公开(公告)号：CN106794989A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046513.9

申请日：2015-08-27

Applicant: 株式会社可乐丽

Inventor： 但马杏实 ,  伊泽隆文 ,  奥野壮敏 ,  岩崎秀治

IPC: C01B32/05

Abstract: 本发明涉及对在导电材料、催化剂载体和活性炭那样的多孔体等中使用的碳材料的制造而言有用的碳前体的纯化方法、和使用该碳前体的碳化物的制造方法。本发明提供源自植物的碳前体的纯化方法，通过将源自植物的碳前体浸渍于有机酸水溶液中，从而充分降低金属元素和/或非金属元素含量。

公开(公告)号：CN104641499B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201380044852.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社吴羽 ,  株式会社可乐丽 ,  可乐丽化学株式会社

Inventor： 多田靖浩 ,  海老原康志 ,  小松真友 ,  增子二朗 ,  小松肇 ,  园部直弘 ,  有马淳一 ,  小川秋水 ,  田子慎也 ,  小役丸健一 ,  岩崎秀治 ,  大塚清人

IPC: H01M4/587 ,  C01B31/02 ,  H01M4/133

CPC classification number: H01M4/587 ,  C01B32/05 ,  H01M4/133 ,  H01M2004/027 ,  H01M2220/20

Abstract: 本发明的目的在于提供：以来源于植物的炭为原料、钾元素被充分脱灰、平均粒径小的非水电解质二次电池负极用碳质材料的制造方法，以及非水电解质二次电池负极用碳质材料。所述课题可通过平均粒径为3‑30μm的非水电解质二次电池负极用碳质材料的制造方法解决，该制造方法包含以下工序：(1)将平均粒径100‑10000μm的来源于植物的炭在含有卤素化合物的非活性气体气氛中在500℃‑1250℃下进行热处理的气相脱灰工序；(2)将气相脱灰得到的碳质前体进行粉碎的工序；以及(3)将经粉碎的碳质前体在非氧化性气体气氛下在1000℃‑1600℃下进行焙烧的工序。

公开(公告)号：CN104620428A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044836.5

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社吴羽 ,  株式会社可乐丽 ,  可乐丽化学株式会社

Inventor： 今治诚 ,  青木健太 ,  多田靖浩 ,  园部直弘 ,  有马淳一 ,  小役丸健一 ,  岩崎秀治 ,  大塚清人 ,  增子二朗 ,  小松肇 ,  田子慎也

IPC: H01M4/587 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01M4/587 ,  C01B32/05 ,  C01B32/366 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  H01M4/583 ,  H01M10/05 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  H01M2220/20

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种由来源于植物的炭得到的比表面积降低的碳质材料。此外，提供使用前述碳质材料而得的、脱掺杂容量(放电容量)、非脱掺杂容量(不可逆容量)和效率优异的非水电解质二次电池。所述课题可通过一种非水电解质二次电池用碳质材料来解决，所述材料的特征在于：将经气相脱灰的来源于植物的炭和碳前体(难石墨化性碳质前体、易石墨化性碳质前体或其混合物)或挥发性有机化合物在非氧化性气体气氛中焙烧，通过经气相脱灰的来源于植物的炭与碳原子数为1~20的烃化合物的热处理而得到，且BET比表面积为10m2/g以下或15m2/g以下。

公开(公告)号：CN101939260B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200980104249.4

申请日：2009-02-05

Applicant: 国立大学法人熊本大学 ,  株式会社可乐丽

Inventor： 真下茂 ,  欧姆扎克·乌鲁·埃米尔 ,  冈本真人 ,  岩崎秀治

IPC: C01G9/08 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C25B1/00

CPC classification number: C01G9/08 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/88 ,  C09K11/565 ,  C09K11/574 ,  C09K11/584 ,  C25B1/00 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供以工业规模稳定地制造高纯度的II-VI族化合物半导体的方法，以及易于掺杂金属等的六方晶结构的II-VI族化合物半导体。还提供II-VI族化合物半导体荧光体的制造方法。通过在硫中使金属电极间进行脉冲等离子体放电而生成II-VI族化合物半导体，从而制造II-VI族化合物半导体的方法；利用了脉冲等离子体放电的II-VI族化合物半导体荧光体的制造方法；具有多个双晶的六方晶II-VI族化合物半导体，可以解决上述课题。

公开(公告)号：CN101679861B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880010327.X

申请日：2008-02-29

Applicant: 国立大学法人广岛大学 ,  株式会社可乐丽

Inventor： 奥山喜久夫 ,  矢吹彰广 ,  费瑞·依斯坎达 ,  荻崇 ,  高井淳 ,  岩崎秀治

IPC: C09K11/65 ,  C09K11/08 ,  H01J61/44 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/0883 ,  C09K11/65 ,  H01J61/44 ,  H01L33/502 ,  H05B33/145

Abstract: 本发明提供了一种M-C-N-O系荧光体，其不使用重金属、稀有金属，另外不使用特殊的活化剂，就显示高的发光强度，且可以调整发光光谱的峰顶和改变色彩。本发明还提供了使用该荧光体的环境适应性高的聚合物分散液、无机EL元件、发光元件、荧光管等。本发明的M-C-N-O系荧光体由IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)元素构成。该M-C-N-O系荧光体中，通过改变碳(C)元素的含量而可以改变色彩。而且，使用该M-C-N-O系荧光体可以制造聚合物分散液、无机EL元件、发光元件、荧光管。

公开(公告)号：CN102348836A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011652.5

申请日：2010-03-11

Applicant: 国立大学法人熊本大学 ,  株式会社可乐丽

Inventor： 真下茂 ,  欧姆扎克·乌鲁·埃米尔 ,  龟山直人 ,  冈本真人 ,  安田佳明 ,  岩崎秀治

IPC: C25D11/26 ,  C01G23/04 ,  C25B1/00

CPC classification number: C01G23/043 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2006/40 ,  C25B1/00

Abstract: 本发明的课题是提供能够以工业规模稳定地制造低价氧化钛的方法。在水系介质中，通过包括至少一个含氧化钛电极的两个电极间的放电来制造低价氧化钛。