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公开(公告)号：CN103128662A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310032791.1
申请日：2013-01-29
申请人： 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明提供一种高耐磨的金刚石砂轮修整笔及其制备方法。特点是利用多弧离子镀膜技术在聚晶金刚石表面覆镀薄膜，将得到的含膜PCD作为修整笔的笔头。其具体步骤包括：清洗聚晶金刚石表面，将PCD放入镀膜机中离子清洗后按照预先设定的镀膜制度覆镀TiN、TiCN、CrN、TiAlN或ZrN具有致密膜层、高膜基结合力的耐热耐磨单一或复合薄膜，对得到的含膜PCD进行适当的处理后钎焊至修整笔笔杆上得到高耐磨的金刚石砂轮修整笔。本发明所制备的砂轮修整笔膜层致密，附着力强，具有较高的耐热性、耐磨性、表面强化等性能。其工艺简单、稳定，镀膜过程采用电气和机械自动化控制，操作简便，有助于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102965619A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210519901.2
申请日：2012-12-07
申请人： 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明公开了一种多元金属掺杂的无氢类金刚石碳膜的制备技术。利用离子束辅助沉积技术，采用多元镶嵌金属靶(溅射区3内镶嵌块2镶嵌于基础靶材1上构成)与石墨靶进行双靶溅射，在工件表面沉积制备多元金属掺杂类金刚石薄膜。其具体步骤包括：准备镶嵌靶、将工件表面离子清洁和活化、沉积制备多元金属掺杂无氢类金刚石薄膜。与现有技术相比，本发明方法所制备的薄膜具有较高的硬度、膜基结合力、弹性模量、抗磨性能和热稳定性能，同时可对掺杂组分进行调整，能够满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求，提高其可靠性。适用于硅和各类金属工件的表面处理。
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公开(公告)号：CN101892411B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010247918.8
申请日：2010-08-09
申请人： 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明涉及一种新型高性能WC基硬质合金材料及其制备方法，属于高技术结构陶瓷及其应用领域。所发明的高性能硬质合金材料以质量分数为20～80％的亚微米/纳米WC粉为基质，以2～20％的高温化学稳定性优异的金属Mo、Ni和稀土为粘结剂，并添加0.1～5.0％的晶粒抑制剂、10～80％的高硬材料金刚石或者立方氮化硼微粉为增硬剂和0.5～15％的SiC纳米结构等为增韧剂，并用快速烧结技术——放电等离子体烧结或者中频感应加热烧结制备而成。烧结体晶粒细小，硬度、强度、韧性高，综合耐磨性能好，特别适合制备重载条件下使用的地质钻探机具，也可制作高性能机加工切削刀具、模具等。
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公开(公告)号：CN102809514A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210232088.0
申请日：2012-07-06
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： G01N3/28
摘要： 本发明公开了一种类金刚石薄膜韧性的表征方法，所述方法为结合利用划痕试验和冲击试验系统表征薄膜韧性。利用多离子束辅助沉积技术在金属基材表面制备出一种含金属的DLC薄膜，在DLC薄膜中掺杂非碳化物形成金属例如Ag（银）改善薄膜韧性，实验结果表明，本发明结合利用划痕试验（划痕韧性）和冲击试验（冲击韧性）能够表征薄膜韧性，可以实现发明目的。
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公开(公告)号：CN101604566B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910089457.3
申请日：2009-07-21
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： H01C7/112 , H01C17/00 , H01C17/30 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种适合低浪涌电压电器使用的氧化锌压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料的组分及含量包括ZnO 70～95mol％、Pr6O11 0.1～20mol％、氧化钴(Co3O4或CoO)0.01～15mol％、Cr2O3 0.01～15mol％、TiO2 0.01～25mol％。所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、预烧、研磨过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤。用上述材料和制备方法所制得的氧化锌压敏电阻片，其电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)为100～380V/mm，非线性系数α[根据公式α＝1/log(E10mA/E1mA)计算]为40～90，漏电流IL(75％E所对应的电流密度值)为2.7～6.0μA/cm2，综合性能优良。可用于手机、家用电器等低浪涌电压电器使用。本发明也可用于制作高压避雷器。
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公开(公告)号：CN101550600B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910082049.5
申请日：2009-04-22
申请人： 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明涉及一种氮化硅低维纳米材料阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度、高密度单晶α-氮化硅纳米线阵列。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列。所述制备方法包括高含氮量聚硅氮烷的低温交联固化，交联固化后的前驱体在高耐磨器具中的高能球磨粉碎，以及经交联固化和粉碎后的前驱体在保护气氛下的高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积等步骤。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得纳米阵列产量大、密度高、纯度高、组成和形貌可控，有望用于制备高质量氮化硅纳米光电子器件。本发明也可用于其他材料纳米阵列的制备和纳米光电子器件开发。
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公开(公告)号：CN101892411A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010247918.8
申请日：2010-08-09
申请人： 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明涉及一种新型高性能WC基硬质合金材料及其制备方法，属于高技术结构陶瓷及其应用领域。所发明的高性能硬质合金材料以质量分数为20～80％的亚微米/纳米WC粉为基质，以2～20％的高温化学稳定性优异的金属Mo、Ni和稀土为粘结剂，并添加0.1～5.0％的晶粒抑制剂、10～80％的高硬材料金刚石或者立方氮化硼微粉为增硬剂和0.5～15％的SiC纳米结构等为增韧剂，并用快速烧结技术——放电等离子体烧结或者中频感应加热烧结制备而成。烧结体晶粒细小，硬度、强度、韧性高，综合耐磨性能好，特别适合制备重载条件下使用的地质钻探机具，也可制作高性能机加工切削刀具、模具等。
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公开(公告)号：CN101748381A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910217545.7
申请日：2009-12-31
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/455
摘要： 一种高性能掺杂类金刚石膜的制备方法，其特征是该方法首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层；然后利用离子束辅助沉积技术制备梯度过渡层；最后利用离子束沉积+磁控溅射合成多元掺杂DLC膜，在此步骤除了向离子源中通入甲烷、乙炔、苯、乙醇、丙酮等任何一种含碳气体外，还同时通入包括硅烷、硼烷、磷烷、四氟化碳等含非碳元素气体源的任何一种气体，并开启金属溅射源掺杂金属元素。本发明可合成同时掺杂金属元素和非金属元素的多元掺杂DLC膜，充分发挥掺杂金属元素和非金属元素的优势互补，显著改善DLC膜的综合性能。
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公开(公告)号：CN101604566A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910089457.3
申请日：2009-07-21
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： H01C7/112 , H01C17/00 , H01C17/30 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种适合低浪涌电压电器使用的氧化锌压敏电阻材料及制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料的组分及含量包括ZnO 70～95mol％、Pr6O110.1～20mol％、氧化钴(Co3O4或CoO)0.01～15mol％、Cr2O30.01～15mol％、TiO20.01～25mol％。所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、预烧、研磨过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤。用上述材料和制备方法所制得的氧化锌压敏电阻片，其电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)为100～380V/mm，非线性系数α[根据公式α＝1/log(E10mA/E1mA)计算]为40～90，漏电流IL(75％E所对应的电流密度值)为2.7～6.0μA/cm2，综合性能优良。可用于手机、家用电器等低浪涌电压电器使用。本发明也可用于制作高压避雷器。
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公开(公告)号：CN101603207A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910089460.5
申请日：2009-07-21
申请人： 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明涉及一种网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度的网络状分枝α－氮化硅纳米结构。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。含有步骤：(1)高含硅氮含量聚硅氮烷在160－300℃下的低温交联固化；(2)交联固化后的非晶固体在高耐磨器具中高能球磨粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在保护气氛下的快速高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得网络状分枝结构产量大、纯度高，可用作高性能纳米复合材料中的增强增韧剂，同时还可于制作纳电子器件。
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