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公开(公告)号：CN1439748A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03116011.5
申请日：2003-03-25
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了用于发蓝光器件的Zn1－xCdxO晶体薄膜，薄膜中Cd的含量为0＜x＜0.5，其制备采用采用直流反应磁控溅射法，根据实际需要通过调节Cd的含量，可以调节Zn1－xCdxO合金薄膜禁带宽度和发光波长，发光范围从紫外光扩展到蓝光甚至绿光范围。生长的时间由所需的厚度决定。采用本发明方法生长的Zn1－xCdxO合金薄膜结晶质量良好，具有完全(002)择优取向性；并具有较好的重复性和稳定性。
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公开(公告)号：CN1400331A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02136440.0
申请日：2002-08-07
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C23C16/40
摘要： 本发明提供的固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法包括以下步骤：将衬底置于气相沉积反应室中，加热至150～700℃；以Zn的固态金属有机物作为原材料，置于反应室的石英管中，在100～400℃下升华或蒸发，成气态，并在压强为101～103Pa的生长气氛中发生分解或反应，在衬底上形成ZnO薄膜。本发明的优点是：1)采用固态源，排除了溶剂蒸气对ZnO薄膜的影响；2)真空度要求低，设备简单；3)薄膜的沉积速率快，生长效率高，适于批量生产；4)沉积得到的ZnO薄膜，显示出一种新的结晶学取向和结构特性。
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公开(公告)号：CN2617779Y
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN03230899.X
申请日：2003-04-29
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本实用新型的化学汽相沉积装置包括用闸板阀连通的生长室和进样室，生长室中有旋转的水平样品盘，其特征是在生长室的顶部设置垂直于样品盘的副气路管道，生长室的侧壁设置水平主气路管道，在副气路管道的出气口连接一锥形石英罩。工作时，主气路管道通入反应气体，副气路管道通入氢气与氮气(非反应气体)，而连接在副气路管道出气口的锥形石英罩可以约束与控制副气路的气体，使水平方向的反应气体均匀地压向样品表面，保证反应气体在衬底表面充分反应。采用本实用新型装置可以使生长室内的反应气体达到较好的层流状态，生长出厚度均匀、具有优良表面形貌的半导体薄膜样品。
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公开(公告)号：CN2666931Y
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200320107815.7
申请日：2003-11-04
申请人： 浙江大学
摘要： 本实用新型的生长氧化锌晶体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷却，在生长室设有由电机带动旋转的水平样品架、样品加热器、氧源进气管、锌源进气管和排气口。工作时，将清洗后的衬底通过进样室输送到生长室，样品生长面水平朝下固定在样品架上，输入不同的反应气体生长不同性能的晶体薄膜，同时，将经原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室，可以获厚度均匀、高质量的n型和p型ZnO半导体晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN2630257Y
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN03230900.7
申请日：2003-04-29
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本实用新型的超高真空化学气相沉积装置包括生长室、预处理室和进样室，生长室中安装有衬底片托盘和加热器，其特征是所说的生长室呈球状，加热器为中间厚、边缘薄的圆形栅栏状石墨片，中间厚部分的直径为整圆直径的50～60％，厚度为边缘厚度的1.1～1.3倍。该装置生长室中气体分布空间的有效容积大，气体在流动过程中不会出现死角，衬底温度的均匀性好，可广泛地用于低温下生长厚度均匀、具有优良表面形貌的亚微米级的单晶薄膜材料。
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公开(公告)号：CN2615867Y
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03229806.4
申请日：2003-03-25
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/872
摘要： 本实用新型的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n－ZnO膜外延层、Si3N4层和肖特基金属电极层而构成。用该原型器件制作的肖特基二极管，其反向特性较传统结构有明显提高，同时具有正向压降小，反向漏电流小，反向击穿电压大，高温稳定性好等优点。适合在高温，强辐射环境下工作，可广泛应用于微波混频，检波及高速开关电路等领域。
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公开(公告)号：CN200965888Y
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200620139640.1
申请日：2006-11-02
申请人： 浙江大学
摘要： 本实用新型公开的ZnO基发光二极管在衬底上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn1－xMgxO层、由Zn1－xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1－xMgxO/ZnO多量子阱结构层、p型Zn1－xMgxO层、p型ZnO接触层和由Zn1－xMgxO和Zn1－yMgyO交替沉积形成的多层Zn1－xMgxO/Zn1－yMgyO分布布拉格反射镜结构层，第一电极并列于n型ZnMgO层沉积在n型ZnO接触层上，第二电极并列于多层Zn1－xMgxO/Zn1－yMgyO分布布拉格反射镜结构层沉积在p型ZnO接触层上。该ZnO基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，可以有效地提高LED的发光效率。
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