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公开(公告)号:CN108303704A
公开(公告)日:2018-07-20
申请号:CN201810022326.2
申请日:2018-01-10
申请人: 南京航空航天大学
摘要: 本发明公开了一种基于偏振调制的激光测量方法。本发明将线性调频微波信号通过偏振调制器调制于光载波上,产生偏振调制光信号,其中奇数阶边带信号与包含载波信号在内的偶数阶边带信号分别处于正交的两个偏振态上;然后将所述偏振调制光信号中的一侧边带去除,得到仅包含载波信号和另一侧边带的探测光信号;由于探测光信号中的光载波和一阶边带在正交的两个偏振态上,因此可同时对两路不同偏振态的回波信号分别进行处理,从而获得回波信号的延时信息和多普勒频移信息,进而得到待测物的距离和速度信息。本发明还公开了一种基于偏振调制的激光雷达。由于本发明的测距与测速是分开进行的,因此能极大地降低相位噪声,提高测量的信噪比和精确性。
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公开(公告)号:CN210958333U
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201921988057.1
申请日:2019-11-18
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H03K19/0948
摘要: 本实用新型涉及种脉冲锁存单元结构,包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元DUC组成,实现了对输入信号的锁存功能。本实用新型可广泛应用在构建锁存器的结构中,适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN218472863U
公开(公告)日:2023-02-10
申请号:CN202220864655.3
申请日:2022-04-14
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H02K1/2713 , H02K1/14 , H02K3/28
摘要: 本实用新型公开了一种基于定子全开槽结构的混合励磁电机,包括电机轴、电机转子、爪极转子和电机定子;沿电机轴依次设置有第一爪极转子、电机转子和第二爪极转子;所述第一爪极转子和第二爪极转子内部安装有电励磁绕组;所述电机转子截面为圆环状,沿转子内圈圆周均匀开设有若干永磁体槽;沿永磁体槽嵌放入条状永磁体;其中相邻的永磁体极性相反设置,每块条状永磁体沿圆周方向切向充磁;所述电机定子包括若干定子齿及对应的定子槽;所述定子齿顶部采用全开槽结构,边缘呈圆弧状;各定子齿根部与定子轭部相连;定子槽内设置有电枢绕组;本实用新型提供的混合励磁电机结构可以有效提高电机感应电动势,改善电机功率密度,改善气隙磁密,提高磁负载。
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公开(公告)号:CN210958327U
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201921993016.1
申请日:2019-11-18
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H03K19/003
摘要: 本实用新型涉及一种自恢复反相单元结构,包含第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管,实现了将输入信号反相输出的功能,同时若当输出节点OUT发生单粒子翻转时,由于第一PMOS管和第三NMOS管自身的反馈特性,输出节点OUT的值将迅速被纠正,且该反馈机制只有在自恢复反相单元输出节点受到干扰时才开启,进一步降低了构建锁存模块的硬件和功耗开销。本实用新型可广泛应用在构建锁存器的结构中,用于实现抗单粒子翻转加固的功能,本实用新型适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN210958326U
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201921987985.6
申请日:2019-11-18
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H03K19/003
摘要: 本实用新型涉及一种高可靠性可自恢复的锁存器结构,提出了一个新型的脉冲锁存单元和一个新型的自恢复反相单元的连接方式,在结构上实现了对内部节点和外部输出节点的加固,实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管,降低了锁存器的开销,提高了电路性能。本实用新型适用于高可靠性的集成电路与系统,可应用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN210899131U
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201921983900.7
申请日:2019-11-18
申请人: 南京航空航天大学
IPC分类号: H03K19/003
摘要: 本实用新型公开了一种抗辐射增强反相单元及抗单粒子翻转可自恢复锁存器,针对现有技术中存在的缺陷,本实用新型的锁存器采用了一个新型的抗辐射锁存反相单元和一个新型的抗辐射增强反相单元的连接方式,在结构上实现了对内部节点和输出节点的加固,实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管,降低了锁存器的面积和功耗开销,提高了电路性能。该锁存器适用于高可靠性的集成电路与系统,可广泛应用于对锁存器可靠性及综合开销要求较高的领域。
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