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公开(公告)号：CN102623173B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210112199.8
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法，对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理；采用原子层沉积的方法制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极；采用原子层沉积方法沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料；采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料；采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料，从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属-绝缘体-聚合物半导体-金属的电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米层状结构，使得电容器具有大的能量密度，并易于实现阵列化。同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN103426640A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310296805.0
申请日：2013-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01G9/042
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造薄膜复合材料的方法，包括：制备氧化石墨烯分散液；将氧化石墨烯分散液还原获得石墨烯分散液；用石墨烯分散液在基板上形成石墨烯层；用硫酸盐和3,4-乙撑二氧噻吩单体溶液在石墨烯层上电化学聚合形成聚3,4-乙撑二氧噻吩层；用硫酸锰溶液在聚3,4-乙撑二氧噻吩层上电化学聚合形成二氧化锰层，从而形成石墨烯/聚3,4-乙撑二氧噻吩/二氧化锰薄膜。本发明的实施例中的制备薄膜复合材料的方法，效率高，过程简单，其制得的薄膜复合材料综合性能优异，适用于电化学电容器电极材料。
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公开(公告)号：CN103396573A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310367859.1
申请日：2013-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C08J5/18 , C08L65/00 , C08L79/04 , C08L79/02 , C08K9/00 , C08K3/04 , C08G61/12 , C08G73/06 , C08G73/02
Abstract: 本发明公开了一种复合纳米薄膜的制备方法，属于电子薄膜材料领域，首先将氧化石墨烯量子点采用LB膜的方法组装于基片上，然后将导电聚合物采用旋涂的方式沉积于氧化石墨烯量子点上，从而形成一种导电聚合物紧密包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜。本发明所提供的氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，易于实现大面积成膜，并且制备方法合理简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN103325574A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310279484.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造全钽电解电容器阴极的方法，包括：喷砂打磨全钽电解电容器的钽外壳的内表面；将氧化石墨烯加入分散溶剂中分散，获得氧化石墨烯分散液；将氧化石墨烯分散液加入钽外壳中，使其中的氧化石墨烯分散于内表面上；对分散于内表面上的氧化石墨烯进行还原处理；用电化学方法在内表面上形成氧化钌层。本发明的实施例中的方法中，通过石墨烯和氧化钌的复合，不仅可以极大的增加全钽电容器的阴极面积，增大钽电容器的有效面积，还在钽外壳上引入了赝电容，均可提高电容器的容量。
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公开(公告)号：CN103289113A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310234935.1
申请日：2013-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造有机复合介电薄膜的方法，包括：将聚偏氟乙烯和聚噻吩均匀混合，获得混合材料粉末；将混合材料粉末溶于有机溶剂中，获得有机混合溶液；将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡；加热该有机混合溶液使有机溶剂挥发，获得聚噻吩-聚偏氟乙烯有机复合介电薄膜。本发明的实施例的方法制备的有机复合介电薄膜既具有较高的介电常数，又是柔性薄膜，具有良好加工性能，同时本发明的实施例提供的方法操作简便，成本低廉，适用于薄膜电容器的生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102412016B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201110191364.9
申请日：2011-07-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体有序化阵列结构，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物有序微/纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物微/纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN102774086A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248532.8
申请日：2012-07-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: B32B17/10 , B32B9/04 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/28 , C08J5/18 , C08L39/04 , C08L65/00 , C08K5/41 , C08K5/053 , C08K5/1535 , C08K7/00 , C08K3/04
Abstract: 一种导电聚合物复合薄膜的制备方法，属于电子功能材料技术领域。首先在基底上吸附一层聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜，再在聚二甲基二烯丙基氯化铵薄膜上静电吸附一层聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）或聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）薄膜，交替重复多次可获得导电聚合物复合薄膜。本发明制备的导电聚合物复合薄膜电导率高、比容大、电化学性能好，且制备方法简单，易于操作，可应用于电池、电化学电容器等的电极。
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公开(公告)号：CN102768902A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210271955.1
申请日：2012-08-02
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01G9/15
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造有机电解质电解电容器的方法，包括：将第一金属粒子和第一金属丝压制成第一金属粒子块；将第一金属粒子块在第一温度下烧结；在烧结后的第一金属粒子块表面形成介电材料层；在介电材料层表面形成导电聚合物复合纳米材料层；在复合纳米材料层表面形成负极材料层。本发明实施例中的方法中，电容器的电解质为导电聚合物与纳米结构材料（如碳纳米管、石墨烯等）形成的复合纳米材料。导电聚合物与纳米结构材料可通过化学气相聚合沉积良好结合，可以利用纳米结构材料导电性好、比表面积大、热稳定性好的优点，形成稳定的、包覆性好的电解质材料，保证电容器的稳定工作。同时制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN102729562A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210179758.7
申请日：2012-06-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及其制备方法，属于电子功能材料技术领域。所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成；其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。制备时，首先配制聚偏氟乙烯粉末的有机溶液（体系A）；然后往体系A中加入石墨烯粉末，得到体系B；再采用超声雾化工艺，将体系B喷涂于衬底表面；最后将喷涂于衬底表面的体系B烘干，得到基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料。本发明在聚偏氟乙烯薄膜中掺入接近但不超过逾渗阈值的石墨烯，得到高出纯聚偏氟乙烯薄膜材料介电常数100%以上的复合介质薄膜材料，且保持了原有的柔韧性和易加工性；其制备方法简单、易控，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102709071A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210179910.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法，属于超级电容器技术领域。本发明采用MEMS技术将多个微型电容器集成于单一硅基片中，多个微型电容器之间通过并联（或串联后再并联）方式形成超级电容器。所有微型电容器包括一对微型凹槽，两个微型凹槽之间具有一个隔离柱，隔离柱的高度低于微型凹槽的深度；微型凹槽的槽壁沉积有金属电极层和导电聚合物薄膜；微型凹槽内部灌注电解液后密封封装。微型电容器制作过程中，在金属电极层上用简单有效的直接化学聚合导电聚合物薄膜，用以修饰电容器电极来提高微电极比容量、降低等效串联电阻。本发明提供的导电聚合物修饰的超级电容器具有比容量大、集成度高的特点，可作为各种电源或储能器件使用。
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