公开(公告)号：CN109564585A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049809.5

申请日：2017-09-11

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： A·C·林 ,  D·查帕利亚 ,  T·S·柴可夫斯基 ,  A·M·哈杰斯库米里什特

IPC分类号： G06F17/16

CPC分类号： G06F17/16 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0207

摘要： 公开了使用数字信号处理单元(140,142,144,146)计算点积的系统和方法，数字信号处理单元被组织成点积处理单元(100)，用于使用数字信号处理单元(140,142,144,146)的乘法器(118,120,122,123)和加法器(124,126,128,137)进行点积处理。

公开(公告)号：CN104299898B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410344850.3

申请日：2014-07-18

申请人： 辛纳普蒂克斯日本合同会社

发明人： 中村寿雄 ,  中込祐一 ,  熊谷裕弘

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/82 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0607 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体晶片、半导体IC芯片及其制造方法。一种半导体晶片，包括：每个结合有集成电路的电路集成区域(1)，和布置成分别围绕电路集成区域(1)的保护环(11)。划线区域(2)布置在每相邻的两个保护环(11)之间。元件(13)和电连接到元件(13)的衬垫(12)布置在划线区域(2)中。沟槽(15)沿对应的保护环(11)布置在衬垫(12)和对应的保护环(11)之间的半导体晶片的前表面上。沟槽(15)和衬衬垫(12)之间的距离沿着对应的保护环(11)而变化。

公开(公告)号：CN108630562A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810236412.3

申请日：2018-03-21

申请人： 马维尔国际贸易有限公司

发明人： M·雅各布斯

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01R1/07342 ,  G01R1/07378 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/2889 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34

摘要： 公开了一种用于极小节距集成电路测试的装置，包括该装置的构造和使用的方法。该装置包括：一个或多个重分布层(RDL)的衬底、多个竖直互连通路(过孔)柱、支撑衬底的材料以及保护多个过孔柱的另一材料。使用半导体晶片制作工艺来制作该装置，有效地使得该装置能够测试具有小于50um的焊盘节距间隔的一个或多个IC裸片。

公开(公告)号：CN107924910A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048805.0

申请日：2016-07-28

申请人： 英特尔公司

发明人： J·G·迈尔斯 ,  B·哈拉夫 ,  S·戈吉内尼 ,  B·J·龙

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/52 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 用于有助于与封装器件的一个或多个集成电路(IC)管芯连接的技术和机制。在实施例中，封装器件包括耦合到封装的第一侧的第一基底，以及耦合到封装的与第一侧相对的第二侧的第二基底。经由第一基底耦合到设置在封装中的一个或多个IC管芯的电路包括设置在第一基底的悬臂部分处的电路结构。悬臂部分延伸超过第一侧的边缘和第二侧的边缘中的一者或二者。在另一实施例中，设置在第二基底上的硬件接口实现封装器件够与另一器件的耦合。

公开(公告)号：CN104656292B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510116854.0

申请日：2015-03-17

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 郑尧燮 ,  边征 ,  朱金伟

IPC分类号： G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12

CPC分类号： G02F1/1309 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13458 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及制造方法、显示面板及其测试方法、显示装置，其中的阵列基板包括显示区以及至少一个绑定区，所述至少一个绑定区位于所述显示区之外；所述显示区内设置有若干条信号线，所述绑定区内设置有通过多条第一引线与多条所述信号线相连的多个接线端；所述阵列基板还包括与任意一个或多个所述绑定区对应的一个或多个测试区；所述测试区内设有多个测试端，任一所述测试区内的所述多个测试端通过多条第二引线与对应的绑定区内的所述多个接线端相连。对于传统测试方式无法进行引线开路测试的显示面板，本发明可以实现其引线开路测试。

公开(公告)号：CN107728042A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201711117894.2

申请日：2017-11-13

申请人： 睿力集成电路有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： G01R31/28 ,  H01L23/544

CPC分类号： G01R31/2851 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34

摘要： 本发明提供一种具有保护测试的集成电路及其测试方法，其中的具有保护测试的集成电路，包括芯片本体及芯片测试电路，芯片测试电路包括：保护环，环绕芯片本体的电路区，以形成非封闭环；信号源电路，连接于保护环，用于向保护环提供测试信号；以及检测点，设置于保护环上，在检测点处检测测试信号，以根据所检测的测试信号确定芯片本体是否破损。本发明的技术方案可以测试芯片是否破损以及获得发生破损的掩膜层、位置和破损程度。

公开(公告)号：CN107527828A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710122581.X

申请日：2017-03-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许明正 ,  王美珍

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01R31/2889 ,  H01L22/30 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34

摘要： 本发明提供了探针头和使用探针头测试器件的方法。该探针头包括连接至第一衬底的第一端。第一衬底配置为连接至测试头。探针头也包括第二端，该第二端具有由第一突出部分围绕的第一内部凹槽和连接至第一突出部分的第一多个探针。

公开(公告)号：CN107492520A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710421651.1

申请日：2017-06-07

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 山下阳平

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L22/34

摘要： 提供晶片的加工方法，通过探测而可靠地判别器件芯片的良好与不良，并且高效地生产器件芯片。晶片的加工方法将在由分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片加工成通过基板来支承器件的器件芯片，该器件在基板的正面上层叠有功能层并且具有多个电极，该方法至少包含如下的工序：分离槽形成工序，沿着分割预定线形成深度至少相当于该器件芯片的厚度并且不到达晶片的背面的分离槽，维持该晶片的形态；品质检查工序，通过对形成有该分离槽的该晶片的各器件的电极通电的探测来对器件的良好与不良的品质进行检查；以及背面磨削工序，在该晶片的正面上配设保护部件，对该晶片的背面进行磨削而使分离槽在背面露出从而将晶片分割成各个器件芯片。

公开(公告)号：CN107407702A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680009895.2

申请日：2016-02-05

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 李圣奎 ,  瑞提柏·瑞多席克 ,  杜杨

IPC分类号： G01R19/165 ,  G01R31/28 ,  G01R31/3185 ,  H01L21/66 ,  H01L23/48 ,  H01L23/58 ,  H01L23/64 ,  H01L27/06

CPC分类号： G01R31/2851 ,  G01R19/16533 ,  G01R31/2853 ,  G01R31/318513 ,  H01L22/14 ,  H01L22/34 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L23/647 ,  H01L27/0688

摘要： 本发明公开用于检测三维3D集成电路IC 3DIC中的硅穿孔TSV裂纹的TSV裂纹传感器以及相关方法和系统。在一个方面中，提供一种TSV裂纹传感器电路，在所述TSV裂纹传感器电路中，用于多个TSV的掺杂环以并联方式互连，使得可通过将单一电流提供到所述互连掺杂环的触点中来同时测试所有互连的TSV掺杂环。在另一方面中，提供一种TSV裂纹传感器电路，其包含一或多个冗余TSV。单独测试用于对应TSV的每一掺杂环，并且用未检测到掺杂环破裂的备用TSV替换有缺陷的TSV。此电路允许通过用备用TSV替换可能受损的TSV来修正受损的3DIC。

公开(公告)号：CN107123382A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710091645.4

申请日：2017-02-21

申请人： 硅工厂股份有限公司

发明人： 金永福 ,  李东勋 ,  全炫奎 ,  罗俊皞

IPC分类号： G09G3/00

CPC分类号： H01L22/34 ,  G01R27/205 ,  G01R31/046 ,  G01R31/2884 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0408 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/30101 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 公开一种包括接合电阻测量电路的显示驱动装置。该显示驱动装置可以包括：第一焊盘和第二焊盘，其通过导线接合至显示面板的焊盘并且被配置成提供接合电阻；和接合电阻测量电路，其被配置成：通过比较通过所述第一焊盘施加至所述接合电阻的输入电压和一个或多个预设参比电压而测量所述接合电阻。