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公开(公告)号：CN102590282B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210007367.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法，对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN102565143B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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公开(公告)号：CN103424057A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310399725.8
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01B5/24
Abstract: 本发明公开了一种用于测量微机电结构偏转角度的游标尺结构，该结构既可以测量顺时针偏转角，也可以测量逆时针偏转角。微机电结构偏转角测量游标尺由一维移动测量游标尺；偏转指针板；相对型电热执行器；连接一维移动测量游标尺和相对型电热执行器的水平直梁，以及连接偏转指针板和相对型电热执行器的水平直梁组成。通过电热执行器推动角度测量指针偏转并同时带动游标尺结构水平直线移动。根据游标尺的水平移动量和设计参数并由简单地数学计算得到指针所发生的角度偏转量。通过该游标尺可以测量微机电器件受驱动所产生的偏转角，也可以测量结构释放时因残余应力而产生的偏转角。
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公开(公告)号：CN103411516A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310399655.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01B5/20
Abstract: 本发明提出了一种微机电双层薄膜单元离面弯曲曲率测试结构，测量单元由左右两个相对放置的双层薄膜门型结构和测差游标组成，测差游标由左右两部分组成，双层薄膜门型结构由锚区和两根直梁组成，双层薄膜门型结构由上下两层薄膜材料叠合而成；直梁的一端与锚区连接，左边的双层薄膜门型结构的直梁另一端连接测差游标左半部分的直梁，右边的双层薄膜门型结构的直梁另一端连接测差游标右半部分的直梁。利用简单双层薄膜门型结构并配合测差游标，可以获得MEMS常用薄膜材料所构成的双层薄膜离面弯曲的曲率，并且可以推广到更多层薄膜材料情况下的测试，测量方法和参数提取的计算方法非常简单。
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公开(公告)号：CN102951593A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210395413.5
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种电热驱动调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括左移电热执行器、右移电热执行器、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、四个第一锚区和绝缘衬底，左移电热执行器与左移定齿的一端连接，左移定齿的两端分别连接在第一锚区上，右移电热执行器与右移定齿的一端连接，右移定齿的两端分别连接在第一锚区上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、四个第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、四个第二折叠梁；动齿包括质量块、动齿梳齿、两个第二锚区和两个第三折叠梁；第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在电热驱动力的驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102565143A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210003497.3
申请日：2012-01-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L22/34 , G01L5/0047
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量简便、计算方法稳定等优点。
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公开(公告)号：CN102042887B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010501549.0
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 矩形硅薄膜微机电压力传感器是一种采用矩形的P型半导体硅薄层的微机电压力传感器结构，传感器的最下层是用于密闭空腔的玻璃基片，玻璃基片之上是N型硅衬底，靠近玻璃基片的N型硅衬底背面具有矩形空腔，在矩形空腔上是硅薄膜，矩形的P型掺杂薄层覆盖整个硅薄膜，在硅片的上表面覆盖了二氧化硅层，沿着矩形的P型掺杂薄层一条直边，均匀分布连接着16个即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极。其特征在于采用矩形的P型掺杂薄层作为传感层，以矩形的P型掺杂薄层的电阻率分布随压力变化而发生变化的原理进行压力传感。
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公开(公告)号：CN101980024B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010501561.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 矩形铂金薄膜二维风速风向传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上制作发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上是二氧化硅绝缘层(103)，二氧化硅绝缘层(103)之上采用矩形的铂金薄膜(104)作为传感面，铂金电极(105)位于矩形的铂金薄膜(104)外；由发热电阻产生的热量形成矩形的铂金薄膜电阻率的初始分布，流动的空气移动了热量并导致矩形的铂金薄膜电阻率分布发生变化，利用热分布变化引起铂金薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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公开(公告)号：CN102122119A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110065443.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法是一种光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法，在保证误差不大于10％的前提下，改善了传统快速推进算法对存储空间的要求，这对于实现MEMS和IC中三维光刻过程的高精度模拟具有实用意义，a.将速度值与时间值按照科学技术法的格式压缩入同一矩阵，网格点对应NarrowBand中的位置和状态值则压缩入另一个矩阵；b.根据物理、化学模型计算出的光刻胶刻蚀反应速率矩阵与压缩后的时间速度数据矩阵占用同一空间；满足以上两个条件的快速推进算法即该视为用于光刻胶三维刻蚀过程模拟的改进快速推进方法。
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公开(公告)号：CN102081311A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010595103.9
申请日：2010-12-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 厚光刻胶背面斜入射光刻工艺的三维光强分布模拟方法，解决目前无法模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的三维光强分布的问题。采用该光强模拟方法，可以快速、精确地模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺过程中SU-8胶内部的三维光强分布。该方法利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理基于光学标量衍射理论的菲涅耳—基尔霍夫衍射积分方程，平移菲涅耳积分上下限，推出适合SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的三维光强计算模型；背面斜入射紫外光的三维光强计算模型中，综合考虑紫外光传播过程中在空气/掩模版和掩模版/SU-8胶界面的反射与折射效应，以及SU-8胶对紫外光的吸收因素，高精度地模拟SU-8胶紫外光斜入射背面光刻工艺的三维光强分布。
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