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公开(公告)号：CN107017400B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710408312.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 碳酸锰/四氧化三锰/石墨烯三元复合材料的制备方法及其应用，本发明涉及一种锂离子电池负极材料的制备方法，它要解决现有锂离子电池负极用碳酸锰/石墨烯复合材料的制备周期长，电化学性能较低的问题。制备方法：一、将石墨放入H2SO4溶液中，再加入KMnO4，温度升高到85～98℃后加入去离子水和H2O2，得到Mn/氧化石墨溶液；二、超声处理；三、加入碳酸钠溶液，调节体系的pH至9～11；四、水浴加热，过滤收集沉淀，清洗、干燥后得到碳酸锰/四氧化三锰/石墨烯三元复合材料。发明将制备氧化石墨所用到的高锰酸钾中的锰作为后续复合材料的锰源，提高原料利用率，缩短制备时间，作为锂离子电池负极材料增强了循环性能和比容量。
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公开(公告)号：CN105632585A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511014828.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01B7/0009 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B1/04 , H01B3/025 , H01B13/0036 , H01B13/06
Abstract: 本发明公开了一种SiC@SiO2同轴纳米电缆及其制备方法，所述SiC@SiO2同轴纳米电缆是一种“芯部为3C-SiC、外层为非晶态SiO2”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO2紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。SiC@SiO2同轴纳米电缆的长度可以达到厘米量级，直径可以控制在10～1000nm，其中芯部SiC直径为2～1000nm，外壳SiO2层厚1～500nm。本发明解决了SiC纳米纤维表面容易被氧化、表面形貌和结构被破坏的问题，同时解决现有制备方法复杂、成本高、产品结构难以控制和难以规模化量产等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高的优点。
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公开(公告)号：CN102417354B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110402500.4
申请日：2011-12-07
Applicant: 萝北云山碳业有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: B22F1/02 , C04B35/622 , C04B35/83
Abstract: 吸波复合粉末及其制备方法，它属于吸波材料领域。本发明的目的是为了提供吸波复合粉末及其制备方法。本发明中吸波复合粉末是由中空碳纤维与磁性粉末按100∶(0.1～50)质量比混合后依次经超声分散、抽滤、干燥和研磨制成的。本发明中吸波复合粉末的制备方法是按下述步骤进行的：按100∶(0.1～50)质量比称取中空碳纤维与磁性粉末后混合，然后超声分散5min～2h，经抽滤后干燥，研磨；即得到吸波复合粉末。本发明吸波复合粉末的密度2.2～5.0g/cm3；最低反射率为-20～-80dB，小于-10dB的吸收频带宽在2～10GH。应用在军用飞行器、舰船、导弹等军事领域。
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公开(公告)号：CN103387407A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310308748.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/622
Abstract: 一种用于高速列车受电弓滑板碳/碳-石墨复合材料的制备方法，它涉及一种碳/碳-石墨复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的碳/碳复合材料存在力学性能差、导电性弱的问题。本发明的具体操作步骤为：一、制备石墨悬浊液；二、制备石墨预制体；三、沥青的浸渍-炭化致密化。本发明的优点：一、提高了碳滑板的力学性能；二、降低了碳滑板的电阻率，导电性增大；三、减小了对接触网的损害，降低了电弧磨损。本发明制备的碳/碳-石墨复合材料主要用于高速列车受电弓滑板材料。
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公开(公告)号：CN103387220A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310313648.X
申请日：2013-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 一种可持续高产碳微米管的制备方法，它涉及可持续高产碳微米管的制备方法。本发明要解决现有方法制备出的碳微米管产量低的问题。本发明的方法为：一、将装有乙二醇和尿素混合物的石墨坩埚放入气压烧结炉中，抽真空；二、向气压烧结炉中充入高纯氮气或氩气；三、气压烧结炉温度升至900℃～1500℃时，保温30min～120min；四、向气压烧结炉中通入甲烷或甲烷和氨气的混合气体，保温后待气压烧结炉冷却至室温，得到碳微米管。本发明能够通过原料的持续加入保证制备碳微米管反应的持续进行，并且制备的碳微米管产量高。本发明用于碳微米管的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103342982A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310316985.4
申请日：2013-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 一种空心球形四氧化三铁/石墨烯复合吸波材料及其制备方法。本发明要解决目前二次复合空心的四氧化三铁和石墨烯的方法存在操作复杂，并且易出现石墨烯团聚的问题。一种空心球形四氧化三铁/石墨烯复合吸波材料是以石墨烯为基体，负载空心球形四氧化三铁制备而成的；方法：一、液态均匀混合；二、原位形核生长。本发明由于制备复合材料是在一步反应中完成的，从而减少了引入到最终材料中的污染，同时一步法也能够阻止石墨烯片层的团聚。本发明用于制备的空心球形四氧化三铁/石墨烯复合吸波材料。
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公开(公告)号：CN101845711B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010204482.4
申请日：2010-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法，涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成，厚度0.2~50mm，单根长度为50微米至5厘米。方法：凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体，然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料，再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉，在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端，作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀，复合材料性能提高。方法简单，制备周期短，大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。
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公开(公告)号：CN102509752A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110348376.8
申请日：2011-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/00 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 多芯片组大功率LED基板制备方法，涉及LED基板制备方法。解决现有LED器件在LED金属封装中热膨胀系数不匹配、高分子绝缘层的热导率较低，从而导致LED失效等问题。它以聚碳硅烷、氮化铝粉体、氧化钇为原料，在玛瑙球磨罐中与二甲苯或四氢呋喃进行球磨混合，获得混合浆料后悬涂在洁净的钨铜合金表面并进行干燥；置于铜片表面在真空管式炉中进行热处理后冷却至室温，即获得本发明的多芯片组大功率LED基板。本发明制备的多芯片组大功率LED基板绝缘性能高、热导率高、热膨胀系数与半导体材料相匹配，并且可以简化LED封装结构。本发明适用于多芯片组大功率LED基板的制备。
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公开(公告)号：CN101948480B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010290358.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07F5/05 , C08G73/02 , C04B35/583
Abstract: 氮化硼陶瓷纤维有机先驱体及其制备方法，它涉及氮化硼陶瓷有机先驱体及其制备方法。本发明解决了现有的以三氯硼吖嗪和苯胺制备的氮化硼陶瓷材料有机先驱体分子量低，在纺丝过程中成丝性差的问题。本发明的氮化硼陶瓷纤维有机先驱体的结构式为其中n是10～13的整数。制备方法：将三氯硼吖嗪和烯丙基胺加入到甲苯中搅拌，然后过滤，得到的滤液在60℃～90℃回流，再减压蒸馏脱除甲苯后，最后在烘箱中加热处理，得到氮化硼陶瓷纤维有机先驱体。氮化硼陶瓷纤维有机先驱体数均分子量为2000～2750，可熔融纺丝，操作方便，成丝性好，经热处理后得到纯净且结晶良好的六方结构的氮化硼纤维，可用于制备氮化硼纤维。
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公开(公告)号：CN101597058B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910072347.6
申请日：2009-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法，它涉及了一种提高SiC纳米纤维产率的方法。本发明解决了现有SiC纳米线制备方法存在产率低的缺陷以及硼酸未被应用到SiC纳米线生产领域的问题。本发明应用硼酸提高SiC纳米线产率的方法按照如下步骤进行：一、将蔗糖与硅溶胶混合，再将硼酸加入到混合液中，干燥，得到干凝胶；二、将步骤一得到的干凝胶置入管式炉中，通入氮气，升温，保温，即得凝胶粉末；三、球磨3h，加入无水乙醇，气氛烧结炉，冷却至室温；即得到呈羊毛毡状的SiC纳米线毛层。本发明在纳米线生产中应用硼酸，应用硼酸后，SiC纳米线的产率提高了10倍以上，纤维长度达到5～6cm。
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