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公开(公告)号：CN110249411A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201680090904.5
申请日：2016-12-05
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。
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公开(公告)号：CN102057470A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121999.2
申请日：2009-03-11
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C25B1/30 , H01L21/027
摘要： 本发明的目的在于高效地生成作为功能性溶液的硫酸电解液，并且在抑制通过电解生成的过硫酸的自分解的情况下将其高效地供给至使用侧。本发明是一种功能性溶液供给系统，该系统是通过电解硫酸溶液来制造功能性溶液并供给至使用侧的功能性溶液供给系统，其特征在于，该系统包括用于贮留硫酸溶液的贮留槽(2)、用于电解硫酸溶液的电解装置(电解室(3))、用于对硫酸溶液加温的加温单元(加热器(4))、用于冷却硫酸溶液的冷却单元(冷却器(4))、以及下述的3个循环管路：第一循环管路(11)，该第一循环管路(11)不经由加温单元、而是经由电解装置将从贮留槽(2)排出的硫酸溶液返回至所述贮留槽(2)；第二循环管路(12)，该第二循环管路(12)不经由加温单元、而是依次经由冷却单元和所述贮留槽(2)将从使用侧(洗涤机(1))导入的硫酸溶液返回至使用侧；第三循环管路(13)，该第三循环管路(13)不经由冷却单元和所述贮留槽(2)、而是经由加温单元(加热器(4))将从所述使用侧导入的硫酸溶液返回至所述使用侧。
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公开(公告)号：CN101061261A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200580039376.2
申请日：2005-09-14
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： C25D1/22 , C25B1/28 , B08B3/08 , H01L21/304
CPC分类号： C25B1/28 , B08B3/08 , B08B3/14 , C02F2103/346 , H01L21/67057
摘要： 在使用过硫酸的清洗系统中，过硫酸浓度足够高、可提高清洗效果，同时得到可持续清洗的清洗系统。本发明提供向清洗装置供给过硫酸的供给装置。其具备：电解反应池(10)：通过电解反应由溶液中所含的硫酸离子生成过硫酸离子，再生过硫酸溶液；循环线路(4)、(5)、(6)：使过硫酸溶液在清洗池(1)和电解反应池(10)之间循环。通过该构成可得到供给装置。通过上述构成以及以过硫酸溶液(2)作为清洗液清洗被清洗材料(30)的清洗池(1)构建清洗系统。
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公开(公告)号：CN110249411B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201680090904.5
申请日：2016-12-05
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。
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公开(公告)号：CN111032910A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880055459.8
申请日：2018-08-31
摘要： 本发明的处理装置(1)具有：在外周设置了恒温加热器(3)的处理槽(2)；从具备循环泵(5)的配管(4)接续的电解池(6)；以及从该电解池(6)向处理槽(2)供给的配管(7)。在该电解池(6)内，具备由金刚石电极构成的阳极(6A)和阴极(6B)，以及在两者之间配置的双极电极(6C)。处理槽(2)和电解池(6)中填充规定浓度的硫酸，由直流电源组件向阳极(6A)和阴极(6B)通以规定的电流，并电解硫酸，由此，生成过氧二硫酸等过硫酸溶液(S)，该过硫酸溶液(S)能够经由配管(7)供给于处理槽(2)。该处理装置(1)能够应用ABS系树脂表面的镀前处理方法，其是一种无铬、无锰的ABS系树脂表面的镀前处理方法，能够形成充分密合于ABS系树脂表面的镀敷。
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公开(公告)号：CN103765561B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280034847.0
申请日：2012-06-22
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02068 , H01L21/02057 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/67017
摘要： 本发明的课题是提供一种能够在抑制金属栅极的腐蚀的同时有效地剥离在半导体上附着的抗蚀剂的金属栅极半导体的清洗方法。具有灰化半导体上的光抗蚀剂的灰化工序(步骤s1)、和在灰化工序后使经过灰化工序的上述半导体接触含有过硫酸的硫酸溶液，从上述半导体剥离半导体上的光抗蚀剂的过硫酸清洗工序(步骤s2)。上述过硫酸清洗工序中的含有过硫酸的硫酸溶液中，过氧化氢浓度在16mM as O以下，硫酸浓度在90质量％以上96质量％以下，溶液温度在70℃以上130℃以下，过硫酸浓度在0.50mM as O以上～25mM as O以下。
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公开(公告)号：CN101061261B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580039376.2
申请日：2005-09-14
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： C25D1/22 , C25B1/28 , B08B3/08 , H01L21/304
CPC分类号： C25B1/28 , B08B3/08 , B08B3/14 , C02F2103/346 , H01L21/67057
摘要： 在使用过硫酸的清洗系统中，过硫酸浓度足够高、可提高清洗效果，同时得到可持续清洗的清洗系统。本发明提供向清洗装置供给过硫酸的供给装置。其具备：电解反应池(10)：通过电解反应由溶液中所含的硫酸离子生成过硫酸离子，再生过硫酸溶液；循环线路(4)、(5)、(6)：使过硫酸溶液在清洗池(1)和电解反应池(10)之间循环。通过该构成可得到供给装置。通过上述构成以及以过硫酸溶液(2)作为清洗液清洗被清洗材料(30)的清洗池(1)构建清洗系统。
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公开(公告)号：CN111133129A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880059526.3
申请日：2018-09-14
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 处理装置(1)具有：处理槽(2)、与配备了循环泵(5)的配管(4)连接的配备了金刚石电极的电解池(6)、以及从该电解池(6)向处理槽(2)进行供给的配管(7)。处理槽(2)及电解池(6)中填充了规定浓度的硫酸，给电解池(6)通入电流，通过对硫酸进行电解使硫酸电解从而生成过硫酸溶液(S)，经由配管(7)将该过硫酸溶液(S)供给至处理槽(2)。然后，在处理槽(2)内，作为处理对象的聚丙烯树脂板(8)在被固定于夹具(8A)的状态下悬挂在上下方向，利用过硫酸溶液S处理聚丙烯树脂板(8)。根据所述聚丙烯树脂的亲水化处理方法，能够形成与聚丙烯树脂表面充分密合的镀敷。
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公开(公告)号：CN111094634A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059921.1
申请日：2018-09-14
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 处理装置(1)具有处理槽(2)以及设置在该处理槽(2)内的阴极部件(4)和阳极部件(5)，上述阴极部件(4)和阳极部件(5)分别连接于直流电源(3)的负极和正极。在该处理装置1中，阳极部件(5)是被处理部件，其使用的是使用了钛或钛合金制薄膜制成的部件。将溶解了0.5重量％以下的氟化氢的化合物的氧化剂浓度为5g/L以上的硫酸溶液或电解硫酸液(S)装在该处理槽(2)内，以1～20A/dm2的电流密度进行电解处理。所述处理装置能够适用于由钛或钛合金薄膜来制造有100nm以下的孔的钛或钛合金的氧化薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN108884569A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022812.8
申请日：2017-03-14
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 本发明是无Cr塑料表面的处理方法，提供能够进行与塑料表面充分密合的镀覆的塑料表面的处理方法。该塑料表面的处理方法的特征在于，用对硫酸进行电解而得到的溶液对塑料进行处理。硫酸溶液的硫酸浓度为50～92wt％，过硫酸浓度为3g/L以上，处理温度优选为80℃以上例如80℃～140℃，特别优选为100℃～130℃。通过将塑料在该硫酸溶液中浸渍1～10分钟，亲水性的官能团在塑料的表面露出。
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