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公开(公告)号：CN117720348A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311744310.X
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C09D5/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供了一种五元高熵铈酸盐陶瓷及其制备方法和应用，属于热障材料技术领域。本发明提供的五元高熵铈酸盐陶瓷为萤石结构，化学式为(La0.2Y0.2Gd0.2Yb0.2Lu0.2)2Ce2O7。本发明提供的五元高熵铈酸盐陶瓷在室温～1200℃的热导率为2.19～1.13W·m‑1·K‑1，无论在常温还是高温条件下均具有较低的热导率，200～350℃范围内未观察到热收缩现象，说明本发明提供的五元高熵铈酸盐陶瓷具有良好的热学性能；此外，本发明提供的五元高熵铈酸盐陶瓷在1300℃条件下CMAS腐蚀2h和12h后，反应层厚度分别仅大约为5μm和7μm，说明具有优异的高温抗CMAS腐蚀的能力。
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公开(公告)号：CN117682545A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311744315.2
申请日：2023-12-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: C01F17/241 , C01F17/10 , C09D129/04 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供了一种稀土掺杂氧化铈材料及其制备方法和应用、红外隐身涂层的制备方法，涉及红外隐身材料技术领域。本发明提供的稀土掺杂氧化铈材料为萤石结构，化学式为Ce1‑xAxO2；其中，0.1≤x≤0.3，A为Gd、Yb或Lu。本发明通过在CeO2中掺杂单一的稀土元素A(Gd、Yb或Lu)，稀土元素A固溶进CeO2的晶格中，提高了自由载流子浓度，进而减小红外发射率。实施例的结果表明，本发明提供的稀土氧化铈材料在室温3～5μm波段范围内的平均发射率为0.074～0.13，其中4～5μm波段发射率低于0.08。将本发明提供的稀土掺杂氧化铈材料用于制备红外隐身涂层，能够满足红外隐身需求。
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公开(公告)号：CN116410021A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310404479.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于陶瓷材料防护技术领域，提供了一种在陶瓷基复合材料表面制备防护涂层的方法。本发明在陶瓷基复合材料首先沉积梯度膜层，更好地解决了由于防护涂层热膨胀系数与陶瓷基复合材料不匹配、结合力差的难题；而且，梯度膜层中的SiC具有优异的高温导热性。然后，在梯度膜层上刻蚀微结构，大大提高了梯度膜层的表面积，从而增加了范德华力作用面积，进一步提高了基体和防护涂层之间的结合力；而且，微结构在刻蚀制备过程中会释放应力，减少基体微裂纹产生的概率；另外，微结构可以提高导热性，降低了热应力集中。同时，本发明在制备防护涂层前，采用磁控溅射进行同质陶瓷界面层处理，增大了界面浸润性，提高了基体和防护涂层之间的结合力。
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公开(公告)号：CN112921265B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110025994.2
申请日：2021-01-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高温抗氧化耐烧蚀硼化锆基致密涂层的制备方法，属于抗氧化耐烧蚀涂层制备技术领域。先采用喷雾造粒技术将ZrB2、SiC、TaSi2、PVA和去离子水的混合浆料进行团聚造粒，然后采用感应等离子球化技术对造粒后的粉体进行致密化处理，最后采用低压等离子喷涂技术将致密化后的粉体喷涂在C/C复合材料的表面形成ZrB2‑SiC‑TaSi2涂层。所述方法通过在ZrB2‑SiC喷涂粉体中添加TaSi2，并采用低压等离子喷涂技术制备TaSi2掺杂ZrB2‑SiC涂层，可以有效提高涂层的致密度和结合强度，从而使所制备的涂层具有更好的抗氧化耐烧蚀性能，满足C/C复合材料对抗氧化耐烧蚀涂层需面临更高温度、更长时间的服役要求。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111848139A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010589209.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高发射率LaMgAl11O19陶瓷的制备方法，属于六铝酸镧陶瓷材料制备技术领域。先将La2O3粉体、Al(OH)3粉体和Mg(OH)2粉体混合均匀，再在真空环境下通过两段变速升温以及后段升温过程中加压的方式进行热压烧结，使所制备的LaMgAl11O19陶瓷致密度高、表面无微裂纹、内部无微孔洞、物相纯净，而且在3μm～5μm红外波段的光谱发射率大于0.9，满足航天飞行器外侧热防护领域以及工业窑炉节能领域对LaMgAl11O19陶瓷的应用需求。
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公开(公告)号：CN107032788B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710417480.5
申请日：2017-06-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种亚微米级稀土锆酸盐陶瓷块体材料的制备方法，属于无机非金属材料技术领域。利用稀土元素氧化物的硝酸溶液和氧氯化锆的水溶液在过量氨水中发生的化学共沉淀反应，得到前驱体粉体；将所得的前驱体粉体进行预煅烧，再利用放电等离子烧结技术进行烧结，得到所述稀土锆酸盐陶瓷块体材料。本发明所述方法利用放电等离子烧结技术的烧结温度低、加热时间短的优势抑制晶粒长大，且致密度达到92％以上；而且该方法工艺简单，制备周期短，不用添加烧结助剂，可以得到高纯相的陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN107266128A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710569981.5
申请日：2017-07-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种硅酸盐环境障涂层及其制备方法，属于环境障涂层技术领域。本发明所述的环境障涂层的成分为硅酸盐材料，该材料具有良好的化学稳定性和抗热震性，并且有与SiCf/SiC基体较为匹配的热膨胀系数；采用该材料制备的环境障涂层内部较为致密，无贯穿裂纹和联通气孔，能够隔绝氧气和水蒸气的侵入，避免高温下SiCf/SiC基体的氧化和性能衰退。本发明采用大气等离子喷涂工艺制备硅酸盐环境障涂层，通过优化大气等离子喷涂工艺参数，可以调控环境障涂层中硅酸盐粉体的熔化状态及表面形貌，进而优化环境障涂层的性能；所述方法工艺简单，适应性强，生产效率高，适宜工业推广。
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公开(公告)号：CN1740216A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510104878.0
申请日：2005-09-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 一种聚氨酯泡沫导电化处理方法，生产工艺为：聚氨酯泡沫基体→除油→氯化亚锡和氯化钯摩尔比的盐基钯活化→还原→化学镀。其主要特征是采用氯化亚锡和氯化钯摩尔比的盐基钯活化液，对聚氨酯泡沫基体进行活化。此方法与传统工艺相比，省略了粗化和敏化工序，减少污染，节约成本。更重要的是减少泡沫基体的单丝断裂，完好的保持泡沫的原形貌，极大地增强了泡沫镍的强度和均一性，是高品质镍氢动力电池电源正负极理想的基板材料。
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