待测物理信息的获取方法、装置、计算机设备和存储介质

    公开(公告)号:CN112688687A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011426514.5

    申请日:2020-12-09

    IPC分类号: H03M1/12 G01D21/00

    摘要: 本申请涉及一种待测物理信息的获取方法、装置、计算机设备和存储介质。包括:获取目标采样增益参数;所述目标采样增益参数根据传感器采集到的预采样值确定,所述传感器具有对应的多个采样区间,各个采样区间对应不同的采样增益参数,所述目标采样增益参数为所述预采样值所属采样区间对应的参数;根据目标采样增益参数,放大输入传感器的信号,并进行数据采集,得到当前采样数字量;对所述当前采样数字量进行换算,得到对应的当前采样值,并根据所述当前采样值确定待测物理信息,实现了对增益参数的动态调整,当待测物理信息在不同范围时可以对输入信息进行不同程度的放大,能够在不更换模数转换模块的同时提高检测精度,兼顾调整成本和检测精度。

    功率测量电路、方法及装置
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111965414A

    公开(公告)日:2020-11-20

    申请号:CN202010872176.1

    申请日:2020-08-26

    IPC分类号: G01R21/06

    摘要: 本发明涉及一种功率测量电路及装置,该电路包括电场传感单元,用于测试被测对象的电场以输出第一电压信号;放大单元,连接电场传感单元,用于放大第一电压信号,并输出第二电压信号;磁场传感单元,连接放大单元,将放大单元输出的第二电压信号作为偏置电压,并用于测试被测对象产生的磁场以输出第三电压信号;处理单元,用于对第三电压信号进行处理,获得被测对象的功率。本发明的功率测量电路和装置不需要对被测对象进行停电处理,也不需要对被测对象进行加装改造,即可完被测对象的成功率测量,因此提高了功率测量的便利性,同时降低了测试成本。

    用于微型智能传感器的通信系统、方法和装置

    公开(公告)号:CN111726769A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010603273.0

    申请日:2020-06-29

    摘要: 本申请涉及一种用于微型智能传感器的通信系统、方法和装置。所述通信系统包括传感器、电力网关和电力物联网服务器;所述传感器,用于获取传感器数据,并根据蓝牙通信协议发送传感器数据至电力网关;所述电力网关,用于接收传感器数据,并对传感器数据进行协议转换,得到协议转换数据;协议转换数据适配于消息队列遥测传输协议;根据消息队列遥测传输协议,发送协议转换数据至电力物联网服务器;所述电力物联网服务器,用于接收协议转换数据,并根据协议转换数据得到电力物联网服务器的服务器接收数据。采用本方案可以使应用于微型智能传感器的通信系统具备低功耗、低延迟和较高的传输效率。

    传感器直流分量补偿方法、装置和传感器装置

    公开(公告)号:CN111665460A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN202010474126.8

    申请日:2020-05-29

    IPC分类号: G01R33/02

    摘要: 本申请涉及一种传感器直流分量补偿方法、装置和传感器装置。所述方法通过对传感器的直流分量信号进行放大,得到第一放大信号;对所述第一放大信号进行模数转换,得到数字信号。若所述数字信号不为零,则对所述数字信号进行处理,得到补偿信号,对所述补偿信号和所述直流分量进行混合及放大,得到第二放大信号,将所述第二放大信号作为所述第一放大信号,返回执行相应的步骤。本申请提供的所述传感器直流分量补偿方法可以根据不同的所述数字信号得到不同的所述补偿信号,可以对不同的传感器的所述直流分量信号实现补偿,具有较强的适用性。

    导线运行状态检测方法、系统、装置和计算机设备

    公开(公告)号:CN111426870A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010396113.3

    申请日:2020-05-12

    IPC分类号: G01R19/00

    摘要: 本申请涉及一种导线运行状态检测系统,该系统至少包括第一单轴磁场传感器、第二单轴磁场传感器、第三单轴磁场传感器和单轴电场传感器,第一单轴磁场传感器、第二单轴磁场传感器、第三单轴磁场传感器和单轴电场传感器沿同一直线共线设置,且直线与待测导线不共面,各传感器的敏感方向同向;第一单轴磁场传感器用于获取待测导线在第一单轴磁场传感器位置处产生的磁场强度;第二单轴磁场传感器用于获取待测导线在第二单轴磁场传感器位置处产生的磁场强度;第三单轴磁场传感器用于获取待测导线在第三单轴磁场传感器位置处产生的磁场强度;电场传感器用于获取待测导线在电场传感器位置处产生的电场强度。采用该系统提高了导线运行状态的检测精确度。

    异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116626115B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202310913938.1

    申请日:2023-07-25

    IPC分类号: G01N27/16

    摘要: 本申请涉及一种异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用。该异质结薄膜包括InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构,其中,在纳米棒状异质结结构中,InSbO3相对于SnS2的摩尔比为1:(0.5~2)。该异质结薄膜制备方法包括以下步骤:制备包含铟盐、锑盐和第一有机溶剂的前驱体A溶液,进行第一次水热反应,洗涤固体产物I,进行干燥和第一次烧结,生成InSbO3半导体物质;将InSbO3半导体物质与包含锡盐和含硫添加剂的前驱体B溶液进行第二次水热反应,洗涤固体产物Ⅱ并干燥,形成InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构。该异质结薄膜具有较好的气敏特性且制备方法简单。

    HCl传感器、掺杂的碳纳米管材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116609401B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202310896795.8

    申请日:2023-07-21

    IPC分类号: G01N27/12 B82Y30/00 B82Y15/00

    摘要: 本申请涉及一种HCl传感器、掺杂的碳纳米管材料、制备方法及应用。该HCl传感器包括催化膜层和气敏膜层;催化膜层包含催化剂材料,催化剂材料选自分子筛材料;该气敏膜层包含掺杂的碳纳米管材料,掺杂碳纳米管材料包含Gd2O3掺杂的CNTs材料。HCl的制备方法包括采用加热回流制备得到改性碳纳米管、水热法制备得到Gd2O3粉末,在通过球磨、微喷获得Gd2O3掺杂的CNTs,并作为气敏膜层的活性成分;将气敏膜层和催化膜层依次设置于传感器芯片上得到该HCl传感器。该HCl传感器包含催化膜层和气敏膜层,可以实现对HCl气体的低浓度检测,对HCl气体的选择性高且受水蒸气的影响小。

    输电线路电压测量方法、装置、计算机设备和存储介质

    公开(公告)号:CN117233450A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311156930.1

    申请日:2023-09-07

    IPC分类号: G01R19/00 G01R19/10

    摘要: 本申请涉及一种输电线路电压测量方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括:当待测量电压的输电线路下端的第一金属极板与第一金属极板下端的第二金属极板之间的第一导线上的第一开关闭合,且第一金属极板与第二金属极板之间的第二导线上的第二开关打开时,获取由输电线路与第一金属极板、第二金属极板、第一导线,以及地面构成的第一回路中的第一电流;第一金属极板以及第二金属极板均平行于地面;当第二开关闭合,且第一开关打开时,获取由输电线路与第一金属极板、第二金属极板、第二导线,以及地面构成的第二回路中的第二电流;基于第一电流、第二电流,得到输电线路的电压。采用本方法能够低成本地非侵入式测量输电线路电压。