碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法

    公开(公告)号:CN114995572A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210697888.3

    申请日:2022-06-20

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明是关于一种碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法,涉及电子电路技术领域,方法包括:获取碳化硅MOSFET器件的正温度系数热敏器件的采样电压或负温度系数热敏器件的采样电压,同时获取MOSFET器件驱动电路的基础电压;根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿;当进行温度补偿时,将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压,通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正,实现对去饱和保护电路的温度补偿。本发明借助热敏器件测得的电压实现温度补偿,无需额外的温度检测要求,使得电路设计较为简单,有利于集成实现。

    低压配电网剩余电流监测设备及系统

    公开(公告)号:CN212872646U

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202021173799.1

    申请日:2020-06-22

    IPC分类号: G01R19/25

    摘要: 本实用新型实施例提供一种低压配电网剩余电流监测设备及系统,属于电网设备技术领域。所述设备包括:电源电路板、传感器电路板及通信模块,传感器电路板分别与电源电路板、通信模块连接,电源电路板包括的电压采集模块将采集供电线路的输入电压提供至第一处理器,第一处理器将电压值提供至传感器电路板中的第二处理器;传感器电路板包括的B型剩余电流传感器检测供电线路的剩余电流,第二处理器当检测到存在剩余电流时,根据所获取的第一处理器提供的电压值,确定剩余电流的类型,其中,剩余电流的类型包括正弦交流型、脉动直流型及平滑直流型;通信模块将数据信息上传至服务器或控制终端,数据信息包括剩余电流的类型。