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公开(公告)号：CN109104806A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811109526.8
申请日：2018-09-21
申请人： 中国人民解放军军事科学院国防工程研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H05H1/16
摘要： 一种磁场控制等离子体的装置及方法，属于等离子体控制技术领域。本发明为了解决现有磁场调控等离子体时的磁场方向受到限制，磁场对等离子体的调控多集中于径向和轴向，难以改变磁场的位置及方向等问题。本发明的装置包括等离子体发生器、电磁铁、电源和真空装置，等离子体发生器与真空装置连通；电磁铁置于等离子体发生器的内部，电源置于等离子体发生器的外部，电磁铁与电源通过导线连接，并采用微波测量方法对等离子体的电子密度进行研究。本发明将磁铁放入等离子发生器内，使磁场直接作用于等离子体，并且可通过改变电磁铁的位置以及电磁铁的形状，直接改变磁场与等离子体间的相互作用方向，为磁场控制等离子体的研究提供新的思路。
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公开(公告)号：CN107006111A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580055517.3
申请日：2015-10-12
申请人： TRI 阿尔法能源公司
IPC分类号： H05H1/16
摘要： 系统和方法利用连续的轴向对称加速和绝热压缩阶段来加热两个紧凑环和朝向彼此加速两个紧凑环并最后在中心腔室内碰撞并压缩紧凑环。可替代地，系统和方法利用连续的轴向非对称的加速和绝热压缩阶段来加热和加速第一紧凑环朝向并定位于中心腔室内并且加热和加速第二紧凑环朝向中心腔室，并最后在中心腔室内碰撞和合并第一和第二紧凑环并压缩紧凑合并环。
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公开(公告)号：CN102791073A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110127861.2
申请日：2011-05-17
申请人： 上海凯世通半导体有限公司
发明人： 钱锋
IPC分类号： H05H1/16
摘要： 本发明公开了一种束流传输系统及其传输方法，其包括一束流出射装置、一目标工件以及相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状四极磁铁与一第二杆状四极磁铁，所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁分别具有一铁芯，在束流沿所述铁芯的中心的连线方向在所述铁芯上的投影区域外，沿所述铁芯的延伸方向还分别设置有一个或多个相互独立的线圈，其中分别设置于所述第一杆状四极磁铁与所述第二杆状四极磁铁的铁芯的相同位置上的线圈相互对应，并且所述第一杆状四极磁铁和所述第二杆状四极磁铁的各个线圈的电流值均是可调的。本发明的束流传输系统及其传输方法对束流进行整体的偏转，因而适用于不同的目标工件位置。从而提高了工作和生产的效率。
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公开(公告)号：CN101835334A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010300432.6
申请日：2010-01-19
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种交叉场放电共振耦合的控制方法，属于电工工程技术领域。采用在交叉场放电离子源中由电场和磁场互相正交形成封闭或开放的交叉场空间的电场、磁场结构，磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构；磁控靶和与之平行的偏压基片之间或者开放端之间形成了另一种轴向势阱结构，静电波动在这两种势阱结构中分别形成驻波共振和相互耦合共振，与电源特性相匹配形成耦合共振放电；通过调整放电空间中的电极结构、形式和参数匹配能够形成单一的、两个或两个以上势阱结构，并分别发生静电驻波和发生耦合共振，本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。
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公开(公告)号：CN1303246C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410026305.6
申请日：2004-07-06
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明涉及一种金属离子源，能够提高高密度金属元素离子的金属离子源。本发明在装置的阴极上增加辅助阴极，辅助阴极突出在阳极区内，并与阳极构成一个放电室，在辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁，磁铁置在环形磁铁内，两磁铁连接在阴极上。辅助阴极采用需要的金属元素材料制成，当需要某种金属元素时，安装上用该材料制备的辅助阴极和磁铁，构成磁控溅射源，该辅助阴极即增大了金属元素的溅射产额，保护了原有阴极不被损坏，延长离子源的使用寿命，使用非常方便。当需要采用气体离子时，将辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁去掉即可。利用该源既可获取气体元素离子又可获取不同高密度金属元素离子，可以利用一个离子源满足多种元素离子的注入需要。
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公开(公告)号：CN1594649A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410026305.6
申请日：2004-07-06
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明涉及一种金属离子源，能够提高高密度金属元素离子的金属离子源。本发明在装置的阴极上增加辅助阴极，辅助阴极突出在阳极区内，并与阳极构成一个放电室，在辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁，磁铁置在环形磁铁内，两磁铁连接在阴极上。辅助阴极采用需要的金属元素材料制成，当需要某种金属元素时，安装上用该材料制备的辅助阴极和磁铁，构成磁控溅射源，该辅助阴极即增大了金属元素的溅射产额，保护了原有阴极不被损坏，延长离子源的使用寿命，使用非常方便。当需要采用气体离子时，将辅助阴极下方设置环形磁铁和磁铁去掉即可。利用该源既可获取气体元素离子又可获取不同高密度金属元素离子，可以利用一个离子源满足多种元素离子的注入需要。
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公开(公告)号：CN214713551U
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202120241892.X
申请日：2021-01-28
申请人： 福建省提森特医疗科技有限公司
发明人： 李伦
摘要： 本实用新型公开了一种等离子体压差调节装置，等离子激励电源分别与激发电极一、激发电极二电连接，置于激发电极一、激发电极二之间的柜体内侧内壁上固接一个置物架，柜体顶壁上均匀开有若干进风孔，隔板中部开有一个出风口，出风口的下端固接一个吸风罩，吸风机的进口通过管道与吸风罩底部连接，吸风机的出口连接一根出风管，出风管末端向外伸出柜体，挡板为两块，对称设置在隔板上端面左右两侧，挡板远离柜体中心的一端向外伸出柜体侧壁并与其滑动配合，挡板上端面朝向柜体中心的一端均固接一块固定板，双向丝杆穿过两块固定板的中部并与其螺纹连接，正反转电机的输出轴端部与双向丝杆右端固接。本实用新型具有结构新颖、调节方便的优点。
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公开(公告)号：CN2503687Y
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01247038.4
申请日：2001-09-14
申请人： 陕西百纳科技发展有限责任公司
发明人： 赵玉清
IPC分类号： H05H1/16
摘要： 一种制备超硬薄膜的离子源装置的滤质器,包括滤质管、设置于滤质管外部且与磁场电源相接的螺线管、设置于滤质管出口处的出口光阑,所述滤质管内设置有捕集器,所述螺线管由导线绕制而成,所述的滤质管为波纹管结构;所述的滤质管为弯管。本实用新型结构简单,制作简便,磁场强度、滤质管长度及曲率半径可调,能可靠滤除大颗粒及中性粒子。
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公开(公告)号：CN215871943U
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202121070124.9
申请日：2021-05-19
申请人： 咸阳师范学院
发明人： 周贤明
摘要： 本实用新型公开的属于高电荷态离子产生技术领域，具体为一种高电荷态离子的产生和探测装置，包括控制单元，所述控制单元置于所述实验室前侧壁底部，所述实验室内侧壁左侧设有靶室，所述靶室与所述实验室之间设有两道狭缝，所述离子探测组件对应所述离子产生单元设置，采用二级电磁铁产生磁场，使离子束在磁场中发生偏转，再通过第一法拉第筒及第二法拉第筒进行测量，双重不同方向的测量，增加实验准确性，同时，通过轨道电机带动荧光靶进行纵向平移，可实现激光器发射的激光的入射点移动，增加多操作性，且与加速偏转电极配合，对入射点进行改变，保证了溅射激光每次打在荧光靶不同的位置，进行不同数据的测量。
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公开(公告)号：CN221227815U
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202323110607.9
申请日：2023-11-16
申请人： 上海光链电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种电离源装置、氢原子激射器及集成试验系统，该电离源装置包括：放电室、永磁体、感应线圈以及射频源，其中，所述永磁体设置在所述放电室的外周，所述感应线圈间隔设置在所述放电室的上表面，所述射频源与所述感应线圈连接。氢原子激射器，包括电离源装置。集成试验系统，包括：氢原子激射器、电离源装置、隔离放大器以及频谱分析仪，其中，所述氢原子激射器上安装有所述电离源装置，所述氢原子激射器通过所述隔离放大器还与所述频谱分析仪连接。本申请对原有的射频ICP和CCP电离源进行优化，利用电场和磁场对氢等离子体电离过程的综合作用，提高了有效氢原子的制备效率，进而提高了氢原子激射器的工作性能与稳定性。
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