂多晶闪烁光学陶瓷制备工艺技术领域。本发明采用溶胶-凝胶法低温合成单相亚微米级Ce:Lu2SiO5陶瓷粉体，将上述粉体经干压、等静压成型后在流动的H2气氛条件下于1600-1800℃进行无压烧结获得Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷。获得材料的相对密度达到理论密度的98.5％以上，在X射线激发下表现良好的发光行为，主发射峰位于440nm处。
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公开(公告)号：CN102391868B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110272535.0
申请日：2011-09-15
申请人： 上海大学
IPC分类号： C09K11/79
摘要： 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体（LSO:Ce3+）的方法，属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是：采用Stöber法将正硅酸四乙酯（TEOS）在氨（NH3·H2O）和水（H2O）的混合溶液中进行水解来制备单分散SiO2球形颗粒，然后在Lu3+离子溶液中改变pH值利用液相包裹法在其表面包裹Lu(OH)3得到具有核壳结构的Lu(OH)3@SiO2复合粒子，通过高温煅烧实现LSO颗粒的原位合成，在1200℃下的煅烧条件下实现了铈掺杂的硅酸镥粉体（LSO:Ce3+）的合成。
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