公开(公告)号：CN102158088B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110009540.2

申请日：2011-01-17

申请人： 西安交通大学

发明人： 张乔根 ,  任保忠 ,  庞磊 ,  何堃 ,  刘轩东

IPC分类号： H02M3/315 ,  H02M3/07

摘要： 本发明公开了一种全固态重复频率纳秒脉冲源，包括原边储能电容C0、半导体器件IGBT、可饱和脉变PT、第一副边储能电容C1、第二副边储能电容C2、前级磁开关MS1、后级磁开关MS2、后级储能电容C3、具有SOS效应的快恢复二极管D-sos、电阻负载Rx、串联电感L；通过磁开关和快恢复二极管D-sos的配合，产生陡前沿高压脉冲。本发明使用常见的快恢复二极管代替价格昂贵SOS器件，其在对脉冲进行陡化效果上同样表现卓越，价格低廉的小型脉冲功率电源同样具有优越的性能，可以满足绝大部分民用工业和科学研究工作需要。

公开(公告)号：CN102158088A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110009540.2

申请日：2011-01-17

申请人： 西安交通大学

发明人： 张乔根 ,  任保忠 ,  庞磊 ,  何堃 ,  刘轩东

IPC分类号： H02M3/315 ,  H02M3/07

摘要： 本发明公开了一种全固态重复频率纳秒脉冲源，包括原边储能电容C0、半导体器件IGBT、可饱和脉变PT、第一副边储能电容C1、第二副边储能电容C2、前级磁开关MS1、后级磁开关MS2、后级储能电容C3、具有SOS效应的快恢复二极管D-sos、电阻负载Rx、串联电感L；通过磁开关和快恢复二极管D-sos的配合，产生陡前沿高压脉冲。本发明使用常见的快恢复二极管代替价格昂贵SOS器件，其在对脉冲进行陡化效果上同样表现卓越，价格低廉的小型脉冲功率电源同样具有优越的性能，可以满足绝大部分民用工业和科学研究工作需要。