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公开(公告)号：CN119546176A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411589467.4
申请日：2024-11-08
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及忆阻器技术领域，具体涉及一种复合材料忆阻器及其制备方法，具体在FTO玻璃基底上依次涂覆聚乙烯醇与Ti3C2Tx复合材料薄膜、氧化锆薄膜，再将银顶电极沉积在氧化锆薄膜上形成四层垂直结构。本发明专为神经形态计算系统设计，以模拟生物突触的可塑性。经试验证实，本发明实现了电压幅度调制精度高达0.1V，确保了对突触权重的精确控制，同时表现出高塑性，能够快速学习和适应变化的输入条件，具有超过5×104秒的优异保持特性和超过200次IV扫描循环的可靠性，解决了现有忆阻器在模拟生物突触功能时存在的电压调制精度、可塑性、以及长期稳定性方面性能不足问题。
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公开(公告)号：CN111509038B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010481812.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏两极的电场峰值，同时在器件内部引入了两个新的电场峰值，优化了器件的内部电场强度，改善器件内部的电场分布，从而提高了器件的耐压特性。此外，还通过在双漂移区之间引入轻掺杂的交叠浮空层辅助耗尽，以有效增加双漂移区的掺杂浓度，进一步改善耐压特性。再者，通过上部漂移区的底部引入重掺杂的单元内埋层和在双漂移区之间的轻掺杂区中引入重掺杂的单元内浮空层来进一步改善器件的耐压特性。
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公开(公告)号：CN118676624A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410874269.6
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种超宽带吸收可切换偏振无关吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、二氧化硅电介质层及二氧化矾薄膜结构层。通过优化扫描选出具有最优尺寸的二氧化矾薄膜结构参数，通过调节二氧化矾的电导率#imgabs0#可以实现在宽带内#imgabs1#的动态调控。除此之外，该发明还具有结构简单、易于制备等优点。因此，该发明在宽带可调谐偏振无关吸波器件中具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN118192076A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410468534.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种基于粒子群算法的宽带消色差偏振复用超透镜设计方法。所述超透镜包括二氧化硅衬底层和具有各向异性的二氧化钛超表面层。通过扫描横截面为椭圆的结构单元尺寸构建相位响应数据库，得到不同的相位响应。结合已有的数据库，利用粒子群优化算法(PSO)对x、y线偏振通道下不同波长的相位分布进行定制，大大减小了匹配误差。最后通过仿真证明，超透镜焦距能依据入射光线偏振状态进行调节，并且双偏振通下的色散能得到有效控制。该设计具有紧凑、灵活、高效率等优点，在医疗成像、目标检测领域具有广阔的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116940190A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310980247.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473785B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201811568530.0
申请日：2018-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。
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公开(公告)号：CN116661024A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310620408.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 几何相位型超表面受光束偏振态的影响,单元结构仅在特定偏振方向发生变化且产生对应的相位延迟,而偏振片的加入会导致入射光能量大大减小,使光学器件的能量利用率偏低。本设计提出一个双层级联结构，在衬底下方排列周期性的金椭圆柱阵列，使之进入的线偏振光转换为圆偏振光，作用相当于四分之一波片；在衬底上方利用几何相位原理排列不同方向角的TiO2矩形块，使转化后的圆偏振光在通过后会聚一点，达到聚焦效果。将该设计和数值孔径相同，但无偏振转换的圆偏振入射的超透镜做对比，有效验证了该集成超表面的偏振转换与聚焦功能。这样的设计思路不仅可以应用于超透镜聚焦，还可以应用在消色差超透镜上。
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公开(公告)号：CN113913184B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110338689.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料技术领域，该荧光材料采用稀土Eu和Ce共掺杂氧化镓，利用水热法制得具有发光性能且发光性能良好的荧光材料。该方法制备工艺简单，成本低廉，对设备要求不高，反应条件温和、绿色环保，使用表面活性剂可避免纳米粒子团聚，制得的产物具有粒度分布均匀，分散性良好，形貌易于控制等优点。其中稀土作用分别是，铕作为发光中心，是激活剂，铈的作用是增强发光，是助激活剂。本发明制备的荧光材料具有发光特点，有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115895649A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211727159.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115820246A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211459965.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。
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