一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114582632B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202210024974.8

    申请日:2022-01-11

    IPC分类号: H01G7/06 H01G13/00 G06V20/40

    摘要: 本发明公开了一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法,其特点是在衬底上制备底电极层、铁电功能层和顶电极层组成铁电电容阵列,构建的阵列网络与目标视频的像素点一一对应,通过输入像素点对应的脉冲序列,改变铁电功能层的极化状态,探测相应的极化反转电流,根据电流值的大小得到相应的像素值,实现对视频动态信息的提取。本发明与现有技术相比具有传输过程中所需内存更小,并且处理速度快,器件结构简单,能耗低等优势,较好地模拟了某些生物如青蛙的视觉行为,促进类脑神经网络的进一步发展。

    一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口

    公开(公告)号:CN107012441B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN201710358616.X

    申请日:2017-05-19

    IPC分类号: C23C14/52

    摘要: 本发明公开了一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口,包括凝结舱、猫眼、半导体制冷器及扫动模块,所述凝结舱内设置了制冷器座、扫动模块座、扫动杆腔及风道,将半导体制冷器的导冷片设于风道内,使喇叭口周边降温,金属蒸汽则凝结在喇叭口四周,阻碍其凝结在曲面镜上。将观察孔分为猫眼孔及喇叭口两段,并将猫眼设于猫眼孔内;将扫动模块的摇杆设于凝结舱的扫动杆腔内,且摇杆上的毛刷扫刷在猫眼的曲面镜及喇叭端口上,以清除少量没有凝结在喇叭口四周且靠近曲面镜的金属蒸汽;本发明有效地提高了热蒸发镀膜仪窗口的整洁度及清晰度,使实验人员能够随时随地并且长时间地观察蒸发容器中金属熔化的情况,控制打开挡板的最佳时机,确保完成高质量的镀膜。

    一种PVDF/PMMA复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114989464A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210625387.4

    申请日:2022-06-02

    IPC分类号: C08J5/18 C08L27/16 C08L33/12

    摘要: 本发明公开了一种PVDF/PMMA复合薄膜及其制备方法,该制备方法先将PVDF、PMMA材料按照一定质量比混合,获得预混物;然后将预混物以预定的速度送入共混装置,将预混物经一个及以上的温区进行加热、搅拌呈熔融态,获得熔融共混物;将获得的熔融共混物推送到流延成膜装置,经流延成膜装置流出成膜;最后对流延形成的膜经冷却辊冷却,经收卷辊以预定转速收卷,完成PVDF/PMMA复合薄膜的制备。通过该制备方法制备的PVDF/PMMA复合薄膜具有类反铁电电滞回线,高储能密度,储能效率高的特点。采用本发明提供的PVDF/PMMA复合薄膜制备方法可高速、连续制备聚合物薄膜,具有良好的产业化前景。

    一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN114899240A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210517583.X

    申请日:2022-05-13

    摘要: 本发明公开了一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法,所述晶体管以铟作为保护层,二硫化铪作为沟道。首先,通过机械剥离法使用3M思高胶带从二硫化铪块材上剥离出二硫化铪层状材料;然后,将附着有二硫化铪材料的胶带粘到黏性凝胶膜上,通过光学显微镜观察并选择厚度合适、质地均匀的二维层状材料;接着,将其转移到硅/二氧化硅衬底上;再用热蒸发技术在二维材料表面蒸镀一层铟作为保护层,利用掩膜版蒸镀金属电极,由此制备所述的晶体管。本发明所用材料安全环保,成本低廉,不仅得到了光电性能好的微电子器件,还保护了沟道材料,达到了延长器件寿命的目的。

    一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114582632A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210024974.8

    申请日:2022-01-11

    IPC分类号: H01G7/06 H01G13/00 G06V20/40

    摘要: 本发明公开了一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法,其特点是在衬底上制备底电极层、铁电功能层和顶电极层组成铁电电容阵列,构建的阵列网络与目标视频的像素点一一对应,通过输入像素点对应的脉冲序列,改变铁电功能层的极化状态,探测相应的极化反转电流,根据电流值的大小得到相应的像素值,实现对视频动态信息的提取。本发明与现有技术相比具有传输过程中所需内存更小,并且处理速度快,器件结构简单,能耗低等优势,较好地模拟了某些生物如青蛙的视觉行为,促进类脑神经网络的进一步发展。

    背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN114520271A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202210078428.2

    申请日:2022-01-24

    摘要: 本发明公开了一种背接触界面可调控的硒硫化锑薄膜太阳能电池及制备方法,其特点是该制备方法是在玻璃/ITO/CdS/Sb2(S,Se)3/Au顶衬结构上,采用旋凃成膜的NiOx空穴传输层在Sb2(S,Se)3薄膜构建背电场,即在硒硫化锑吸收层表面旋涂一层铜掺杂NiOx纳米颗粒作为空穴传输材料。本发明与现有技术相比具有调控和优化背电极界面能级排列,降低界面复合损失等优点,通过铜掺杂NiOx空穴传输层策略,有效解决Sb2(S,Se)3半导体材料高功函数导致背接触势垒问题,提高了器件光伏性能,为高效且低成本的硒硫化锑薄膜太阳能电池制备提供了一种技术方案。

    氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN113782742A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202110948062.5

    申请日:2021-08-18

    摘要: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法,所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维,形成嵌入型结构;其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨,随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌,随后静电纺丝,再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能,优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术,与纯氧化钨负极体系相比,该电池具有更高的初始库伦效率,更优异的倍率性能和更长的循环性能。

    一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112908852A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110028416.4

    申请日:2021-01-11

    摘要: 本发明公开了一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法,其晶体管为N型氧化铟薄膜晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先在具有二氧化硅热氧化层的重掺杂硅衬底上通过溶胶凝胶法旋涂一层铪掺杂氧化铟半导体有源层,然后在150℃的加热板上预退火10 min以蒸干溶剂,再放入290℃的加热板上退火结晶30 min,最后利用掩膜版在半导体层上镀一层60 nm左右的铝作为源极和漏极,得到了具有高偏压稳定性、低亚阈值摆幅的氧化铟晶体管。本发明提升了底栅顶接触结构的氧化铟薄膜晶体管的电学性能,优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术,与传统的氧化铟晶体管相比,该晶体管具有更高的偏压稳定性和更低的亚阈值摆幅。