公开(公告)号：CN1282362A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN98812295.2

申请日：1998-12-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明中,为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面,提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。