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公开(公告)号：CN101712734B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910234778.8
申请日：2009-11-17
Applicant: 苏州大学
IPC: C08F112/08 , C08F120/14 , C08F8/42 , C08F2/38
Abstract: 本发明涉及一种具有三阶非线性光学性能的材料，具体涉及一种含簇合物的高分子金属配合物的制备方法，包括以下步骤：(1)以甲基丙烯酸酯单体或苯乙烯衍生物单体中的一种为单体，与引发剂、链转移剂构成聚合体系，进行可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合，得到高分子聚合物；(2)以具有三阶非线性光学性能的金属配合物为起始物与步骤(1)所得高分子聚合物发生配位反应，制备得到具有三阶非线性光学性能的高分子配合物。采用本发明方法合成的新高分子配合物兼具配合物起始物(三阶非线性光学性能)和高分子配体两部分的性能，从而达到修饰或改善原配合物性能的目标，高分子金属络合物与简单掺杂的高分子/金属配合物混合物相比，减少了相分离，性能更稳定。
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公开(公告)号：CN101935054A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010221844.0
申请日：2010-07-06
Applicant: 苏州大学
IPC: C01C1/04
Abstract: 本发明属于合成氨领域，具体涉及一种催化氢气氮气制备氨的方法，在20～140℃，1～16个大气压下，以铂纳米线或铁铂纳米线为催化剂，以氮气和氢气为反应物制备氨；由于本发明采用铂纳米线或铁铂纳米线为催化剂催化氮气和氢气制备氨，可以在20～140℃，1～16个大气压下反应制备得到氨，避免了高温高压的反应条件，因此需要的反应装置简单，同时降低了能源消耗，相对现有技术更经济；并且提高温度、压力可以提高氨的产率和合成速度。
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公开(公告)号：CN101863524A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010197845.6
申请日：2010-06-11
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明属于污水处理领域，具体涉及一种采用Pt纳米线作为光催化剂在太阳光照射下降解含有染料的废水的方法。具体包括以下步骤：(1)以直径小于3nm的铂纳米线为光催化剂，在待处理的含染料废水中加入光催化剂，在自然光照条件下，搅拌条件下，使光催化剂在含染料的废水中悬浮分散，催化氧化反应20～480分钟；(2)停止搅拌，铂纳米线沉入水底，排出上层处理过废水，回收光催化剂，用水冲洗2-3干净后可以重复使用。由于选用太阳光作为光源，因此具有节约能源，成本低，操作简单的优点；而且Pt纳米线光催化活性高，性能稳定，再生简单，能重复利用，不会引起二次污染，适合大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN101215355B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810019115.X
申请日：2008-01-09
Applicant: 苏州大学
IPC: C08F220/10 , C08F2/18 , C08F212/06
Abstract: 本发明公开了一种高吸油性树脂，以(甲基)丙烯酸短链酯、丙烯酸中长链酯和苯乙烯为单体，加入分散剂和表面活性剂，在交联剂、引发剂存在的条件下，通过悬浮聚合，无规共聚而得。该合成方法耗时少、可工业化，得到的高吸油性树脂吸油效率高、吸油速率快且可回收反复使用。
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公开(公告)号：CN101319073B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810022012.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米修饰高分子材料，通过配位反应合成纳米硫化物修饰的4-乙烯基吡啶单体，然后和另一种单体苯乙烯通过无规共聚合成纳米硫化物修饰的4-乙烯基吡啶-苯乙烯无规共聚物。本发明的制备方法高效、简便、降低了生产成本并且易工业化实施，并可以通过控制4-乙烯基吡啶与苯乙烯的摩尔比控制高分子共聚物中的吡啶含量，进而控制纳米修饰高分子材料中纳米粒子的含量。获得的纳米修饰高分子在氙灯光源激发下产生的荧光强度比未经纳米修饰的高分子荧光增强2～3倍，在光、电、催化等领域有着一定的应用潜能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101665678A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910182734.5
申请日：2009-09-04
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K3/00 , C07C317/34 , C07C315/04 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种电存储材料，具体公开了一种电三稳态的材料及其制备和应用，所述电三稳态材料的化学结构式如上所示；式中，所述R选自：卤素基团、硝基或甲氧基中的一种；其中，R 1 选自：C1～C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述电三稳态材料的应用，本发明成功制得三位数据存储器件，同时，本发明中所涉及的有机材料合成简单，器件制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”和“1”二位数据呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。
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公开(公告)号：CN101619115A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910181829.5
申请日：2009-07-30
Applicant: 苏州大学
IPC: C08F212/08 , C08F212/14 , C08F220/44 , C08F216/06 , C08F220/14 , C08F226/10 , C08F2/28 , C08J5/22
Abstract: 本发明公开了一种高温质子交换聚合物膜及其制备方法，所述制备方法具体包括以下步骤：将单体、离子液体、表面活性剂按重量比20～50∶15～60∶15～40混合均匀，配制成微乳液，进行微乳液聚合制备得到质子交换聚合物膜；所述单体选自：所述单体选自苯乙烯、磺化苯乙烯、α-甲基苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇、α-甲基丙烯腈、α，β，β-三氟苯乙烯、α-甲基磺化苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、乙烯基吡咯烷酮或八氟苯乙烯中的一种或两种；所述离子液体为疏水性树枝状大分子离子液体。本发明中，树状大分子离子液体以纳米尺度被分散、固定在聚合物膜中，掺杂的树状大分子离子液体不易被电池生成的水洗出，提高了质子交换膜的使用稳定性能。
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公开(公告)号：CN101338196A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810022118.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
IPC: C09K11/88 , C09K11/56 , C08L53/00 , C08F226/06 , C08F222/40 , C08F2/44
Abstract: 本发明公开了一种发光纳米复合材料及其制备，所述光电复合材料是由纳米硒化镉、纳硫化镉或纳米硫化锌中的一种修饰嵌段共聚物而得，所述嵌段共聚物选自N－苯基马来酰亚胺－4－乙烯基吡啶嵌段共聚物、N－苯基马来酰亚胺－N，N－二甲胺基丙烯酰胺嵌段共聚物或苯乙烯－4－乙烯基吡啶嵌段共聚物中的一种，由于纳米粒子引入了聚合物，从而增加了聚合物的共平面结构的稳定性和光电传导性，因此该复合材料的光致发光、电致发光和非线性光学性能相对于一般两亲性嵌段共聚物有较大改善，而且通过可逆加成—断裂链转移活性聚合方法有效控制亲水亲油段的比例，以定量调节纳米复合物的光学性能，该材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101319073A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810022012.9
申请日：2008-06-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米修饰高分子材料，通过配位反应合成纳米硫化物修饰的4－乙烯基吡啶单体，然后和另一种单体苯乙烯通过无规共聚合成纳米硫化物修饰的4－乙烯基吡啶－苯乙烯无规共聚物。本发明的制备方法高效、简便、降低了生产成本并且易工业化实施，并可以通过控制4－乙烯基吡啶与苯乙烯的摩尔比控制高分子共聚物中的吡啶含量，进而控制纳米修饰高分子材料中纳米粒子的含量。获得的纳米修饰高分子在氙灯光源激发下产生的荧光强度比未经纳米修饰的高分子荧光增强2～3倍，在光、电、催化等领域有着一定的应用潜能。
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公开(公告)号：CN100441567C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510095259.X
申请日：2005-11-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C07C255/50 , C07C69/54 , C09K11/06 , C08F20/10
Abstract: 本发明公开了一种丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯类侧链型发光聚合物，其特征在于：在聚合物的侧链上含有联苯类基团。本发明同时给出了合成该聚合物所采用的方法及反应过程中所合成的单体。本发明能利用原子转移自由基聚合方法合成一种新的侧链型发光聚合物，合成比较简便，分子量及分子量分布可控，反应条件温和，催化剂和溶剂都是易得的工业化产品，而且反应温度范围宽，可以在室温下进行，有利于工业化的进行；同时，本发明的产物可以通过改变侧链的结构而改变混合物的荧光性能。
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