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公开(公告)号：CN1174916C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00106211.5
申请日：2000-04-21
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888
摘要： 本发明涉及一种容易通过高密度等离子体形成经纯制的碳毫微管的方法，由该碳毫微管中已除去石墨相或碳颗粒。以1011cm-3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。碳毫微管的形成方法包括：通过等离子体沉积在基底上生长碳毫微管层直至预定的厚度；通过等离子体蚀刻纯制碳毫微管；以及重复碳毫微管的生长和纯制。在等离子体蚀刻时，使用包含卤素的气体作为源气体，例如四氟化碳气体。
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公开(公告)号：CN1530404A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028338.4
申请日：2004-02-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
摘要： 本发明公开了一种通过用可聚合的官能团，如环氧乙烷和酸酐基团对碳纳米管的表面进行改性，然后将表面改性的碳纳米管或者进行光蚀刻或者进行热固化处理来制备碳纳米管负片图案或具有互穿聚合物网络(IPN)的聚合碳纳米管复合材料的方法。通过本发明，可以很容易地在各种基材表面制备所需的碳纳米管图案，并且可以在没有其它聚合物的情况下制备硬化性能得到提高的聚合碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号：CN1479642A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01820146.6
申请日：2001-12-07
申请人： 索尼公司
CPC分类号： B82Y30/00 , B01D11/0219 , B01D11/0261 , B82Y40/00 , C01B32/17
摘要： 本发明关于用于净化碳纳米结构的回馏系统和方法，尤其是，本发明关于一种改进的索格利特萃取器和利用它净化碳纳米结构的一步法，包括单壁纳米管(SWNTs)、多壁纳米管(MWNTs)、富勒烯、内多面体的金属富勒烯、碳纳米纤维和其他含碳的纳米材料。该回馏系统和方法特别适用于净化SWNTs。
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公开(公告)号：CN1270920A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：CN00106211.5
申请日：2000-04-21
申请人： 张震 , 株式会社日进那诺泰克
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/888
摘要： 本发明涉及一种容易通过高密度等离子体形成经纯制的碳毫微管的方法,由该碳毫微管中已除去石墨相或碳颗粒。以1011cm－3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。碳毫微管的形成方法包括:通过等离子体沉积在基底上生长碳毫微管层直至预定的厚度;通过等离子体蚀刻纯制碳毫微管;以及重复碳毫微管的生长和纯制。在等离子体蚀刻时,使用包含卤素的气体作为源气体,例如四氟化碳气体。
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