公开(公告)号：CN104245577A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380013988.9

申请日：2013-03-12

申请人： 洛克希德马丁公司

发明人： 彼得·V·拜德沃斯

IPC分类号： C01B31/04

CPC分类号： C01B31/0484 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/182 ,  C01B32/194 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/888

摘要： 本文描述了在其基面上具有多个孔的石墨烯片。用于制备石墨烯片的方法可以涉及将石墨烯片与已经同氦或氩大气压等离子体接触的活化气体接触。引入的孔的尺寸和/或数量可以通过改变接触时间、相隔距离、活化气体浓度和/或等离子功率而改变。还描述了包含穿孔的石墨烯片的聚合复合物。

公开(公告)号：CN104192792A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410324459.7

申请日：2009-07-21

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 王佳平 ,  姜开利 ,  李群庆 ,  范守善

IPC分类号： B82B3/00

CPC分类号： C23C14/5813 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01F7/42 ,  C01G23/047 ,  C01G23/07 ,  C01G53/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/62259 ,  C04B35/62876 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5288 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/901

摘要： 本发明涉及一种纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一至少部分悬空设置的碳纳米管结构；向该碳纳米管结构引入反应原料；以及引发反应原料进行反应，在该碳纳米管结构表面形成纳米结构。

公开(公告)号：CN101444503B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200810242993.8

申请日：2008-12-31

申请人： 江苏大学

发明人： 余江南 ,  曹霞 ,  徐希明 ,  朱源

IPC分类号： A61K31/357 ,  A61K9/20 ,  A61K9/48 ,  A61K47/30 ,  A61P1/16

CPC分类号： A61K31/357 ,  A61K9/1617 ,  A61K9/1635 ,  A61K9/1652 ,  A61K9/2027 ,  A61K9/2054 ,  A61K9/2068 ,  A61K9/2095 ,  A61K9/4866 ,  A61K9/4875 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/906

摘要： 一种水飞蓟宾高效长效制剂，它由水飞蓟宾的固体分散体、水飞蓟宾二氧化硅纳米粒、缓释骨架材料及促释放剂组成，它们之间的质量比为：水飞蓟宾固体分散体∶载水飞蓟宾二氧化硅纳米粒∶缓释骨架材料∶促释放剂＝1∶0.5～1.25∶0.1～0.3∶0.1～0.3，其中载水飞蓟宾二氧化硅纳米粒的载药量为51.29～51.77％，水飞蓟宾固体分散体中包含聚维酮K30、大豆磷脂、丙烯酸树脂IV号，水飞蓟宾与其它辅料的质量比为：水飞蓟宾∶聚维酮K30∶大豆磷脂∶丙烯酸树脂iv号＝1∶1～3∶0.3～0.8∶0.2～0.5。本发明的SLB高效长效制剂体内半衰期延长14.8倍，MRT延长4.52倍，SLB在Beagle犬体内释药曲线显示其释放平稳，实现了72小时的长效缓释效果。本发明公开了其制法。

公开(公告)号：CN101952035A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880127037.3

申请日：2008-01-14

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 杜安·D·范斯勒 ,  托马斯·E·伍德

IPC分类号： B01J23/52 ,  B01J23/66 ,  B01J35/00 ,  B01J37/02 ,  B01J37/06

CPC分类号： B01J23/52 ,  B01J23/66 ,  B01J35/0013 ,  B01J37/0238 ,  B01J37/06 ,  C01B2203/044 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/888

摘要： 申请人公开了多功能高活性氧化催化剂和制备这种催化剂的方法。这种方法包括提供包括钛-氧和锌-氧组合物的纳米粒子，例如在其表面上具有锌-氧畴的晶体锐钛矿相二氧化钛纳米粒子，以及对所述纳米粒子进行蚀刻。所述方法还包括通过例如物理气相沉积法将催化活性金沉积在所述纳米粒子上。

公开(公告)号：CN1557016A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN02818498.X

申请日：2002-07-25

申请人： 南泰若股份有限公司

发明人： B·M·西加尔 ,  D·K·布洛克 ,  T·鲁基斯

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C23/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/81 ,  H01H1/0094 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/10 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/796 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/943 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/24917

摘要： 揭示了机电式电路，如存储单元，及其制法。所述电路包括由电导轨线和从基质表面延伸的支持构成的结构，以及由穿过电导轨线的支持悬置的纳米管带子，其中各个带子包括一个或多个纳米管。所述机电式电路元件可由具有电导轨线和支持的结构制成，其中的支持从基质表面延伸。在支持上有一层纳米管，并选择性除去纳米管层的某些部分，形成穿过电导轨线的纳米管带子。每个带子包括一个或多个纳米管。

公开(公告)号：CN1129139C

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN95115562.8

申请日：1995-08-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 德文德拉·辛格·查布拉 ,  北崎信幸 ,  迈克尔·菲利普·罗伯特

IPC分类号： G11B21/21

CPC分类号： G11B5/6005 ,  G11B5/102 ,  G11B21/16 ,  G11B21/21 ,  G11B21/24 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/932 ,  Y10T29/4903 ,  Y10T29/49041

摘要： 对于一个沿其长度方向具有凸弯度或“拱度”的滑块，一种用于将拱度顶点移向首端从而减少由拱度引起的飞越高度差异的方法及最终滑块结构。在最佳方法中，在带有对称拱度的滑块中，通过将悬架粘至滑块靠近首端处的粘接面，从而将顶点偏移。粘接过程在滑块上产生一个偏离力而具有偏移作用。另一方案是优先于轨状成形用喷砂或喷珠改变成排滑块的形状。

公开(公告)号：CN1087503C

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN97121223.6

申请日：1997-10-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： W·S·贝尔里 ,  J·福尔 ,  W·黑斯赫 ,  R·L·莫勒尔

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823456 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

摘要： 圆化场效应晶体管导电沟道的各角隅或在沟渠结构的各边缘形成凹口，其中栅氧化膜和栅极的一部分形成得使栅氧化膜和栅极有效地卷绕晶体管导电沟道的一部分。特别是这种晶体管是按亚微米设计规程制造时，栅极的几何结构使导电沟道中的电场可以无需按一定角度注入杂质加以改变就可调节角隅导电在导电沟道中的作用。这样，用简单、有效和生产率高的制造工艺就可以修整接近截止点的导电性能，使其适合特定用途，而且可以减小导通/截止阈电压。

公开(公告)号：CN1293692A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN99804037.1

申请日：1999-03-16

申请人： 陶氏化学公司

发明人： M·亚历山大 ,  P·G·杜波依斯 ,  R·J·E·G·杰罗姆 ,  M·加西亚-马蒂 ,  孙韬 ,  J·M·加西斯 ,  D·M·米拉 ,  A·库珀曼

IPC分类号： C08K3/34 ,  C08F2/44 ,  C08K7/10

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C08K7/08 ,  C08K2201/011 ,  Y10S526/902 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/897 ,  Y10S977/926 ,  C08L23/02

摘要： 本发明公开了一种为衍生自层状金属氧化物或金属氧化物盐的纳米填料粒子的分散体的纳米复合材料。该纳米复合材料优选通过下述方法制备,即首先在水中使未处理的粘土溶胀,然后除去水,形成可在非极性有机溶剂中分散的亲有机物质的粘土。然后用烷基铝氧烷处理该亲有机物质的粘土,随后用催化剂处理,形成可促进烯烃或苯乙烯类聚合以及薄片分散的复合物。该纳米复合材料可在纳米填料粒子不受剪切作用、不用进行离子交换步骤、不需要向聚烯烃或聚苯乙烯中掺入极性取代物的条件下通过烯烃或苯乙烯的原位聚合直接制得。

公开(公告)号：CN107015433A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710168787.6

申请日：2012-12-19

申请人： 分子制模股份有限公司

发明人： D·J·雷斯尼克 ,  M·N·米勒 ,  F·Y·徐

IPC分类号： G03F7/00 ,  B29D11/00

CPC分类号： B29D11/0074 ,  B29C33/3842 ,  B29C43/003 ,  B29C43/021 ,  B29C59/022 ,  B29C2033/426 ,  B29C2043/025 ,  B29C2059/023 ,  B29D11/00 ,  B29D11/00769 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  Y10S977/887 ,  Y10S977/888

摘要： 公开了用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造。描述了形成可用于图案化包括例如线栅偏振器(WGP)的大面积光学装置的大面积模板的方法。这些方法提供这种大面积装置的无缝图案化。

公开(公告)号：CN106794985A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480079794.3

申请日：2014-06-25

申请人： 韩国标准科学研究院

发明人： 李雨 ,  申正镐

IPC分类号： B82B3/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L29/0676 ,  B82B3/00 ,  B82B3/0014 ,  B82B3/0019 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/20 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/888

摘要： 本发明涉及一种自下而上型的制造GaAs半导体纳米线的方法，尤其是涉及一种通过使用金属薄膜从外部施加电压或电流大面积制造垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列的方法，其通过大面积制造网格型金属薄膜的经济性方法将制成的金属薄膜作为阳极(anode)，这样孔(h+)就注入到GaAs基板精，进而持续诱导湿法刻蚀。获得的大面积的垂直对齐的GaAs半导体纳米线阵列可应用于太阳能电池、晶体管或发光二极管等纳米元件的制造。本发明的GaAs半导体纳米线的直径可通过控制金属薄膜的网格尺寸来调节，纳米线的长度可通过刻蚀时间的控制、施加的电压及施加的电流来自由调整，这也同样适用于不同III‑V族半导体纳米线阵列的制造。