反渗透膜装置的前处理方法及水处理装置

    公开(公告)号:CN107531516A

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201680026936.9

    申请日:2016-03-23

    Inventor: 远藤由彦

    Abstract: 在含氧化剂的水中添加氧化性药品进行RO膜处理时,添加还原剂来防止因残留氧化剂造成的RO膜的膜劣化,同时防止因添加的还原剂造成氧化性药品的分解,有效取得氧化性药品的水处理效果。作为还原剂使用亚硝酸和/或其盐。亚硝酸和/或其盐在还原处理氯等的残留氧化剂的同时,即使其残留有剩余部分,在实际的使用浓度下其也不与氯氨基磺酸等的氧化性药品发生氧化还原反应,不会使此类氧化性药品被还原去除而有效成分浓度降低。

    基板清洗液以及基板清洗方法

    公开(公告)号:CN104871296B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201380065148.7

    申请日:2013-10-09

    Abstract: 为了在对基板上具有氮化硅和氧化硅的基板进行清洗时用清洗液选择性地蚀刻氮化硅,将用于清洗在同一基板上具有氮化硅和氧化硅并且前述氮化硅以及前述氧化硅的一方或双方的至少一部分露出的基板的清洗液在较好地165℃以上且不到沸点的条件下与基板接触而选择性地蚀刻氮化硅,该清洗液包含磷酸、含有由电解而生成的优选浓度为1.0g/L~8.0g/L的过硫酸的电解硫酸以及水,由此在抑制氧化硅的蚀刻的同时有效地蚀刻氮化硅,良好地清洗图案线宽在37nm以下的高集成度的半导体基板。

    酸性气体稳定化处理方法和燃烧排气处理设备

    公开(公告)号:CN104107630B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201410159966.X

    申请日:2014-04-21

    Inventor: 益子光博

    Abstract: 本发明提供一种能够适当控制添加于酸性气体的性质相异的两种碱剂的添加量的酸性气体稳定化处理方法以及燃烧排气处理设备。本发明的适用酸性气体稳定化处理方法的燃烧排气处理设备具有:设于导入通路中的第二酸性气体测定装置、第一添加装置、以及第二添加装置;设于排出通路中的第一酸性气体测定装置;添加量控制装置。添加量控制装置具有:接收第一酸性气体浓度信号,并输出第一添加量信号的第一添加量算出部;接收第二酸性气体浓度信号以及第一添加量信号,并输出第二添加量信号的第二添加量算出部。第一添加装置以及第二添加装置分别基于第一添加量信号以及第二添加量信号,往在导入通路内流动的燃烧排气中添加第一碱剂以及第二碱剂。

    纯水制造装置及纯水制造方法

    公开(公告)号:CN106458651A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580031233.0

    申请日:2015-07-02

    Abstract: 一种成本优势高的纯水制造装置和纯水制造方法,在通过第二RO膜装置对第一RO膜装置的浓缩水进行处理,回收透过水的纯水制造工艺中,使用于防止系统内无机碳酸浓缩的脱碳酸装置小型化、省空间化。所述纯水制造装置具备:第一RO膜装置3,对被处理水进行RO膜处理;导入管线13,将被处理水导入至第一RO膜装置3;流出管线14,使该第一RO膜装置3的透过水流出;第二RO膜装置5,对第一RO膜装置3的浓缩水进行RO膜处理;返送管线19、20,将第二RO膜装置5的透过水返送至导入管线13。在返送管线具备对第二RO膜装置5的透过水进行脱碳酸处理的脱碳酸装置6。

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