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公开(公告)号：CN110138223B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910394965.6
申请日：2019-05-13
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种双向DC/DC变换器及其控制方法，该变换器包括：交错并联的前级变换器以及后级变换器，前级变换器为交错定频运行，后级变换器为交错电压电流双闭环运行。该方法包括：在正向/反向运行时，控制后级变换器通过电压外环产出电流指令，然后将检测到的电感电流与所述电流指令相比较，调节所述后级变换器中多个变换器的占空比来使得多个变换器的电流相同；进而使得前级变化器中多个变换器的输出/输入电压不同。本发明的双向DC/DC变换器及其控制方法，不仅能够发挥LLC变换器软开关损耗低和交错并联变换器输出电流纹波小的长处，同时能够避免LLC变换器并联时因为参数不一致带来的电流不均的问题。
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公开(公告)号：CN110707220A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810747373.3
申请日：2018-07-09
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L51/48
摘要： 本发明提供了一种通过黑磷提高钙钛矿电池稳定性的方法；包括如下步骤：将二维材料黑磷分散于DMF中，得到黑磷分散液；将MAI、PbI2混合后溶于DMSO中，并加入DMF以及所述黑磷分散液，混匀后得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液旋涂于钙钛矿基片表面后，进行低温退火，得到所述钙钛矿薄膜。本发明具有如下的有益效果：本发明使用的黑磷已经商业化，廉价、易于获取；本发明操作便捷，通过向传统的钙钛矿前驱体溶液中添加少量的黑磷，一步法即可得到优质钙钛矿薄膜，可以满足规模化工业生产的需求；通过本发明得到的含二维材料黑磷的钙钛矿薄膜组装的电池效率高达20.65％，经过500小时的连续光照实验，效率未出现任何的下降。
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公开(公告)号：CN110138223A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910394965.6
申请日：2019-05-13
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种双向DC/DC变换器及其控制方法，该变换器包括：交错并联的前级变换器以及后级变换器，前级变换器为交错定频运行，后级变换器为交错电压电流双闭环运行。该方法包括：在正向/反向运行时，控制后级变换器通过电压外环产出电流指令，然后将检测到的电感电流与所述电流指令相比较，调节所述后级变换器中多个变换器的占空比来使得多个变换器的电流相同；进而使得前级变化器中多个变换器的输出/输入电压不同。本发明的双向DC/DC变换器及其控制方法，不仅能够发挥LLC变换器软开关损耗低和交错并联变换器输出电流纹波小的长处，同时能够避免LLC变换器并联时因为参数不一致带来的电流不均的问题。
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公开(公告)号：CN109995350A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910213540.0
申请日：2019-03-20
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H03K17/04 , H03K17/081 , H03K17/567
摘要： 本发明公开了一种功率场效应管的驱动级短路保护装置及保护方法，该装置包括：IGBT管、功率MOSFET管、驱动保护装置、Vce检测电路及门极驱动电路；IGBT管并联于功率MOSFET管的漏极与源极两端；Vce检测电路分别与IGBT管的集电极及基极相连；驱动保护装置分别与Vce检测电路及门极驱动电路相连；门极驱动电路分别与功率MOSFET管的门极、IGBT管的门极及功率MOSFET管的源极相连。该方法包括：将IGBT管并联于功率MOSFET管的漏极与源极两端；通过检测IGBT管的集电极与基极两端的电压Vce来实现短路保护。本发明利用IGBT管的分流作用，短路时能够有效保护功率MOSFET管。
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公开(公告)号：CN109888802A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910213536.4
申请日：2019-03-20
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H02J3/26
摘要： 本发明公开了一种可变相的三电平三相不平衡校正装置及其校正方法，该装置包括：混合式三电平拓扑结构；混合式三电平拓扑结构包括：I型三电平桥臂及T型三电平桥臂；I型三电平桥臂及T型三电平桥臂的每个桥臂的输出侧都通过继电器连接到三相，用于通过继电器为三相选择I型三电平桥臂或T型三电平桥臂。该方法包括：根据三相的负载电流水平，分别为三相选择I型三电平桥臂或T型三电平桥臂。本发明的可变相的三电平三相不平衡校正装置及其校正方法，能在线调整三相的组合顺序，更好地适应实时变化的三相负载条件，降低导通损耗。
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公开(公告)号：CN109638857A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811444488.1
申请日：2018-11-29
申请人： 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 上海交通大学 , 河海大学 , 国网江苏省电力有限公司
CPC分类号： H02J3/24 , F24H4/04 , F24H9/2007
摘要： 基于分布式热泵群控制的电热微网联络线功率分层协同平抑策略，将电热微网中分布式热泵群所配套的分布式蓄热水箱群划入电热微网的管理，通过测量微网中可在生能源与负荷功率，获取联络线原始功率PTL0，并分析功率控制目标PTar，针对获取的波动功率Pflu，根据可再生能源出力与用户负荷实时信息，结合蓄电池、蓄热水箱群蓄能状态信息，调节蓄电池与热泵群出力，从而实现电热微网联络线波动功率平抑。本发明以蓄电池和热泵群的协同控制为核心，充分利用了空气源热泵的配套储热资源，在完成联络线功率平滑的同时保证了各热泵对用户供热要求，并且通过热泵的功率调节有效地参与中频波动的平抑，降低了优化方案的实施成本。
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公开(公告)号：CN108666429A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810469678.2
申请日：2018-05-16
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L51/48
摘要： 本发明提供了一种具有高电荷传输性质的钙钛矿薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将功能化石墨烯分散于DMF中，得到功能化石墨烯分散液；将MAI、PbI2、MACl混合后溶于DMSO中，并加入DMF以及所述功能化石墨烯分散液，混匀后得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液旋涂于钙钛矿基片表面后，进行低温退火，得到所述钙钛矿薄膜。本发明具有如下的有益效果：1、本发明使用的功能化石墨烯(氨化石墨烯)已经商业化，廉价、易于获取；2、本发明操作便捷，通过向传统的钙钛矿前驱体溶液中添加少量的氨化石墨烯，一步法即可得到优质钙钛矿薄膜，可以满足规模化工业生产的需求；3、通过本发明得到的含有氨化石墨烯网络的钙钛矿薄膜组装的大面电池效率提升了近30％，且重现性也得到了较大提高。
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公开(公告)号：CN106247320B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201610608059.8
申请日：2016-07-29
申请人： 东方电气集团东方锅炉股份有限公司 , 上海交通大学
IPC分类号： F23C5/28
CPC分类号： Y02E20/344
摘要： 本发明公开了一种对冲锅炉深度脱硝燃烧方法，通过数个旋流燃烧器的一次风喷口内的一次风将燃煤喷入炉膛燃烧，通过前后墙上的燃尽风喷口通入燃尽风，其中旋流燃烧器所在的主燃区的过量空气系数范围为0.5～1.05，燃煤进行低氧燃烧；燃尽风喷口所在的燃尽区的过量空气系数为1.05～1.3，进行富氧燃烧；还通过旋流燃烧器与燃尽风喷口之间炉墙上的还原风喷口喷入还原风，还原风的过量空气系数为0.6～0.85；在最上层燃尽风以下的炉膛内喷入一层以上的氨基还原抑制剂，在炉膛内高温环境下还原烟气中的氮氧化物，以及抑制新的氮氧化物生成。本发明不仅可显著降低炉膛出口的氮氧化物排放值，实现超低排放，且不需要严格的温度窗口和催化剂，大幅降低了脱硝成本，经济效益显著，并防止炉内水冷壁出现高温腐蚀，具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN106287674B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610608058.3
申请日：2016-07-29
申请人： 上海交通大学 , 东方电气集团东方锅炉股份有限公司
CPC分类号： Y02E20/344
摘要： 本发明公开了一种切圆锅炉深度脱硝燃烧方法，将燃煤通过一层以上的一次风喷口内的一次风送入炉膛主燃区燃烧，并在主燃区通过二次风喷口通入一层以上的二次风，在燃尽区通过燃尽风喷口通入一层以上的燃尽风，其中主燃区的过量空气系数范围为0.5～1.05，燃煤进行低氧燃烧；燃尽区的过量空气系数为1.05～1.3，进行富氧燃烧；还通过还原风喷口喷入还原风，还原风的过量空气系数为0.6～0.85；最上层燃尽风以下的炉膛内通过一层以上的还原抑制剂喷口喷入氨基还原抑制剂，同层的还原抑制剂喷口位于同一水平面，在炉膛内高温环境下还原烟气中的氮氧化物，以及抑制新的氮氧化物生成。本发明不仅可显著降低炉膛出口的氮氧化物排放值，实现超低排放，且不需要严格的温度窗口和催化剂，大幅降低了脱硝成本，燃烧效率也可保证，经济效益显著，并具有广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN105186904B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510390558.X
申请日：2015-07-03
申请人： 国网辽宁省电力有限公司 , 上海交通大学 , 南京南瑞继保电气有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明提供了一种CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路，包括CoolMosfet Snpc1、CoolMosfet Snpc2、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S1、IGBT S4以及二极管D1和二极管D2；同时提供了采用上述拓扑电路的逆变器。本发明的拓扑回路零电平导通经过两条并联支路，且CoolMosfet沟道电阻极低，逆变电路导通损耗将大大降低，有效降低二极管钳位三电平零电平导通损耗；由于防直通电感的存在，PWM信号不需要加入死区；没有钳位二极管的反向恢复损耗，进一步降低了电路导通损耗。
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