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公开(公告)号：CN101622680B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200880006601.6
申请日：2008-02-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0414 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2264/101 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/4026 , B32B2307/412 , B32B2307/54 , B32B2307/702 , B32B2307/712 , B32B2307/728 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , Y10T428/14 , Y10T428/1476
Abstract: 本发明提供一种加工性良好的透明导电性膜及其制造方法。本发明的透明导电性膜是带有粘合剂层的透明导电性膜，其特征为，具有在透明塑料膜基材的一面设有无定形透明导电性薄膜的无定形透明导电性层叠体，以及在所述透明塑料膜基材的另一面隔着粘合剂层设置的至少具有薄膜基材的脱模膜，且所述脱模膜的厚度比所述无定形透明导电性层叠体的厚度厚，所述无定形透明导电性层叠体的MD方向的热收缩率与所述脱模膜的MD方向的热收缩率的差值为-0.3～0.45％。
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公开(公告)号：CN101622680A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006601.6
申请日：2008-02-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/0414 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2264/101 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/4026 , B32B2307/412 , B32B2307/54 , B32B2307/702 , B32B2307/712 , B32B2307/728 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , Y10T428/14 , Y10T428/1476
Abstract: 本发明提供一种加工性良好的透明导电性膜及其制造方法。本发明的透明导电性膜是带有粘合剂层的透明导电性膜，其特征为，具有在透明塑料膜基材的一面设有无定形透明导电性薄膜的无定形透明导电性层叠体，以及在所述透明塑料膜基材的另一面隔着粘合剂层设置的至少具有薄膜基材的脱模膜，且所述脱模膜的厚度比所述无定形透明导电性层叠体的厚度厚，所述无定形透明导电性层叠体的MD方向的热收缩率与所述脱模膜的MD方向的热收缩率的差值为-0.3～0.45％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100442083C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200580028853.5
申请日：2005-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/116 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B1/18 , G02B27/0006 , G06F3/045 , Y10S428/917 , Y10T428/24942 , Y10T428/265 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明的透明导电性膜在透明膜基材的一个侧面有硬涂层，进而在该硬涂层上有通过干法工艺形成的10～300nm厚的SiOX膜，在透明膜基材的另一个侧面有20～35nm厚的透明导电性薄膜。所述的透明导电性膜具有良好的耐湿热性，笔输入耐久性优异，在冲压加工时能抑制裂纹的产生，良好的耐湿热性，即使在高温高湿的环境下，也能抑制膨胀或卷曲的产生。
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公开(公告)号：CN1310124C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200410094694.6
申请日：2004-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制打痕造成的凹凸不平的、且在作为显示器时不出现图像的凹陷或变形等以及不降低显示质量的触摸面板用透明导电性薄膜的制造方法。是一种介由粘附剂层(44)对具有硬涂层和/或防眩层的第1薄膜(16)和具有透明导电膜的第2薄膜(62)进行层叠的透明导电性薄膜(70)的制造方法，具备：向带粘附剂层的所述第1薄膜(18)的间隔件(10)的第2面和第1薄膜(16)之间的两端部提供衬垫并同时卷绕在卷芯上而形成带粘附剂层的第1薄膜的辊体的工序，在从带粘附剂层的第1薄膜(18)的辊体开卷的同时除去间隔件(10)并从在两端部介由衬垫卷绕在卷芯上的辊体提供第2薄膜(62)而进行粘附的层叠工序。
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公开(公告)号：CN1281410C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410074916.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0042 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80-150℃，真空度为8×10-3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1-6%重量的Sn原子含量，膜厚为15-30nm，霍尔迁移率为15-28cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30-45cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3，而获得透明导电层压材料。
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公开(公告)号：CN1234754C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN00137404.4
申请日：2000-11-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , G02F1/1333
Abstract: 一种保护液晶显示器显示表面的膜，该膜包括一种聚合物膜，其弯曲应力系数k可用如下公式表示：k＝Eh3，其中E是在轴向的抗拉弹性模量(N/mm2)、h是厚度(mm)，k值不小于0.01N·mm，该膜在温度为35℃、相对湿度为80%的环境下72小时内湿气渗透的量不小于100g/m2·72hr。装配时将保护膜覆盖在液晶模块的显示表面上，并具有极优越的可操作性能。在产品发送后将保护膜撕去时的实际使用中该膜可防显示表面上出现光学色调变化(彩色阴影)。
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公开(公告)号：CN1590086A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074916.8
申请日：2004-08-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0042 , C23C14/5806
Abstract: 本发明提供用于制备透明导电层压材料的方法，该层压材料具有在包含有机聚合物模制品的衬底上的完全结晶的透明导电层。透明导电层的透明性和湿热置信度优异，比电阻不十分低，光学性质如延迟特性无变化。通过在衬底温度80－150℃，真空度为8×10－3Pa或更低的条件下溅射成膜，在包含有机聚合物模制品的衬底上形成透明导电层，以形成包含In·Sn复合氧化物的无定形透明导电层，具有占In原子和Sn原子总重量1－6％重量的Sn原子含量，膜厚为15－30nm，霍尔迁移率为15－28 cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至5×1020/cm3，在温度低于120℃下热处理该层，使其转化为完全结晶的透明导电层，其霍尔迁移率为30－45cm2/V·S，载流子密度为2×1020/cm3至7×1020/cm3，而获得透明导电层压材料。
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