一种静电自组装三维花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110416501B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201910516386.4

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本发明公开一种静电自组装三维花状二硫化钴/rGO复合材料及其制备方法和应用,所述复合材料是将可溶性钴盐水溶液和硫化剂水溶液的混合溶液在150~280℃进行保温处理,将抽滤干燥后得到的三维花状二硫化钴加入聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液中搅拌,将离心洗涤后得到的带正电的花状二硫化钴加入GO水溶液中搅拌后静置,离心洗涤后冷冻干燥,在保护气氛下,将所得固体升温至500~700℃煅烧制得。本发明通过静电作用将具有三维花状的二硫化钴自组装在rGO纳米片基体上,能够有效的容纳二硫化钴在充放电过程中的体积效应,导电性能好。复合材料具有优异的充放电循环性能和倍率性能和高的首次库伦效率。

    一种自催化低介电聚酰亚胺材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112062957B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202010677168.1

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 本发明提供了一种自催化低介电聚酰亚胺材料的制备方法,包括以下步骤:将二元胺单体与二元酐单体先后溶解于有机溶剂中,其中,二元酐单体分批加入;在氮气或氩气气氛、室温环境下,经预设时间反应制得聚酰胺酸溶液;将聚酰胺酸溶液旋转涂布,得到聚酰胺酸薄膜;将聚酰胺酸薄膜在预设温度范围内经梯度亚胺化处理得到自催化低介电聚酰亚胺材料。本发明在聚酰亚胺分子结构中引入含氮六元芳杂环结构,利用氮气的孤对电子的吸引质子作用,产生催化效果,使得聚酰胺酸脱水环化过程温度需求降低。本发明在聚酰亚胺中引入大量的氟元素,可以有效降低材料介电常数。本发明制备的自催化低介电聚酰亚胺材料具备介电常数低、亚胺化温度低等特点。

    一种高耐击穿电场的锆锡酸铅厚膜陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113429203A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110825006.2

    申请日:2021-07-21

    Abstract: 本发明提供一种高耐击穿电场的锆锡酸铅厚膜陶瓷材料及其制备方法,包括以下步骤:将原料按照预设化学计量比称取放置于尼龙球磨罐并加入过量3 wt%PbO,进行球磨得到第一产物;将第一产物进行烘干过筛得到第一陶瓷粉;将第一陶瓷粉置于马弗炉中进行预烧,预烧后将玻璃粉按不同质量分数分别掺入预烧完的第一陶瓷粉中;进行第二次球磨和烘干过筛得到第二陶瓷粉;置于滚磨罐,加入分散剂和溶剂进行滚磨后得到预混浆料,加入粘结剂继续滚磨后再加入溶剂、粘结剂和塑化剂继续滚磨得到流延浆料;对流延浆料通过流延机进行流延成型,再经过温等静压和排胶烧结后得到高耐击穿电场的锆锡酸铅厚膜陶瓷材料。本发明形成高耐击穿电场和高储能密度的厚膜陶瓷。

    静电驱动热开关
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112802697A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202110156519.9

    申请日:2021-02-04

    Abstract: 本发明公开一种静电驱动热开关,包括热开关上极、热开关下极及设置在热开关上极及热开关下极之间的支撑体;热开关下极包括底层基板、设置在底层基板上的导电下电极及下极板;热开关上极包括与支撑体远离下极板的一端相连的上极板、与上极板相连的导电上电极及设置在导电上电极上的变色油墨层;底层基板、导电下电极及下极板的内部均设有导热部。本发明通过在所述底层基板、所述导电下电极及所述下极板上均嵌设有导热部,在需要对与本发明相连的器件导热时,所述导热部可以高效的将器件的热量传递到所述热开关上极,以辐射的方式与环境空间换热,实现散热的效果,且所述导电上电极上设有变色油墨层,强化热开关上极的辐射传热能力,提高散热能力。

    一种家用智能接线板
    78.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109888551B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201711279061.6

    申请日:2017-12-06

    Inventor: 王勇 王瑛

    Abstract: 本发明提供一种家用智能接线板,包括设有若干插口的接线板主体及其正面设置的防护罩;所述防护罩包括固定设置的下罩体,以及扣合在下罩体上、能够向上翻开的上罩体;所述下罩体包括左右两侧可与接线板主体固定的端部、及两端部之间的柔性连接部;在所述接线板主体上设有用于控制主线缆中电流通断的继电器。本发明具有的优点和积极效果是:本发明结构设计合理,通过设置了开合的上罩体,在常态下,可遮挡住插口,并且,开启上罩体需要一系列具有逻辑顺序的操作,具有极佳的防触电作用。另外,其智能化程度高,只有在顶杆的接触头与相应的接触型传感器相接触的情况下,才导通电源,使用安全性极大提升。

    一种低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111995752A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010676305.X

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 本发明提供了一种低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料及其制备方法,包括以下步骤:将第一二元胺单体、第二二元胺单体及二元酐单体溶解于有机溶剂中,其中二元酐单体分批加入;经过一定时间反应制得聚酰胺酸溶液;将聚酰胺酸溶液旋转涂布,得到聚酰胺酸薄膜;再预设温度范围内经梯度亚胺化处理得到低介电本征型负性光敏聚酰亚胺材料。本发明实施例引入双炔基团作为感光源,一方面实现自增感的目的,另一方面所制得的光敏聚酰亚胺材料具备可观的机械性能以及热性能。另外,在光敏聚酰亚胺中引入大量的氟元素,可以有效降低材料介电常数及吸水率,更便于使用;本发明制备方法简单,可形成厚度均匀可控的薄膜材料。

    钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111785848A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010676379.3

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,所述钙钛矿发光二极管包括依次层叠的金属电极层、电子传输层、钙钛矿蓝光材料层、空穴传输层及透明导电层;所述透明导电层包括导电膜及双层透明玻璃,所述双层透明玻璃之间设有钙钛矿红光材料层和钙钛矿绿光材料层;所述钙钛矿红光材料层和钙钛矿绿光材料层之间还设有透光隔离材料层。本发明提供的钙钛矿发光二极管具有发光波段窄、发光强度大,而且电致发光和光致发光相结合的发光特点是的器件能耗很低,对于推进PeLED的商业化进程具有重要意义。

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