一种电场耦合定向凝固技术回收金刚线切割硅粉制备高纯硅的方法

    公开(公告)号:CN114875484A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210400006.2

    申请日:2022-04-15

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种电场耦合定向凝固技术回收金刚线切割硅粉制备高纯硅的方法,将金刚线切割硅粉废料研磨,以HF:H2O:C2H5OH=1:3:1配置溶液进行酸洗,离心干燥后压块;真空感应熔炼硅粉块体,保温结束后在凝固过程中引入电场,控制固液截面处的温度梯度,使固液界面处的一些凸出部分发生重熔,保持了固液界面的稳定性,抑制树枝晶的生长,回收过程中的出成率显著提高。电场的引入可以促进硅液发生对流,能够保证硅液内的杂质和温度均匀性,使凝固过程中的杂质分凝效果更明显,进一步提高硅锭的纯度,将回收硅的纯度提升到5N。该技术既能防止硅粉废料的环境污染,也可使硅资源重新利用,进而节约晶硅太阳能电池行业的工业成本。

    熔体过热与泡沫陶瓷过滤相结合去除高温合金中低密度夹杂物的方法

    公开(公告)号:CN112813281B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202011582066.8

    申请日:2020-12-28

    IPC分类号: C22B9/22 C22B9/02 C22C1/02

    摘要: 本发明提供一种熔体过热与泡沫陶瓷过滤相结合去除高温合金中低密度夹杂物的方法,包括如下步骤:S1、高温合金原材料的预处理;S2、电子束熔体过热与泡沫陶瓷过滤去除高温合金中低密度夹杂物,得到高纯的FGH4096高温合金铸锭。本发明通过对高温合金熔体进行过热处理实现熔体内部小尺寸夹杂物的溶解去除,通过泡沫陶瓷过滤的方法实现合金中大尺寸夹杂物的过滤,从而通过浇铸得到高纯度的高温合金棒材;通过该方法不仅能实现合金中低密度夹杂物的全面去除,而且避免了每次精炼完毕需要切除铸锭顶部夹杂物富集区,为高温合金的连续精炼创造了条件。

    一种电子束循环超温处理提高镍基高温合金成分均匀性的方法

    公开(公告)号:CN112048624B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202010962976.2

    申请日:2020-09-14

    IPC分类号: C22B9/22 C22C1/06 C22C19/05

    摘要: 本发明提供一种电子束循环超温处理提高镍基高温合金成分均匀性的方法。本发明方法,包括如下步骤:S1、原材料的预处理;S2、电子束精炼;S3、合金熔体的电子束循环超温处理,得到精炼后的718合金。本发明采用电子束循环超温技术对熔体进行处理,打破熔体结构的遗传性,充分利用电子束熔炼温度高、易于控制等优点提高熔体成分的均匀性,最终实现合金的高均质制备,从而达到制备高均质镍基高温合金的目的。

    一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110335995B

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910420776.1

    申请日:2019-05-20

    摘要: 本发明公开了一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法,将铝源、锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量;将称量得到的锰源、镍源和Al2O3混合并进行球磨;将球磨得到的混合物干燥成粉末;称量草酸粉末并与干燥成粉末的混合物混合;在得到的混合物中加入PEG,搅拌,得到黑灰色胶状混合物,对该黑灰色胶状混合物预加热,得到黑色的前驱体粉末;将得到的黑色的前驱体粉末与称量得到的锂源球磨混合;将得到的混合物先在800℃下保温5~24h,再降温到600℃下保温5~24h并退火到室温下,得到亚微米级的掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合,得到掺杂Al3+的正八面体形貌的镍锰酸锂材料,性价比较高。

    一种亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110217833B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201910420778.0

    申请日:2019-05-20

    IPC分类号: H01M4/505 H01M4/525 C01G53/00

    摘要: 本发明公开了一种亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料的制备方法,将锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量;将称量得到的锰源和镍源混合并进行球磨;将球磨得到的锰源和镍源的混合物干燥成粉末;称量一定量的草酸,将上述草酸、称量得到的锂源和干燥成粉末的锰源和镍源的混合物通过球磨混合;在上述得到的混合物中加入一定量的PEG,搅拌,得到黑灰色胶状混合物,对该黑灰色胶状混合物进行预加热;将预加热得到的混合物先在300℃下保温1~5h,后升温到800℃下保温1~5h并退火到室温下,得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合,得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料,使得性价比有较大提升。

    一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110335995A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910420776.1

    申请日:2019-05-20

    摘要: 本发明公开了一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法,将铝源、锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量;将称量得到的锰源、镍源和Al2O3混合并进行球磨;将球磨得到的混合物干燥成粉末;称量草酸粉末并与干燥成粉末的混合物混合;在得到的混合物中加入PEG,搅拌,得到黑灰色胶状混合物,对该黑灰色胶状混合物预加热,得到黑色的前驱体粉末;将得到的黑色的前驱体粉末与称量得到的锂源球磨混合;将得到的混合物先在800℃下保温5~24h,再降温到600℃下保温5~24h并退火到室温下,得到亚微米级的掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合,得到掺杂Al3+的正八面体形貌的镍锰酸锂材料,性价比较高。

    一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置

    公开(公告)号:CN109850905A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910304735.6

    申请日:2019-04-16

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 本发明公开了一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置,本发明在电子束熔炼硅材料的过程中,通过改变电子束的熔炼模式可以使硅熔体表面出现波动,进而提高蒸发表面积,增加熔体界面的蒸发表面积,提高单位时间内的杂质的蒸发量,通过在熔炼坩埚底部放置石墨衬底,改变硅熔体底部的温度分布,从而促进熔炼坩埚底部硅熔体的流动,使得硅熔体内部产生对流,从而加速底部的硅熔体与顶部的硅熔体之间的熔体交换。本发明通过改变电子束的熔炼模式和实验装置从而增加熔体的蒸发表面积,提高杂质在单位时间内的蒸发量,解决硅熔体在对挥发性杂质除杂过程中杂质蒸发量少、熔炼时间长、硅材料损失量大、成本高的问题。

    一种在多晶硅定向凝固提纯中分离高金属杂质区的设备及分离方法

    公开(公告)号:CN104556048A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410822579.X

    申请日:2014-12-25

    IPC分类号: C01B33/037

    摘要: 一种在多晶硅定向凝固提纯中分离高金属杂质区的设备及其分离方法,通过在现有多晶硅定向凝固提纯设备中加入水冷铜棒及其提拉装置,并加入冷却水循环系统,使水冷铜棒伸入金属浓度较高的近上层熔体中,硅熔体遇冷凝结在水冷铜棒上,通过水冷铜棒以一定的速率向上提拉,硅熔体中近上层的部分被不断地分离出,达到分离目的。本发明的设备简单,设计巧妙,利用此设备的分离方法可有效抑制金属杂质的扩散行为,有效提高硅锭利用率5~10%;实现高金属杂质的硅熔体区域与硅锭的分离,提高了实际良率5~15%。

    一种电子束熔炼与单晶提拉耦合的装置及方法

    公开(公告)号:CN104532340A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410826714.8

    申请日:2014-12-24

    IPC分类号: C30B15/30 C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本发明涉及一种电子束熔炼多晶硅粉体与定向凝固结合的装置及利用该装置进行多晶硅熔炼的方法,属于电子束熔炼领域。本发明提供一种可在熔炼的过程中进行补料的电子束熔炼多晶硅粉体的装置,主要在于提供了加料装置,该加料装置结构紧凑,不会影响熔炼设备整体体积,并使整个熔炼过程具有可持续性。该装置同时配有拉锭系统,可以实现在多晶硅电子束熔炼去除杂质磷元素的同时,进行定向凝固提纯技术,可以利用一个设备同时去除磷杂质和金属杂质,减少了多设备的使用,减少了多设备使用时不必要的抽真空时间的浪费,以及多设备使用时中间环节硅料的损失和二次污染。