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公开(公告)号：CN103184512B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201110447811.2
申请日：2011-12-28
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温材料(完全贴合整个夹心层)放进坩埚盖的空心层。本发明可以根据轴向温度梯度的大小确定合适保温层的厚度分布，从而实现晶体生长速率可控。
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公开(公告)号：CN103286672B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210050324.7
申请日：2012-02-29
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： B24B37/07
摘要： 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法。本发明在化学机械抛光阶段引入氧化剂，通过粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程即可使被加工的SiC晶片获得具有原子台阶表面。该抛光工艺仅使用三个工艺，大大简化了SiC单晶的抛光流程，降低了成本；且每个工艺的工艺参数固定，这样利于抛光得到晶片加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率；另外，整个工艺时长在10小时以内，较目前的主流工艺而言，大大缩短了抛光时间。
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公开(公告)号：CN103286672A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210050324.7
申请日：2012-02-29
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： B24B37/07
摘要： 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法。本发明在化学机械抛光阶段引入氧化剂，通过粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程即可使被加工的SiC晶片获得具有原子台阶表面。该抛光工艺仅使用三个工艺，大大简化了SiC单晶的抛光流程，降低了成本；且每个工艺的工艺参数固定，这样利于抛光得到晶片加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率；另外，整个工艺时长在10小时以内，较目前的主流工艺而言，大大缩短了抛光时间。
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公开(公告)号：CN102514110A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110453604.8
申请日：2011-12-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开裂，操作简便、耗时短、成本低。
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公开(公告)号：CN101805927A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010152394.4
申请日：2010-04-20
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C30B29/36
摘要： 本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：生长炉的侧壁使用多层(至少三层)结构，侧壁内具有两个以上的相互独立的空间，分别用于通冷却水和高纯惰性气体(一般是高纯氩气)，或通冷却水和抽真空。采用本发明的生长装置可以有效地将石墨坩埚和空气隔绝，避免生长过程中空气中的氮气进入石墨坩埚，有效地控制氮元素掺入生长的碳化硅晶体，得到高纯半绝缘碳化硅体单晶。
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公开(公告)号：CN118360660A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410401441.6
申请日：2024-04-03
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚及使用方法，涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括装料坩埚，装料坩埚上方设有坩埚盖，装料坩埚外壁上内设有加热腔，装料坩埚底部设有中心定位柱，中心定位柱顶部固定设有截面直径小于其的限位座，限位座上通过螺纹可拆卸设有石墨软毡，限位座位于石墨软毡上方套设有限位板，坩埚盖的中心点处设有贯穿的密闭孔，密闭孔上贯穿设有提拉杆，提拉杆底部通过螺纹连接有籽晶托，石墨软毡与限位板浸没在助溶剂中。本发明能够加快溶碳速度，提高熔体中的碳浓度，提高晶体生长速度并减少晶体内部的助熔剂夹杂，坩埚熔穿问题也能得到有效缓解，且对于将坩埚盖的打开及对生产出的碳化硅晶体取出方便，适合推广。
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公开(公告)号：CN118238043A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410529617.6
申请日：2024-04-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置，涉及晶片生长技术领域包括基座，基座上方固定设有载盘，基座后方固定设有驱动座，载盘中部通过支撑柱及多层连接机构安装有放置座，载盘位于放置座两侧固定设有支撑架，支撑架内架设有注液管，驱动座位于载盘一侧设有电机，电机的输出端通过旋转柱安装有旋转盘，旋转盘与放置座的位置相对，旋转盘底部固定设有磨砂轮，旋转盘的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛。本发明结构简单，针对于以背面镀上金属方式生产的碳化硅晶片，将其上的金属层腐蚀，对腐蚀后的金属层及其所黏连的沉积物扫落，并在金属层腐蚀后以打磨的方式对剩余沉积物清理，极大提高清理速度，适合推广。
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公开(公告)号：CN118166434A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410529615.7
申请日：2024-04-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片生长用的加热设备，具体涉及碳化硅晶片加工技术领域，包括退火箱，退火箱内固定连接有隔热板，退火箱的内腔由隔热板上下分隔成冷却腔和加热腔；还包括晶片载料结构、链条升降单元和冷却流通件；晶片载料结构的数量为一对，晶片载料结构包括支架、固定连接在支架两端且镜像设置的一对封堵座和固定连接在支架内侧的载筒；隔热板上设置有用于封堵座封堵的移料通道，载筒中设置有冷却道，且冷却道的两端延伸至载筒的外表面。本发明解决了碳化硅晶片加热的取放过程中可能会由于炉内高温造成人员皮肤的烫伤；经高温加热后的碳化硅晶片多通过自然冷却的方式降温至室温，影响对碳化硅晶片的加工效率。
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