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公开(公告)号：CN102158088A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110009540.2
申请日：2011-01-17
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种全固态重复频率纳秒脉冲源，包括原边储能电容C0、半导体器件IGBT、可饱和脉变PT、第一副边储能电容C1、第二副边储能电容C2、前级磁开关MS1、后级磁开关MS2、后级储能电容C3、具有SOS效应的快恢复二极管D-sos、电阻负载Rx、串联电感L；通过磁开关和快恢复二极管D-sos的配合，产生陡前沿高压脉冲。本发明使用常见的快恢复二极管代替价格昂贵SOS器件，其在对脉冲进行陡化效果上同样表现卓越，价格低廉的小型脉冲功率电源同样具有优越的性能，可以满足绝大部分民用工业和科学研究工作需要。
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公开(公告)号：CN111473942B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010288067.5
申请日：2020-04-13
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01M9/04
摘要： 公开了基于风洞的磁流体加速系统及加速优化方法，系统中，纳秒脉冲发生器可调节参数，所述参数包括脉冲上升沿、脉宽、幅值和频率，真空腔本体配置成密封结构，加热单元设在所述真空腔本体内部以调节温度，气压控制单元经由设在所述真空腔本体的气孔连通其内部以调节气压，上电极动密封地贯通所述真空腔本体的上表面，下电极密封地贯通所述真空腔本体的下表面，上电极和下电极在所述真空腔本体内部相距预定距离形成放电间隙，所述预定距离经由调节上电极而调整，永磁体设在所述真空腔本体内部以生成可调节的磁场，所述磁场覆盖所述放电间隙以磁流体加速，电参数测量装置配置成测量放电间隙的电压电流特性。
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公开(公告)号：CN112505496A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011212903.8
申请日：2020-11-03
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种换流阀中绝缘异常的晶闸管实时诊断方法及故障预测方法，所述实时诊断方法中，采集换流阀侧交流电压波形与所述换流阀中每一个晶闸管级监视单元回传的回报信号并存储数据，换流阀定期检修时测量并记录每一个晶闸管级的阻尼电阻、阻尼电容以及静态均压电阻参数；根据系统实时运行状态信息，基于所有晶闸管级监视单元每个工频周期回传的回报信号进行分析，实时诊断换流阀中绝缘异常晶闸管位置及绝缘异常状态，本发明可实现高压换流阀绝缘异常晶闸管定位、绝缘状态劣化监测及绝缘故障预警，有助于减少设备维护工作量，并提高设备运行可靠性。
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公开(公告)号：CN110677068A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911015896.X
申请日：2019-10-23
申请人： 西安交通大学
摘要： 本公开揭示了一种高压高频波形发生器，包括多级正半桥模块和负半桥模块，所述正半桥模块与所述负半桥模块交替级联。本公开通过正、负半桥子模块交替级联，能够抑制传统半桥型MMC拓扑中因绝缘试验中不对称放电引起的输出电压偏置问题，提高了电源输出电压的稳定性，并且所需开关器件少而利于小型化，同时便于串联叠加向高电压等级扩展。
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公开(公告)号：CN109995224A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910230132.6
申请日：2019-03-25
申请人： 西安交通大学
摘要： 本公开揭示了一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块，包括：依次串联的MOSFET管M1～Mn、栅源极并联均压电阻R1，1～Rn，1、储能电容C1、栅极触发电容C2～Cn、漏源极并联均压电阻R1，2～Rn，2、外部驱动电路及负载。本公开还揭示了一种基于单外部驱动的MOSFET管串联高压模块的marx发生器。本公开一方面能较好解决传统半导体器件串联中复杂的驱动隔离问题，实现模块小型化；另一方面通过栅极触发电容交错连接，能够较好改善较多器件串联应用时器件导通的乱序问题。
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公开(公告)号：CN109900980A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910074147.8
申请日：2019-01-25
申请人： 国网四川省电力公司电力科学研究院 , 西安交通大学
摘要： 本公开揭示了一种基于高压方波脉冲激励的换流阀测试系统，包括：高压方波脉冲发生单元、第一分压单元、第二分压单元、标准阻抗、数据采集单元和试品，本公开还揭示了一种基于高压方波脉冲激励的换流阀测试方法。本公开通过采用高压方波脉冲替代传统测试系统中的正弦脉冲，能够提高测量精度；同时，利用高压方波脉冲的特性能够在测试中获取较高频域范围内的阻抗谱信息，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN105910963B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201610224569.5
申请日：2016-04-12
申请人： 西安交通大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
摘要： 本发明涉及基于第三电极添加空间电荷的金属微粒研究方法及装置，装置包括：石英玻璃密封罐体、空间电荷添加装置和旋转调距平板电极；空间电荷添加装置包括：第一旋转手柄、第二旋转手柄、旋转密封结构、滑动密封结构、开孔平板电极、金属屏蔽挡板、电荷注入电极。该空间电荷添加装置可以在不影响原有平板电极电场的情况下向腔体注入空间电荷，装置底座可进行调节。本发明可用于气体介质中金属微粒受空间电荷作用下的物理特性和电学特性等方面的研究。
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公开(公告)号：CN104931911B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510321114.0
申请日：2015-06-12
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提供一种超高频局部放电传感器的标定装置及方法，其与待标定超高频局部放电传感器相配合，包括用于提供超高频信号的信号发生器、用于接收超高频信号的信号接收器、用于消除超高频信号折反射的阻抗过渡段、用于在超高频信号传输时产生TEM波的同轴传输线、匹配阻抗和用于显示TEM波频率及幅值的示波器；阻抗过渡段有两个且均为圆锥；两个阻抗过渡段的圆锥顶部分别设有匹配阻抗及与信号发生器相连的信号接收器，两个阻抗过渡段的圆锥底部之间设有同轴传输线；同轴传输线为中空圆柱，其内壁上设有与示波器相连的待标定超高频局部放电传感器。实施本发明实施例，能够更为准确标定超高频局部放电传感器的灵敏度和带宽，并且降低了工作量。
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公开(公告)号：CN105913984B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610325824.5
申请日：2016-05-17
申请人： 西安交通大学 , 国家电网公司 , 中国电力科学研究院 , 国网山东省电力公司检修公司
IPC分类号： H01B19/04
摘要： 本发明公开了一种用辉光放电氟化处理盆式绝缘子表面的装置和方法，所述方法将盆式绝缘子清洁、烘干后，放置在一个密封腔体内，上下分别接两电极。利用真空泵对密封腔体抽真空，并向腔体内充入低气压的SF6气体。调节施加于电极上的工频电压幅值使得电极间产生SF6气体的辉光放电，利用电流表记录回路电流值，并在一定的电流幅值下，利用该辉光放电产生的等离子体对盆式绝缘子表面进行一段时间的氟化处理。本发明采用SF6辉光放电等离子体氟化处理绝缘子表面，放电电流小，电压幅值低，盆式绝缘子不会受到损伤，并可在短时内大幅提高盆式绝缘子的沿面闪络电压，具有操作简便、安全高效、成本低廉等优点。
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