一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法

    公开(公告)号:CN105097439A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410221661.7

    申请日:2014-05-23

    Abstract: 本发明提供一种微米铜图形控制硅纳米线精确定位生长的方法,所述方法包括步骤:首先,提供一基板,所述基板包括硅基体和位于所述硅基体上的顶绝缘层;然后,在所述顶绝缘层表面制作微米铜图形阵列;最后,进行退火处理,所述微米铜图形阵列在退火过程中被消耗,同时控制生长的硅纳米线穿过所述顶绝缘层并精确定位在所述微米铜图形阵列的位置。本发明通过微电子加工技术在硅基体支撑的氧化硅绝缘层上制作微米铜图形阵列,再在氩气和氢气氛围中退火处理,在微米铜图形阵列处精确定位生长出硅纳米线。该方法工艺简单、效率高且结构体积小,与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性,在微电子领域、生物检测领域和太阳能电池领域有着较广的使用前景。

    面向生物分子检测的二硫化钼场效应晶体管的制作方法

    公开(公告)号:CN105021683A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510307242.X

    申请日:2015-06-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向生物分子检测的二硫化钼场效应晶体管的制作方法,包括:提供一下基板,以及对应下基板,且具有掩膜衬底、SiO2绝缘层以及半导体层的半导体衬底;刻蚀掩膜衬底,制作释放窗口;在SiO2绝缘层上方沉积金属薄膜;在结构上方制备钝化层,并刻蚀制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口;释放半导体层,得到局部悬空的SiO2绝缘层膜;在释放窗口一侧的局部悬空的SiO2绝缘层膜中央制作出盲孔;在盲孔中央制作通孔;将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上,制备电极使之与金属源极和金属漏极相连接;通过将样品底部刻蚀出的窗口浸入盐溶液当中进行施加栅极电压。本发明可重复循环使用,在微电子和生物分子检测领域有较广的前景。

    一种用于集成核磁共振磁体和探头的装置

    公开(公告)号:CN104931902A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510384852.X

    申请日:2015-06-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于集成核磁共振磁体和探头的装置,包括支撑架、固定架、永磁体、探头腔体、底座、印刷电路板架,永磁体由固定架承重,并由两侧的支撑架协助定位;固定架与支撑架通过圆滑槽孔固定,可调整永磁体的固定位置,确保安装合适;支撑架固定于底座;底座由磁体支撑部分和探头支撑部分组成;探头腔体可拆卸,用于放置核磁共振探头;印刷电路板架固定于底座,一端支撑探头腔体,另一端固定印刷电路板。本发明一种用于集成核磁共振磁体和探头的装置,无需额外的配套组件,具有适用范围广,可移动性强,组装简易快捷优点。

    一种基于单片机的核磁共振谱仪电路

    公开(公告)号:CN103267957B

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201310142690.X

    申请日:2013-04-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于单片机的核磁共振谱仪电路,包括:频率源模块、与频率源模块连接的脉冲产生与收发状态转换模块,用于接收来自频率源模块的相位差为90°的正弦信号并采用高速单片机控制模拟开关的通断以产生多种脉冲序列的高频脉冲激励信号,同时采用高速单片机控制模拟开关实现高频脉冲激励信号的发送和FID信号接收两种电路状态的转换。还包括与脉冲产生与收发状态转换模块连接的信号接收与处理显示模块,接收来自脉冲产生与收发状态转换模块输出的FID信号后,生成中频FID信号并传输至外部显示设备。基于以上实现方式,本发明实现一种电路拓扑结构简单,造价低廉,易于实现的小型化核磁共振谱仪电路。

    一种微型被动流量调节阀及其制作工艺

    公开(公告)号:CN104728492A

    公开(公告)日:2015-06-24

    申请号:CN201510041153.5

    申请日:2015-01-27

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: F16K99/0015 F16K99/0057 F16K2099/0074

    Abstract: 本发明公开了一种微型被动流量调节阀及其制作工艺。该阀为五层基片堆叠结构,分别是包含有旁通流道的上盖板和下盖板、具有直通收缩流道的中间薄板以及上、下弹性薄膜。流量调节原理为利用上、下弹性薄膜在上、下盖板内的旁通流道流体的压力下产生弹性变形,从而改变中间薄板内收缩流道的截面积,即改变阀的流阻来补偿压强的变化,实现输出流量恒定。该阀实现恒定流量调节所需的驱动压强小(

    一种二维平面内可控硅纳米线阵列的制作方法

    公开(公告)号:CN104505335A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410779104.7

    申请日:2014-12-16

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H01L21/02 B82Y40/00

    Abstract: 本发明提供一种二维平面内可控硅纳米线阵列的制作方法,在包括硅基体和氧化硅绝缘层的基板上,通过沉积铜纳米薄膜和刻蚀工艺,在氧化硅绝缘层表面制作铜微米带阵列;在氧化硅和铜微米带阵列表面沉积一层保护层后,刻蚀保护层得到微米通道保护层。使得铜微米带阵列的一端在微米通道保护层下方;再利用刻蚀的方法刻蚀铜微米带阵列,得到包裹在微米通道保护层内的铜微米图形阵列和微米通道阵列;最后,进行退火处理,硅纳米线在铜微米图形上生长,并沿微米通道阵列开口方向向外延伸,得到在二维平面内位置和方向均可控的硅纳米线阵列。本发明工艺简单、成本低,与CMOS工艺兼容具有较好的扩展性,在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。

    一种便携式低场核磁共振集成装置

    公开(公告)号:CN104407315A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410743772.4

    申请日:2014-12-08

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种便携式低场核磁共振集成装置,包括仪器箱、永磁体、控制仪、探头、探头定位架、试样管以及显示屏,仪器箱包括上箱盖和下箱体,在上箱盖上设置有上防震垫,在下箱体上设置有下防震垫和用于放置所述控制仪、试样管以及探头的组件收纳体,永磁体由支撑板承重并固定在所述的下箱体内,在支撑板上设置有与所述永磁体侧面接触的限位翻边,在永磁体两侧还设置有用于协助定位的稳定块,在永磁体上设置有一屏蔽板,控制仪可拆卸的位于屏蔽板上,探头通过探头定位架可拆卸的连接在永磁体上。本发明集成低场核磁共振装置所需组件,无需额外的配套组件,同时也不需要改变原有低场核磁共振装置的结构,具有可移动性强,组装简易快捷的优点。

    一种大型海洋平台关联系统模块配合精度的设计方法

    公开(公告)号:CN102750423B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201210230477.X

    申请日:2012-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种大型海洋平台关联系统模块配合精度的设计方法,包括以下步骤:根据图纸和系统分布图确定安装位置点,并将关联系统划分为多个不同的模块,并根据要求确定各定位点位置度的初始允许误差范围;将具有相互作用关系的系统模块的定位点关联起来,并绘制三维空间尺寸链图,确定封闭环,写出尺寸链方程;分析各个系统装配后最后一个系统尺寸允许超差的范围;分析相互作用关系的系统在空间中定位装配后的配合精度,用船舶虚拟装配技术验证系统模块的配合性,采用尺寸超差状态下的定位点尺寸模拟装配,分析各个模块间是否发生干涉以及系统相互作用的配合精度;根据分析结果优化装配参数,修改允许超差范围。本发明具有减小系统工作中的冲击载荷的优点。

    面向机加工艺的三维工艺模型建模方法

    公开(公告)号:CN104036551A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410295671.5

    申请日:2014-06-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种面向机加工艺的三维工艺模型建模方法,该方法以工序间模型为载体,将工艺属性信息和工艺标注信息集成在所述的工序间模型上。工序间模型由制造特征体以及加工后零件模型构成,制造特征体是指加工过程所去除的材料体积,即加工的对象特征,加工后零件模型包含加工形成的新特征,工序间模型是根据制造特征体包含加工的对象特征及零件模型包含加工形成的新特征,能够表达该工序所去除的材料的几何形状特征、位置及其加工形成特征的几何形成。与现有技术相比,本发明三维工艺建模方法将工艺信息与工序模型紧密关联,在形成一个模型下,最终实现工艺信息和三维工序模型的结构化和集成化。三维工艺更改容易,适用于生产实际。

Patent Agency Ranking