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公开(公告)号：CN203882093U
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201420304356.X
申请日：2014-06-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本实用新型提供一种显影装置，所述显影装置至少包括：晶圆基台以及位于晶圆基台上方的清洗盘，所述清洗盘适于在所述晶圆基台上方上下移动；所述清洗盘包括朝向所述晶圆基台的第一表面，所述第一表面上均匀的分布有至少两个喷嘴和至少两个吸嘴，所述喷嘴适于朝所述晶圆基台上搁置的晶圆表面喷洒去离子水，所述吸嘴适于通过抽真空吸取所述晶圆基台上搁置的晶圆表面的液体；所述喷嘴的数量少于吸嘴。本实用新型提供的显影装置进行的清洗过程中，可以用吸嘴吸走多余的去离子水，不需要采用高速旋转的方式甩掉去离子水，避免了高速甩出晶圆表面的去离子水产生静电，以及显影残留物由于旋转经过过多的晶圆表面而造成的可能残留。
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公开(公告)号：CN203816971U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201420169763.4
申请日：2014-04-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种晶圆清洗装置，至少包括：晶圆及位于其上表面的清洁主体；穿过该清洁主体上、下表面的第一、第二通孔；位于该清洁主体上表面的第一、第二通孔一端分别连接有注水泵和抽水泵；穿过清洁主体上表面且不穿过其下表面的气体注入孔；所述气体注入孔连接有气泵；穿过清洁主体下表面且与气体注入孔贯通的环形封闭槽；该环形封闭槽围绕所述第一、第二通孔；所述清洁主体下表面与晶圆上表面之间设有空隙；由环形封闭槽围成的水平面区域与所述空隙构成的液体腔；所述第一、第二通孔另一端与所述液体腔贯通。本实用新型将所述清洁主体增加注水孔和出水孔形成液体循环系统，可以有效提高晶圆表面的清洁效果，并提高产品的制造良率。
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公开(公告)号：CN202794853U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220520555.5
申请日：2012-10-11
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本实用新型提供一种显影装置，通过添加一气吹喷嘴，用气体对涂覆在晶圆表面中心的显影液进行吹拂，使其均匀分散在晶圆表面，让晶圆中心与边缘显影的效果一致，使冲洗出的晶圆中心和边缘的光刻胶层的开口大小相同，从而降低刻蚀出晶圆衬底的关键尺寸大小均匀性的差异，进而提高晶圆的良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202003139U
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201120105160.4
申请日：2011-04-12
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/38
Abstract: 本实用新型提出一种软烘装置，包括：处理室，设有入气口；软烘气体加热器，位于所述处理室外部，并设有出气口，所述出气口连接所述处理室的入气口，输出高于常温的干燥气体。本实用新型提出的软烘装置，增加一个软烘气体加热器，为在处理室进行软烘的晶片，提供了高于常温的排气环境，使得光刻胶(PR)或底部抗反射层(BARC)或其它含有有机溶剂的旋涂材料在晶片软烘时产生的挥发物成分易于排出，不容易固着凝结在处理室顶部内表面或其排气口处，改善了球形缺陷，提高了光刻胶的性能，减少了软烘装置的维护频率，提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN204287729U
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201420812032.7
申请日：2014-12-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本实用新型提供一种用于监测曝光偏焦的测试结构，该测试结构至少包括：第一至第三测试结构；第二测试结构分布于第一测试结构的左上、左下、右上、右下四个位置；第三测试结构分布于第一测试结构的左右两侧；第三测试结构位于在所述第一测试结构同一侧的两个第二测试结构之间；第二测试结构与第一测试结构之间的距离等于第三测试结构与第一测试结构之间的距离。本实用新型的测试结构可以在生产线上用于监测正品晶圆曝光焦距的偏移，解决了现有技术中只能用显影后检测来发现由某个工艺中制程不当而使得曝光量改变的现象，从而影响光刻胶形貌以及进一步影响后续刻蚀以及产品良率的问题。有助于工程师采取控制措施而降低产品良率。
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公开(公告)号：CN203882094U
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201420304963.6
申请日：2014-06-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本实用新型提供一种显影液喷嘴组件和显影装置，所述显影液喷嘴组件至少包括：喷管，所述喷管包括上喇叭口和下喇叭口，所述上喇叭口和下喇叭口的小口相对连接；流量调节阀，所述流量调节阀包括倒锥形部和压缩件，所述压缩件与所述倒锥形部的底部相连；所述倒锥形部置于所述上喇叭口中，并适于被所述压缩件推动着在所述上喇叭口中上下移动，使所述上喇叭口和所述倒锥形部之间的空间大小发生变化。其中，所述显影液喷嘴组件中，采用上喇叭口和所述倒锥形部形成缝隙，采用朝下扩开的下喇叭口引导流出的液体。使得被喷洒液体的晶圆表面每一处都能够同时接受到液体喷洒，并且受力处处均匀。
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公开(公告)号：CN202205717U
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201120299903.6
申请日：2011-08-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本实用新型提出了一种晶圆冷却装置，用以冷却晶圆，所述晶圆冷却装置包括：支架；匀流板，固定在所述支架上，并位于所述晶圆的上方；气体喷吹元件，固定在所述支架上，并位于所述匀流板的上方。本实用新型提供的晶圆冷却装置，通过增设的气体喷吹元件向晶圆喷吹气体，不但避免了晶圆冷却之后表面残留水分，并且减少了晶圆冷却的时间，提高了晶圆冷却的效率；并且，通过气体喷吹元件下方设置的匀流板，使喷吹到晶圆表面的气流强度均匀，进而使晶圆冷却均匀。
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公开(公告)号：CN202093316U
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201120181295.9
申请日：2011-05-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G03F7/38
Abstract: 本实用新型涉及一种烘焙装置，用于光刻工艺曝光后晶圆烘焙，包括外壳；热板，设置于外壳中；散气板，固定于外壳上，所述散气板上设置有多个通气孔洞；通气管路，穿过所述外壳，一端端口位于所述散气板上方，另一端与外部气体供应源连通；气体加热装置，设置于所述外壳外的所述通气管路上。所述烘焙装置对通入烘焙装置中的气体进行预加热，并向烘焙装置中一定高温气体，通过散气板将气体分散为均匀的多气流，从而降低气体与环境温度交换幅度，使环境温度稳定均匀一致性，进而提高晶圆表面光刻胶图形的受热均匀性和一致性，提高工艺质量。
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