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公开(公告)号：CN103753049B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310739337.X
申请日：2013-12-27
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种Cu@Sn核壳结构高温钎料及其制备方法，所述核壳结构金属粉的成分仅有Sn、Cu两种元素，具有Sn包覆Cu颗粒的核壳结构，颗粒尺寸在1μm至20μm之间。所述金属粉与市售钎剂混合得钎料，可以用于多种基板的焊接，在回流过程中颗粒外层的Sn能够与内核的Cu反应形成Cu6Sn5，从而形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的焊缝结构，该结构能够在Sn的熔点以上便形成，形成后可以在Cu6Sn5熔点以下服役，达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单，成本低廉，实用性强，解决了目前功率器件芯片粘贴成本高，工艺温度高以及工艺时间长等问题。
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公开(公告)号：CN104117782B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410393141.4
申请日：2014-08-11
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种新颖的Cu@Sn核壳结构金属粉，以及由其制成新型预制片高温钎料，以及所述预制片用于焊盘焊接的应用，从而形成高温焊缝的方法，所述金属粉颗粒尺寸在1μm至40μm之间。所述预制片可以用于多种基板的焊接，在回流过程中，预制片内部的颗粒由于压力作用紧密接触，从而能够形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的致密焊缝结构，较钎料膏形成的焊缝质量高出很多。该结构能够在250℃作用形成，形成后可以在350℃下服役，达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单，成本低廉，实用性强，解决了目前功率器件芯片粘贴成本高，工艺温度高以及工艺时间长等问题。
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公开(公告)号：CN103273217B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310207421.7
申请日：2013-05-29
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 深圳市亿铖达工业有限公司
摘要： 本发明提供一种局部强化的高可靠性钎料及其制备方法，包括以下几个步骤：步骤A:称取无铅钎料SnAgCu0307和欲添加金属置于陶瓷坩埚中；步骤B:称取氯化钾和氯化锂盐，将两种盐混合覆盖在之前的钎料上面；步骤C:将坩埚加热，加热过程中进行氮气保护，当盐开始熔化处于固液共存态时用搅拌，使盐熔化充分完全覆盖底部钎料；步骤D:继续加热，使金属熔化并与液态钎料互溶，再保温并搅拌均匀;步骤E:停止加热把坩埚置于水中使其快冷至室温，去掉上层的盐，得到含有金属元素铝的钎料。本发明提高了低银钎料焊接的可靠性，尤其是耐热疲劳性能，更有利于其在工业生产上的推广应用。
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公开(公告)号：CN105016632A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510323673.5
申请日：2015-06-12
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开了一种低温表面活化直接键合制备石英玻璃毛细管的方法。所述方法通过湿化学法活化石英玻璃表面，采取多层玻璃堆叠直接键合的方式，在较低温度下辅以适当的压力实现石英玻璃毛细管的制备。特定尺寸的钢针被加入到模型中用于限定毛细管道的尺寸和位置，制备的毛细管孔径最小可达200μm，键合强度可达5MPa。本发明低温表面活化键合操作简单，对玻璃片表面粗糙度要求较低，而且无需洁净间以及昂贵的超高真空等离子处理设备。所述方法克服了传统方法制备毛细管道可能产生的管道塌陷，器件表面失透及内壁粗糙等问题，所制得管道内壁光滑，增大了孔道内样品的可视区域，大幅度提升芯片性能。
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公开(公告)号：CN103753049A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310739337.X
申请日：2013-12-27
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/025 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B23K35/302 , B23K35/362
摘要： 本发明提供了一种Cu@Sn核壳结构高温钎料及其制备方法，所述核壳结构金属粉的成分仅有Sn、Cu两种元素，具有Sn包覆Cu颗粒的核壳结构，颗粒尺寸在1μm至20μm之间。所述金属粉与市售钎剂混合得钎料，可以用于多种基板的焊接，在回流过程中颗粒外层的Sn能够与内核的Cu反应形成Cu6Sn5，从而形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的焊缝结构，该结构能够在Sn的熔点以上便形成，形成后可以在Cu6Sn5熔点以下服役，达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单，成本低廉，实用性强，解决了目前功率器件芯片粘贴成本高，工艺温度高以及工艺时间长等问题。
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公开(公告)号：CN107910128B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710950176.7
申请日：2017-10-13
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种氧化石墨烯自组装复合银纳米线改善柔性器件机械性能的方法，其中，银纳米线是通过多元醇还原法制备所得，氧化石墨烯通过自组装形成一定厚度的薄膜，然后通过转移与银纳米线复合在柔性板上形成柔性薄膜器件。整个过程操作简单，氧化石墨烯薄膜厚度均一，整体的复合效果明显，可实现柔性透明导电薄膜同时具有高透明度、高导电率、高稳定性的特点。该工艺操作简单，设备要求低，具有可重复性。利用此方法制备所得透明导电薄膜机械性能稳定，同时具备高透过率、高导电性能、高柔韧性及耐磨擦性，可以广泛应用于太阳能电池、柔性液晶显示器和柔性触摸屏等领域，实现企业高质量高精度生产需求。
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公开(公告)号：CN108588456B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810383165.X
申请日：2018-04-26
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种Cu‑Sn金属间化合物骨架增强相变复合材料及其制备方法，该材料内部存在连续的高熔点金属间化合物骨架结构及低熔点合金，其制备方法包括：S1制备特定尺寸的Cu和Sn基合金粉末；S2对金属粉末进行表面处理，并进行低速‑高速二次离心；S3将两种金属粉末按比例混合，得到复合合金粉末；S4经加热、复合，获得具有金属间化合物骨架结构的Cu‑Sn基相变复合材料。该复合材料中的金属间化合物骨架具有高熔点(415～640℃)、高机械强度(室温强度可达80MPa、250℃高温强度可达40MPa)和较好的导热导电性能，其成本较低、制备工艺简单，尤其适合应用于热敏感材料和电子制造领域作为热界面材料或封装材料。
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公开(公告)号：CN107335879B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201710472517.4
申请日：2017-06-21
申请人： 深圳市汉尔信电子科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开一种面阵列的封装方法，其中，包括通过熔融锡将面阵列封装用的单相Cu6Sn5焊球与焊盘连接起来的；本发明采用单相Cu6Sn5球形粉末作为焊球，在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的，焊球的高度基本不发生变化，连接过程耗时短，参与反应的Sn量比较少，冷却比较均匀，产生的应力比较小，此外，Cu6Sn5焊球能提高焊点的抗电迁移性能以及抗高温性能，完成互连后焊球形状不发生明显变化；而且在进行封装时，所用的阵列不需镀上Ni层和和Au层，大大提高了制备阵列的效率，降低成本，节约资源。
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公开(公告)号：CN106825978B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710103807.1
申请日：2017-02-24
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供了一种用于陶瓷与金属焊接的钎料及焊接方法，所述用于陶瓷与金属焊接的钎料为铋基玻璃料，所述铋基玻璃料包含的组分及其质量百分比为Bi2O3 60‑80%，B2O3 5‑20%，ZnO 7‑20%，其余为微量添加元素；所述微量添加元素包含SiO2、TiO2、MgO中的一种或几种。本发明的技术方案，基于金属与铋氧化物的化学交互作用，获得了更高的结合强度，不同于以往陶瓷与金属简单的玻璃粘结和高温烧结的连接方法，该方法简单，成本低，可操作性强，为微型器件制造提供了又一种切实可行的方法。
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公开(公告)号：CN106825998B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201710113988.6
申请日：2017-02-28
申请人： 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 上海航天设备制造总厂
IPC分类号： B23K35/40
摘要： 本发明提供了一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法：采用粒径为30nm‑60nm的表面无氧化的铜纳米颗粒，按照质量比为2:1‑5:1的比例与有机溶剂混合，经机械搅拌和行星式重力搅拌充分后，得到纳米铜焊膏。本发明进一步提供表面无氧化铜纳米颗粒的制备方法，采用本发明中的方法所制备得到的无氧化纳米铜焊膏具有比普通纳米铜焊膏以及锡铅钎料更高的导电性能和更好的力学性能。本发明中的制备方法简单实用，对环境无污染，可产业化推广应用。
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