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公开(公告)号：CN104556050B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410829665.3
申请日：2014-12-25
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种电子束过热熔炼去除多晶硅中金属杂质的方法和装置，属于冶金领域。所述装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷铜坩埚采用倾斜式侧壁设计，所述水冷铜坩埚内侧壁与水冷铜坩埚底夹角为105～120°，所述水冷铜坩埚内设有石墨衬套，所述石墨衬套外表面与水冷铜坩埚内表面贴合，紧配合设计，石墨衬套的底部与水冷铜坩埚底部水平，所述石墨衬套内表面侧壁与石墨衬套底夹角为95～100°。在本发明装置中进行过热熔炼去除金属杂质，可减少后续定向凝固以及铸锭的次数，减少提纯工艺，降低生产成本；多晶硅提纯电子束过热熔炼可降低后期定向凝固次数1次以上；多晶硅提纯电子束过热熔炼可降低多晶硅中金属杂质30％以上。
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公开(公告)号：CN104402000B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410691629.5
申请日：2014-11-25
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种电子束熔炼多晶硅粉体的装置及利用该装置进行多晶硅熔炼的方法，属于电子束熔炼领域。一种电子束熔炼多晶硅粉体的装置，包括熔炼室、电子枪及其真空系统、熔炼室真空系统、坩埚和进料系统，其特征在于：所述进料系统包括加料仓和位于其下的入料仓，所述加料仓和入料仓间通过蝶阀隔离；入料仓底部设有通入熔炼室的入料口，入料口下端连接螺旋加料器；入料口的上方设有料位传感器，所述料位传感器与报警器相连；加料仓的顶端一侧设有加料口。粉体多晶硅的加入，使除磷效率提高30％以上，熔炼时间缩短20％以上，从而降低能耗。
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公开(公告)号：CN104131343B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410339759.2
申请日：2014-07-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 局部加热凝固多晶硅除杂装置，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，所述的炉体上方竖直安装有滑道，与滑道相配有齿条，齿条连接有支架，炉体上方设有电机，电机的输出轴安装有齿轮，齿轮与所述的齿条相啮合，支架上通过固定环连接有竖直设置的运动轴，运动轴的下端连接有与系统控制装置相接的加热碳筒。除杂方法如下：向炉体内的坩锅中加入多晶硅料，关闭并抽真空；开始运行程序；温度达到1420?1480℃后保温；长晶阶段；利用加热碳筒局部加热并随液面上升，直至硅料完全长晶；出炉。提高了出成率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN104131337B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410339742.7
申请日：2014-07-17
申请人： 大连理工大学
摘要： 多晶硅提纯或铸锭环节中应用的具有排杂功能的坩埚，包括柱状的埚体，在埚体的侧壁上设有溢流孔，在埚体的外侧位于溢流孔的下部设有收集槽；溢流孔的底边距埚体内侧底面的高度H＝H液＋（H固－H液）20%，其中H液为多晶硅液态时在埚体内的液面高度，H固为多晶硅在埚体内结晶后的高度。步骤如下：向埚体内装入多晶硅料，装炉进行真空预抽；进入第一阶段加热并完全熔化；长晶；退火，消除晶体内应力；冷却，随炉冷却至400℃，出炉；出炉冷却至室温；取出硅锭并收集溢出硅料。运行过程中将顶层的杂质富集区，在液态状态下去除，减小硅锭成型后杂质富集区的反渗透，提高硅锭整体利用率。
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公开(公告)号：CN104418326B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310380179.3
申请日：2013-08-28
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： Y02P20/124
摘要： 本发明公开一种去除多晶硅中杂质硼的方法，其特征在于：所述的方法包括按照以下步骤进行：首先将需要去除杂质的多晶硅片进行电化学腐蚀处理，形成多孔硅片，然后将多孔硅片进行稳定化处理，经稳定化处理后的多孔硅片置于电子束熔炼炉的样品台上，设置真空腔室的真空度为2?5×10?2Pa，电子枪室的真空度为1?4×10?3Pa，在30KV的压力条件下以30mA的电子束流轰击多孔硅3min，电子束注入结束后，用NaOH溶液清洗多孔硅片，然后用去离子水清洗，直至去离子水呈中性，最终获得硼含量小于0.0001%的高纯多晶硅片。这是一种工艺稳定，周期短、效率高，节约能源，且可有效控制成本的去除多晶硅中杂质硼的方法。
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公开(公告)号：CN104528731B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410825517.4
申请日：2014-12-25
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明公开一种降低电子束连续拉锭熔炼过程中硅锭内应力的装置及方法，装置包括水冷铜坩埚，所述水冷铜坩埚为中空结构，所述水冷铜坩埚中空结构中设有水冷铜拉锭底座，所述水冷铜拉锭底座与水冷铜坩埚内壁紧配合，所述水冷铜拉锭底座下端与拉锭连接丝杠相连，所述水冷铜拉锭底座上表面设有拉锭杆，所述水冷铜坩埚的下方设有石墨保温层，所述石墨保温层内表面镀有碳化硅涂层。本发明装置在电子束连续熔炼的拉锭中，侧壁增加表面镀有碳化硅的石墨层，使拉锭过程中硅晶体生长速率变得缓慢，降低最终硅锭的内应力；最终硅锭的内应力明显降低40％以上；在拉锭过程中采用低束流维持熔炼缓慢拉锭，降低熔炼能耗的同时，减少最终硅锭的内应力；降低能耗15％以上。
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公开(公告)号：CN103710669B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310724765.5
申请日：2013-12-23
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明涉及一种740合金表面抗氧化涂层的制备方法，属于合金表面镀膜领域。一种740合金表面抗氧化涂层的制备方法，所述方法为电子束物理气相沉积法，其包括预热和沉积的步骤，所述预热步骤为：于电子束物理气相沉积装置真空室真空度小于5×10-2Pa，电子枪体真空度小于5×10-3Pa下，电子束轰击740合金基板，束流大小为30～60mA，轰击时间3～5min。用电子束物理气相沉积的方法在Inconel740合金表面制备NiAl涂层后，氧化物在NiAl相晶界处富集，合金的循环抗氧化性能得到提高。
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公开(公告)号：CN103045983B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201210575447.2
申请日：2012-12-27
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明属于隔热材料制备技术领域，特别涉及一种喷涂制备高温隔热材料的方法。该制备方法首先将碳纤维基隔热材料通过吹砂和清洗得到粗糙表面；然后对钨粉原料进行球磨处理；再通过等离子喷涂将球磨后的钨粉喷涂于获得粗糙表面的碳纤维基隔热材料表面，在其表面获得钨涂层；最后将含钨涂层的碳纤维基隔热材料进行热处理，即得到含钨涂层的碳纤维基高温隔热材料。本发明的显著效果是利用表面粗糙化处理获得粗糙的表面，利于钨粉的喷涂，采用等离子喷涂，速度快、效率高、喷涂效果好，获得的材料其表面的钨涂层具有较强的高温反射热辐射的能力，并且钨的质地较硬，能有效解决碳纤维基隔热材料表面易侵蚀的问题。
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公开(公告)号：CN103981373B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410236319.4
申请日：2014-05-29
申请人： 大连理工大学
CPC分类号： Y02P10/253
摘要： 本发明涉及一种镍基高温合金的制备方法，属于合金制备领域。一种镍基高温合金的制备方法，为电子束熔炼法，将起到合金化作用的金属原料置于电子束熔炼炉的加料装置中；将其他金属原料置于电子束熔炼炉的水冷铜坩埚中。合金原料置于水冷铜坩埚中，利用电子束熔炼技术进行熔炼。与常规真空感应熔炼不同，金属熔体由于直接与水冷铜接触，在电子束熔炼过程中不会引入其它杂质。
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