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公开(公告)号：CN119528608A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411725202.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种基于碳基复合材料的TaHfC‑SiC陶瓷涂层及其制备方法，属于超高温陶瓷涂层技术领域。本发明通过将TaHfC陶瓷粉体、Si粉和C粉球磨混合，得到包埋粉，然后对碳基复合材料进行包埋烧结得到基于碳基复合材料的TaHfC‑SiC陶瓷涂层，使包埋粉中的Si分别与包埋粉中的C和碳基复合材料中的C反应生成SiC，降低TaHfC和碳基复合材料之间由于热膨胀系数差别过大而开裂的风险。由本发明提供的基于碳基复合材料的TaHfC‑SiC陶瓷涂层经过氧乙炔火焰2200℃考核120s后，涂层均匀无裂痕。
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公开(公告)号：CN118495960A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410745108.7
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明属于高熵涂层技术领域，具体涉及一种高熵硼化物涂层及其制备方法和应用。本发明通过高熵化，使得涂层具有独特的金属亚晶格的无序性晶体结构，对增强抗氧化性表现出显著的效果，同时，高熵陶瓷具有多组元，能够在烧蚀后形成多元氧化物，阻止了氧化和烧蚀进一步扩散，延长了材料的使用寿命。本发明提供的高熵硼化物涂层为超高声速飞行器的热防护提供了可能。
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公开(公告)号：CN117819983A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410014240.0
申请日：2024-01-05
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种四元硼化物高熵陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷领域。本发明将HfO2、ZrO2、Ta2O5、TiO2、B和溶剂混合进行湿法球磨，得到浆料；将所述浆料依次进行真空烧结和放电等离子烧结，得到所述四元硼化物高熵陶瓷。本发明综合考虑了氧化物熔点、致密度、热膨胀系数后，设计得到Hf、Zr、Ta、Ti四种材料作为金属组元，合成四元硼化物高熵陶瓷；通过真空烧结和放电等离子烧结两步烧结，得到氧含量更低，致密度更高的四元硼化物高熵陶瓷；硼作为还原剂，相比于B4C和C作硼源和C源时有更少的杂碳引入，得到的高熵陶瓷更纯，同时不会有杂碳氧化过程中气化导致缺陷，得到了抗氧化性能优异的四元硼化物高熵陶瓷。
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公开(公告)号：CN117254102A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311422877.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及电解质技术领域，尤其涉及一种高安全固态电解质及其固态电池。本发明提供了一种固态电解质，包括以下制备原料：锂盐、有机溶剂和热固化添加剂；所述热固化添加剂包括聚合物单体和引发剂。所述固态电解质显著提升了电池的热失控触发温度的同时，也保证了与传统液态电解质电池相当的电化学性能。
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公开(公告)号：CN117126367A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310933489.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高效持久的疏冰聚氨酯及其制备方法，属于聚氨酯材料技术领域；所述疏冰聚氨酯由聚氨酯和苯甲基硅油组成，苯甲基硅油浸渍在聚氨酯中；其中，苯甲基硅油体积为疏冰聚氨酯体积的23％～41％；本发明还提供了所述疏冰聚氨酯的制备方法，通过预聚—混合两步法，先使端羟基聚丁二烯和部分甲苯2,4‑二异氰酸酯发生预聚合反应，形成聚氨酯骨架，然后加入扩链剂1,4‑丁二醇、端羟基聚丁二烯和苯甲基硅油，1,4‑丁二醇和再次加入的端羟基聚丁二烯与预聚合剩余的甲苯2,4‑二异氰酸酯继续反应，同步得到浸渍有苯甲基硅油的聚氨酯；所述疏冰聚氨酯表现出极低的冰附着强度和优异的疏冰持久性和耐磨损性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115991605A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310036832.8
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种陶瓷基复合材料，包括ZrB2、SiC和层状结构物质；所述层状结构物质为MAX或MAB；M为过渡金属元素，A为第三主族或第四主族元素，X为C或N。本发明首次提出在传统ZrB2‑SiC陶瓷中复合层状结构的MAX或MAB，所述MAX或MAB由于其特结构以及良好的抗氧化性，因此可以期待将层状结构物质复合到ZrB2‑SiC复相陶瓷材料中，可以提高材料的致密度。
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公开(公告)号：CN115926226A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310034410.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种聚二甲基硅氧烷柱阵列的恢复方法，涉及有机高分子材料技术领域。本发明将倒塌的聚二甲基硅氧烷柱阵列(PDMS柱阵列)浸没于有机溶剂中进行溶胀处理，得到溶胀聚二甲基硅氧烷柱阵列；所述有机溶剂对聚二甲基硅氧烷的溶胀率≥1.20；将所述溶胀聚二甲基硅氧烷柱阵列从有机溶剂中取出后干燥，得到恢复的聚二甲基硅氧烷柱阵列。本发明利用溶剂的溶胀效应来恢复PDMS柱阵列，对PDMS柱阵列的恢复效率高，恢复率能达到99％以上，解决了领域内PDMS柱阵列倒塌后无法有效恢复的难题；且工艺简单、能耗和成本低。本发明提供的是一种简单有效、低成本的PDMS柱阵列恢复方法，极大地提高了PDMS柱阵列的重复使用率。
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公开(公告)号：CN114507074B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210244010.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种高熵过渡‑稀土金属二硼化物陶瓷材料及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域。本发明提供了一种高熵过渡‑稀土金属二硼化物陶瓷材料，化学式为：(HfaZrbTacNbdREe)B2，其中，RE为Lu、Tm、Er、Ho和Dy中的一种且a+b+c+d+e＝1。本发明通过高熵相稳定性的特点，构建过渡金属二硼化物和稀土金属二硼化物的高熵单相结构，有效强化了晶体结构的稳定性，从而提高了高熵陶瓷的力学性能。实验结果表明，本发明提供的高熵过渡‑稀土金属二硼化物陶瓷材料的体积模量为252～260GPa，剪切模量为223～228GPa，杨氏模量为516～530GPa，硬度为37～38.5GPa。
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公开(公告)号：CN114988896A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210746040.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622 , B64C1/00
Abstract: 本发明属于涂料技术领域，具体涉及一种高发射率涂层及其应用。本发明提供了一种高发射率涂层，所述高发射率涂层的制备方法包括以下步骤：将高熵陶瓷材料造粒，得到球形高熵陶瓷材料；以球形高熵陶瓷材料为原料采用等离子喷涂法在基体表面制备高发射率涂层。本发明以高熵陶瓷材料制备高发射率涂层，通过高熵化得到的高构型熵可以稳定高熵固溶体相，促进金属元素间的相容性，从而得到在高温下稳定的单相结构，保证其在高温下不会发生相变。同时，高熵陶瓷材料的高温稳定性能使高发射率涂层的发射率在高温下保持稳定，不会随着温度的升高而显著降低。显著提高了高发射率涂层的高温稳定性进而保证高发射率涂层的高温发射率。
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公开(公告)号：CN114561114B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210317864.0
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明属于涂料技术领域，具体涉及一种涂料及其制备方法和应用。本发明提供的涂料，包括氧化物陶瓷材料和非氧化物陶瓷材料；所述非氧化物陶瓷材料中含有硅元素；所述氧化物陶瓷材料的分子式如式1所示：La1‑xAxCr1‑yMyO3式1；其中，A包括Ca和/或Sr，M包括Mg、Co和Mn中的一种或多种；0.05≤x≤0.4，0.05≤y≤0.4。本发明提供的La1‑xAxCr1‑yMyO3熔点较高，相稳定性好，在1400℃高温条件下具有良好的稳定性，在烧蚀时，La1‑xAxCr1‑yByO3会与非氧化陶瓷材料中的Si反应生成La2Si2O7，La2Si2O7在高温下呈熔融态，可对裂纹和孔洞进行填补，阻止氧的进入，提高涂层抗烧蚀能力。本发明提供的涂料可以用于制备高温环境下的防护涂层。
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