一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法

    公开(公告)号:CN103018659B

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201210488457.2

    申请日:2012-11-26

    IPC分类号: G01R31/303

    摘要: 本发明涉及一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法,包括被测处理器、被测处理器I/O管脚配置系统、中心控制系统等。被测处理器I/O管脚配置系统是中心控制系统与不同处理器之间的接口,它是由现场可编程门阵列(FPGA)实现;中心控制系统负责控制整个测试系统各元件之间协调工作,并完成对测试数据的部分处理;它与上位机之间通过高速数据传输系统连接,实现与上位置之间的实时通信。该系统及方法可以实现不同类型处理器工作频率的连续可调,测试不同处理器的单粒子闩锁效应、单粒子翻转效应、单粒子瞬态效应的敏感工作频率窗口,为高频、超大规模的集成电路单粒子效应全面考核提供了平台。

    一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统

    公开(公告)号:CN103018649A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210488713.8

    申请日:2012-11-26

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统,本发明系统包括时钟相位调整模块、校验向量生成模块和延迟补偿判断模块;本发明方法中采用了一种可调节相位的时钟采集经过长线传输的信号,该采样时钟相位调整到可以使信号具有足够的前沿余量和后沿余量,准确地采集经过长线传输的信号。利用系统时钟对采样时钟采集的信号进行采集,可获得与系统时钟同步的信号。本发明解决了辐射效应测试中长线传输造成的信号延迟问题的方法,避免了因为长线数据传输而引起的辐射环境下测试系统的现场调试,且测试系统对不同测试环境的具有自适应能力。

    一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法

    公开(公告)号:CN102999666A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210488381.3

    申请日:2012-11-26

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法,设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数,实现完整的器件模型;进行半导体特性数值计算,求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程,获取器件的电学特征曲线;开展单粒子效应器件模型关键电学参数校准,使器件电学符合理论预期;所述关键电学参数包括晶体管转移特性曲线和存储器延迟特性曲线。本发明提出了基于数值计算的单粒子效应截面获取方法,可以定位单粒子效应错误的位置,可以实现器件的布线、尺寸与器件工艺参数与单粒子效应敏感性的关系,可以在设计阶段就实现单粒子效应性能的验证。