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公开(公告)号：CN119528608A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411725202.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种基于碳基复合材料的TaHfC‑SiC陶瓷涂层及其制备方法，属于超高温陶瓷涂层技术领域。本发明通过将TaHfC陶瓷粉体、Si粉和C粉球磨混合，得到包埋粉，然后对碳基复合材料进行包埋烧结得到基于碳基复合材料的TaHfC‑SiC陶瓷涂层，使包埋粉中的Si分别与包埋粉中的C和碳基复合材料中的C反应生成SiC，降低TaHfC和碳基复合材料之间由于热膨胀系数差别过大而开裂的风险。由本发明提供的基于碳基复合材料的TaHfC‑SiC陶瓷涂层经过氧乙炔火焰2200℃考核120s后，涂层均匀无裂痕。
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