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公开(公告)号:CN109742112B
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN201910014715.5
申请日:2019-01-08
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 陈磊
IPC分类号: H01L27/32
摘要: 本发明是关于一种OLED显示面板及电子设备,涉及OLED显示技术领域。主要采用的技术方案为:OLED显示面板,其包括:设置在所述阵列基板上的OLED发光单元,所述OLED发光单元包括像素定义层和三种基色的像素;吸光层,所述吸光层设置在所述像素定义层上,用于吸收红光和绿光。本发明实施例提供的OLED显示面板解决了大视角观看时白光发红或者发青的技术问题,提高了显示面板的显示效果。
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公开(公告)号:CN113097400A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202110367717.X
申请日:2021-04-06
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供一种有机发光二极管结构和显示装置。有机发光二极管结构中的发光层、空穴阻挡层和电子阻挡层满足以下条件:T1(HBL)>T1(Host);T1(EBL)>T1(Host);T1(Dopant)>T1(Host);S1(Host)>S1(Dopant);其中,T1(HBL)为空穴阻挡层材料的最低三重态能量,T1(Host)为主体材料的最低三重态能量,T1(EBL)为电子阻挡层材料的最低三重态能量,T1(Dopant)为客体材料的最低三重态能量,S1(Host)为主体材料的最低单重态能量,S1(Dopant)为客体材料的最低单重态能量。本公开实施例的技术方案有助于提高显示器件的发光效率和寿命。
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公开(公告)号:CN111628096A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN202010524270.8
申请日:2020-06-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本发明提供一种有机发光二极管、及其制备方法和有机发光二极管显示装置。所述有机发光二极管包括,阳极;空穴注入层;空穴传输层;电子阻挡层;有机发光层;空穴阻挡层;电子传输层;以及阴极,其中,在所述电子阻挡层和所述有机发光层之间设置有第一复合层,以及所述第一复合层包括所述电子阻挡层的材料和所述有机发光层的主体材料。
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公开(公告)号:CN105206248B
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201510758470.9
申请日:2015-11-09
申请人: 重庆京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G09G3/36
CPC分类号: G09G3/3674 , G09G3/36 , G09G3/3611 , G09G3/3614 , G09G3/3696 , G09G2310/06 , G09G2310/067 , G09G2310/08 , G09G2320/0209 , G09G2320/0219 , G09G2320/0233
摘要: 本发明提供了一种显示驱动电路、显示装置和显示驱动方法,其中的显示驱动电路包括:时序控制单元、调制单元和削角单元,其中:时序控制单元连接调制单元,用于基于预设时钟信号生成行选信号、包括削角宽度信号和削角深度信号的第一控制信号,以及包括宽度调制信号和/或深度调制信号的第二控制信号;调制单元连接削角单元,用于根据第二控制信号调制行选信号为有效电平的时段内的第一控制信号;削角单元用于在输出栅极电压信号之前,根据被调制单元调制后的第一控制信号对栅极电压信号进行削角处理。基于此,本发明可以解决现有技术中不同行栅扫描线所连接的像素之间出现充电效果有显著差异的问题,有利于显示效果的提升。
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公开(公告)号:CN109904342A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201910121362.9
申请日:2019-02-19
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开是关于一种阵列基板及其制作方法、显示装置,所述阵列基板包括:背板、发光层、像素定义层和校正层;背板包括平面部和弯曲部;发光层设于所述背板的第一面;像素定义层设于所述背板的第一面,并且将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;校正层设于第一像素定义区远离所述背板的一侧,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层。解决了从显示面板正面看时,用于长波光的衰减缓慢导致的柔性显示面板弯曲部颜色异常的问题,提升了柔性显示面板的显示品质。
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公开(公告)号:CN107623079A
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:CN201711044294.8
申请日:2017-10-31
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要: 本发明提供一种OLED器件及其制备方法、OLED显示基板和装置,属于OLED显示技术领域,其可至少部分解决现有的OLED显示技术若要提高对比度则亮度和出光率降低的问题。本发明的OLED器件包括基底,以及在所述基底上依次设置的第一电极、发光层、第二电极;且所述发光层包括主体材料,所述主体材料包括按第一取向排列的聚对苯撑类聚合物的纤维;其中,沿第一取向排列的聚对苯撑类聚合物的纤维发出的光为在第一方向上偏振的线偏光。
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公开(公告)号:CN104868061A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510303036.1
申请日:2015-06-04
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号: H01L25/048 , H01L27/3209 , H01L27/3237 , H01L51/0096 , H01L51/52 , H01L51/5275 , H01L51/5281 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , H01L51/5293 , H01L27/3241 , H01L51/5296
摘要: 本发明涉及显示技术领域,公开了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置,其中,有机电致发光器件包括:具有相位延迟特性的衬底基板,所述衬底基板的一侧设有线栅偏振结构;位于线栅偏振结构背离衬底基板一侧的蓝光有机电致发光单元,所述蓝光有机电致发光单元背离所述衬底基板的一侧为所述有机电致发光器件的出光侧;位于衬底基板背离蓝光有机电致发光单元一侧的绿光有机电致发光单元和红光有机电致发光单元,所述绿光有机电致发光单元和所述红光有机电致发光单元沿所述衬底基板的延展方向排列。上述有机电致发光器件可以调节发光颜色且发出的光的色纯度比较高,另外,该有机电致发光器件的对比度也较高。
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公开(公告)号:CN118459404A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410525857.9
申请日:2024-04-28
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: C07D221/10 , C07D307/77 , C07D491/048 , C07D405/10 , C07D471/04 , C07D307/91 , C07D239/70 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/11
摘要: 本申请提供一种有机发光材料、有机电致发光器件和显示装置,所述有机发光材料,包括主体材料,主体材料包括蒽核骨架及与蒽核骨架连接的含有N杂菲或菲稠合杂环取代基,N杂菲或菲稠合杂环取代基具有较好的平面性和刚性结构,同时杂原子具有吸电子或给电子属性,如此可以提高主体材料的载流子迁移率和激子复合率,从而提高发光器件效率,降低发光器件的驱动电压,同时,N杂菲或菲稠合杂环取代基具有较好的刚性,如此使得主体材料的分裂能级减少,非辐射跃迁减少,从而可进一提高发光器件的效率,并且,刚性较好的主体材料具有较好的热稳定性,可以提高发光器件的发光寿命和操作稳定性。
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公开(公告)号:CN118450737A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410539524.1
申请日:2024-04-30
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H10K50/18 , H10K50/125 , H10K59/32 , H10K59/10
摘要: 本公开提供了一种发光器件和显示基板。本公开提供的发光器件包括:相对的第一电极层和第二电极层,以及位于第一电极层与第二电极层之间的至少一个发光结构层。发光结构层包括发光层和位于发光层靠近第二电极层一侧的电子阻挡层。其中,发光层包括发射第一颜色光的第一发光部和发射第二颜色光的至少一个第二发光部。第二电极层包括与第一发光部相对的第一电极和与第二发光部相对的第二电极。电子阻挡层包括与第一发光部相对的第一阻挡部和与第二发光部相对的第二阻挡部。所述第一阻挡部的厚度小于所述第二阻挡部的厚度。本公开能够改善发光器件中的色彩串扰问题。
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公开(公告)号:CN116120303B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202310141644.1
申请日:2023-02-08
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: C07D413/10 , C07D413/14 , H10K50/16 , H10K85/60
摘要: 本申请提供了一种化合物、发光器件、显示装置,涉及显示技术领域,该发光器件的发光效率较高、寿命较长。该发光器件包括电子传输层,所述电子传输层的材料包括含有至少一个氮原子的杂芳环基团、第一吸电子基团和至少一个具有刚性的空间立体基团;所述电子传输层的材料的三重态能级T1满足:T1≥2.3eV;所述电子传输层的材料的最高分子占据轨道HOMO的能量值的绝对值满足:6.0eV≤|HOMO|≤7.0eV;所述电子传输层的材料的最低分子未占据轨道LUMO的能量值的绝对值满足:2.6eV≤|LUMO|≤3.6eV。
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