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公开(公告)号：CN109378487A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811172563.3
申请日：2018-10-09
申请人： 华东师范大学
摘要： 本发明公开了碘化锌电池中石墨毡电极材料的处理方法，其步骤如下：(1)将石墨毡切割成所需形状大小；(2)采用RCA标准清洗法清洗切割好的石墨毡，以排除表面和通道内的各种杂质；(3)将其放入快速热退火炉中进行高温热处理，加速各种自由基的分离，改善石墨毡的电性能。本发明是采用高温退火替代该现有技术中所采用的微波处理工艺，使工艺更容易设定和控制，均匀性和不同批次间的一致性更好。
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公开(公告)号：CN108254071A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810015136.8
申请日：2018-01-08
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种室温高灵敏太赫兹直接检测系统，该系统包括：太赫兹源、一组抛物面反射镜、控制信号线、太赫兹聚焦透镜、硅基太赫兹检测器、直流偏置电压源、低噪声放大器及锁相放大器，在室温条件下，用直接检测的方法，对硅基太赫兹探测器进行了太赫兹信号检测。对340 GHz的接收信号，检测器的偏置电流4mA,系统的电压响应率优于1000 V/W,斩波频率为1 kHz时，系统的噪声电压为6nV/Hz1/2，系统的等效噪声功率（NEP）优于6×10‑12 W/Hz1/2。对650 GHz的接收信号，检测器的偏置电流4mA，系统的电压响应率优于200 V/W，斩波频率为1 kHz时，系统的噪声电压为6nV/Hz1/2，系统的NEP约优于3×10‑11 W/Hz1/2。本发明具有频带宽和灵敏度高的特点，在太赫兹功率探测和太赫兹成像方面具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN102956416B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210402277.8
申请日：2012-10-19
申请人： 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅微通道板的氧化方法，具体步骤如下：1）将硅微通道板切割成一定形状；2）将硅微通道板置1号液和2号液中清洗；3）在平面型石英舟上放置两块平行的硅片或石英棒，将清洗好的硅微通道板架在硅片或石英棒上氧化，石英棒或硅片的方向与气流方向平行。本发明在已经通过阳极氧化等方法制作的硅微通道板的基础上，进行氧化，提高硅微通道板的板电阻，并能够克服应力造成的弯曲等问题，从而实现微通道板的应用。
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公开(公告)号：CN104326439B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410419030.6
申请日：2014-08-22
申请人： 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
摘要： 本发明公开了一种改进硅微通道板表面形貌的方法，其步骤为：(1)在硅微通道板完成刻蚀后，采用激光切割使之形成所需大小的圆形薄片；(2)采用PECVD在硅微通道板的两侧依次淀积上300～500nm的SiO2层和100～200nm的Si3N4层薄膜，双面对称等厚；(3)按照干氧‑湿氧‑干氧的顺序进行氧化，氧化的温度为900‑1100℃，干氧的时间控制在15‑20分钟，湿氧的时间控制在40‑90分钟；得到改进表面形貌的硅微通道板。本发明具有以下有益效果：解决了采取氧化工艺制作绝缘层，由于表面属于自由端，在氧化过程中由于竞争机制，出现交叉处凸起这种使表面凹凸不平的问题。本发明所采用的氧化方法形成绝缘层的工艺，其成品率可以达到80％。
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公开(公告)号：CN103572271B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310485699.0
申请日：2013-10-16
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： C23C20/00
摘要： 本发明公开了一种利用压差在微通道板侧壁沉积薄膜的装置和使用方法。它包括正压腔和负压腔，所述的正压腔和负压腔之间为连通通道，正压腔和负压腔上分别设有进气口和出气口；连通通道的中间位置设置有固定微通道板的卡托；所述的正压腔和负压腔内注有溶胶液体。本发明利用微通道板两侧的压强差，实现所需沉积薄膜材料的溶胶液体在微通道内的流动，然后对粘附在微通道侧壁上的溶胶进行高温处理，从而实现薄膜在微通道板侧壁上的沉积。单层沉积的薄膜厚度，取决于溶胶浓度和微通道板两侧的压强差。本发明解决了使所需沉积薄膜材料的溶胶液体在狭小尺寸的微通道内实现定向流动的难题，进而实现了其薄膜材料在微通道板侧壁上的沉积。
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公开(公告)号：CN104828774A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510122203.2
申请日：2015-03-20
申请人： 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
摘要： 本发明涉及纳米材料与微结构技术领域，公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法，其步骤包括：通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道，用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层；调整沉积镍的时间使得所得到的镀镍硅微通道的电阻低于两欧姆；然后在镀镍微通道表面通过水热法生长一层纳米结构，这层纳米结构是由CoMoO4这种复合金属氧化物构成的，本发明利用水热法在微米孔径的镀镍硅微通道表面和内部生长纳米结构，提高了结构的均匀性与稳定性，避免了物理方法输运材料到微通道内部造成的微通道的严重堵塞，同时自身具有良好的电化学活性，有望应用于新能源领域。
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公开(公告)号：CN104289382A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410327632.9
申请日：2014-07-10
申请人： 华东师范大学 , 上海欧普泰科技创业有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用旋吸法在微通道板侧壁沉积薄膜的方法及其专用装置，本发明通过在对微通道板进行旋转滴涂溶胶的同时，在微通道板的一侧进行真空抽吸，实现所需沉积薄膜材料的溶胶液体在微通道内的定向均匀流动，然后对粘附在微通道侧壁上的溶胶进行高温处理，从而实现薄膜在微通道板侧壁上的沉积。单层沉积的薄膜厚度，取决于滴涂时旋转速度、溶胶浓度和微通道板两侧的压强差。为达到一定厚度的薄膜沉积，可对此过程方法多次循环使用，即多层溶胶凝胶法，直至实现预定厚度。本发明的有益效果是：使所需沉积薄膜材料的溶胶液体均匀旋涂在微通道板表面，并在狭小尺寸的微通道内实现定向流动，进而实现其薄膜在微通道板侧壁上的沉积。
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公开(公告)号：CN102456920B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201010523212.X
申请日：2010-10-28
申请人： 华东师范大学 , 上海学子科技创业有限公司
IPC分类号： H01M10/0565
摘要： 本发明公开了一种三维锂离子电池固体电解质的制备方法，具体是一种基于硅微通道板的三维锂离子电池的固体电解质的制备方法，是将有机高分子聚合物导入孔径在微米尺寸结构的通道中，属于微电子工艺制作领域。包括有机高分子聚合物薄膜，它是基于高深宽比的硅微通道板，在其壁上形成的电解质薄膜。本方法对设备要求不高，工艺简单，生产成本低，因该固体电解质基于高深宽比微通道结构，而且该电解质膜较薄，在纳米量级，缩短了锂离子在电解质中的扩散距离，从而提高了锂离子电池的充电速度。
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公开(公告)号：CN103117396A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210509988.5
申请日：2013-04-01
申请人： 华东师范大学 , 上海华鼎科技教育设备有限公司
CPC分类号： Y02E60/128
摘要： 本发明公开了一种锌溴电池电极制作方法，其步骤如下：1）碳纳米管、六水硝酸镁、异丙醇的投料比为1mg：2mg：125mL，分散碳纳米管、六水硝酸镁于异丙醇中，超声分散2~3小时；2）以石墨电极为负极，铜片为正极，取适当正负极间距离及电压，保证场强在20~30V/cm，直流电泳5~10min，电泳后热台烘干待用。本发明的有益效果为：1、实现碳纳米管在石墨电极上镶嵌，并且此后可以在此已修饰电极上罩上一层滤网，以防脱落。2、提高石墨电极电化学活性和体表面积，从而提高锌溴液流电池的性能。
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公开(公告)号：CN101510467B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910047989.0
申请日：2009-03-20
申请人： 华东师范大学
CPC分类号： Y02E60/13
摘要： 本发明涉及一种超级电容器极板材料及其制备方法，以微机电系统硅工艺为基础，属于电容器制作领域。一种超级电容器极板材料，结构为在硅微通道衬底层上包覆有一层氧化亚镍薄膜层。本发明所述的材料的制备方法是先采用电化学法制作硅微通道，然后以硅微通道为衬底，经表面预处理后，在无电镀镍液中沉积镍层，最后在氧气气氛中进行快速热退火，形成氧化亚镍/硅微通道复合结构材料。本发明的超级电容器极板材料，比表面积大，化学活性大，有利于电解液更好的与活性材料相接触，能获得较大的电荷存储能力、较好的电容特性，且本发明与现有的微电子加工工艺相结合，使超级电容器更容易小型化、集成化。
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