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公开(公告)号：CN101671842A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910153698.X
申请日：2009-10-26
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C30B25/06 , C30B29/16 , C30B33/02 , H01L31/0296 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开的退火生长Na-N共掺p型ZnO薄膜的方法，先以Na 2 O-ZnO陶瓷靶为靶材，靶材中钠的摩尔含量为0.5％，以纯N 2 O和纯Ar为溅射气氛，采用射频反应磁控溅射法，在1Pa～5Pa压强下生长，生长结束后，将薄膜在N 2 O气氛下退火。本发明可以实现受主Na-N的实时掺杂，与施主-受主元素共掺相比，Na-N双受主元素共掺更容易形成受主或受主复合体，后续的在N 2 O保护下退火能有效地改善薄膜的电学性质和晶体质量。
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公开(公告)号：CN100582321C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710156587.5
申请日：2007-11-09
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法，首先将纯氧化锌和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧结，制得掺Na2O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，以掺Na2O的ZnO为靶材，以纯O2为生长气氛，控制O2压强15-45Pa，激光频率为1-5Hz，在衬底生长p型ZnO晶体薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂，掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良好的电学性能，重复性和稳定性。
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公开(公告)号：CN101245460A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810061237.5
申请日：2008-03-18
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C23C24/10
摘要： 本发明公开的一种Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由高纯ZnO和Nb2O5粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Nb的摩尔百分含量为0.1％～5％。将掺Nb的ZnO陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置的生长室中，生长室抽真空，在压强为0.01～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为100～600℃。本发明方法简单，电子浓度可以通过调节靶材中Nb的摩尔百分含量控制；掺杂元素来自靶材，可以实现高浓度掺杂；制得的n型ZnO透明导电薄膜具有良好的光电性能，电阻率为10－3～10－4Ωcm，可见光区域透射率为85％以上。
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公开(公告)号：CN1740366A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510060701.5
申请日：2005-09-09
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开的立方相纳米ZnMgO线材料具有c轴取向，它的组分及其摩尔百分比含量为：Zn 5～12，Mg 88～95。采用热蒸发法，以高纯氩气和空气为反应气氛，在10～20Pa压强下600～850℃下将纯Zn和纯Mg粉末混合共蒸发，蒸汽在衬底上结晶氧化制成。本发明成本低，所用设备简易，操作方便，产率较高。
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公开(公告)号：CN1207450C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03116011.5
申请日：2003-03-25
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了用于发蓝光器件的Zn1-xCdxO晶体薄膜(薄膜中Cd的含量为0＜x＜0.5)的制备方法，采用直流反应磁控溅射法，根据实际需要通过调节Cd的含量，可以调节Zn1-xCdxO合金薄膜禁带宽度和发光波长，发光范围从紫外光扩展到蓝光甚至绿光范围。生长的时间由所需的厚度决定。采用本发明方法生长的Zn1-xCdxO合金薄膜结晶质量良好，具有完全(002)择优取向性；并具有较好的重复性和稳定性。
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公开(公告)号：CN1440082A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03116008.5
申请日：2003-03-25
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/328
摘要： 本发明的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n－ZnO膜外延层、Si3N4层和肖特基金属电极层而构成。其制备方法依次包括清洗衬底；真空镀欧姆接触电极；磁控溅射生长n－ZnO外延膜层；等离子淀积Si3N4(4)，一次光刻；蒸发肖特基金属电极，二次光刻。用本发明的原型器件制作的肖特基二极管，其反向特性较传统结构有明显提高，同时具有正向压降小，反向漏电流小，反向击穿电压大，高温稳定性好等优点。适合在高温、强辐射环境下工作，可广泛应用于微波混频，检波及高速开关电路等领域。
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公开(公告)号：CN1440053A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03116007.7
申请日：2003-03-25
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/08 , C23C14/34
摘要： 本发明的p－ZnO薄膜是以N为受主掺杂源，以Al为施主掺杂源共掺杂的p－ZnO薄膜，掺杂浓度为1.8×1015cm－3－4.5＊1018cm－3。其制备方法是利用磁控溅射法，以ZnxAl1－x为靶材，(1＞x＞0.6)，掺杂浓度可以通过调节输入的含N气体和高纯O2或Ar不同分压比和靶材中Al的含量来控制，掺杂浓度可控性、稳定性好。设备简单，操作方便，Al原料丰富，价格低廉。制作成本低。本发明利用施主－受主共掺生成的N－Al－Np型ZnO薄膜表面平整，晶粒大小均匀，具有择优取向。
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公开(公告)号：CN101359706B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810120346.X
申请日：2008-08-22
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开的ZnO基多量子阱发光二极管，在衬底自下而上依次有ZnO缓冲层、n型ZnO膜层、n型Zn1-xMgxO限域层、由Zn1-xMgxO和Zn1-yCdyO交替沉积形成的Zn1-xMgxO/Zn1-yCdyO多量子阱层、Na掺杂p型Zn1-xMgxO薄膜、Na掺杂p型ZnO薄膜层和第二电极，第一电极与n型Zn1-xMgxO限域层并列并沉积在n型ZnO膜层上。本发明的ZnO基多量子阱发光二极管具有较好的晶体质量，光学性能和电学性能，发光效率高。
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公开(公告)号：CN101267010A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810060795.X
申请日：2008-04-22
申请人： 浙江大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种以NH3作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜的方法，该方法利用直流反应磁控溅射技术，以In金属为施主掺杂源，以NH3为N源并作为受主掺杂源制成的。以ZnIn二元合金为靶材，将清洗过的衬底放入直流反应磁控溅射装置的生长室中，生长室抽真空，溅射压强控制在1Pa，生长温度为400～600℃，在NH3和O2的气氛下生长；本发明方法以ZnIn二元合金为靶材，制作方法简便，耗时少，可轻易制备不同含量的靶材；掺杂浓度可以通过调节输入的反应气体的分压比、靶材中的In含量和温度来控制，掺杂浓度可控性、稳定性好；制得的ZnO薄膜表面平整，晶粒大小均匀且具有较好的择优取向，所得薄膜具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN100420053C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610154474.7
申请日：2006-11-02
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明涉及ZnO基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn1-xMgxO层、多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构层、p型Zn1-xMgxO层、p型ZnO接触层和多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层，然后采用磁控溅射法在n型ZnO接触层上沉积与n型Zn1-xMgxO层并列的第一电极，在p型ZnO接触层上沉积与多层Zn1-xMgxO/Zn1-yMgyO分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极。本发明的ZnO基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，因此可以减少由于光强度透射和吸收引起的损失，从而可以提高LED的发光效率。
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