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公开(公告)号：CN106479093B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610851339.1
申请日：2016-09-26
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种人工铁电超材料及其制备方法。所述人工铁电超材料为两端携带等量异种电荷的微粒分散于高介电溶剂中形成的悬浊液；悬浊液中，两端携带等量异种电荷的微粒的质量‑体积浓度为0～500mg/mL，但不为零；高介电溶剂为蓖麻油、二甲基硅油、变压器油和四氯化碳中任一种；两端携带等量异种电荷的微粒的材质为驻极体材料或电气石。本发明人工铁电超材料，可以直观观察其中的微粒(电偶极子)在交变电场中的转动，因此可以通过研究人工铁电超材料而获得对铁电体的自发极化与极化反转的进一步认识。本发明有望应用于铁电体物理学研究及超常电磁介质器件制备领域。
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公开(公告)号：CN105799261B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610145090.2
申请日：2016-03-14
申请人： 清华大学深圳研究生院
摘要： 本发明公开了一种吸波电磁膜及制造方法，该方法包括：取铁粉体，加入树脂作为粘合剂，加入有机溶剂作为分散剂，在常温下球磨，然后采用流延工艺，将制得的浆料在薄膜基底上流延成20‑100µm厚的电磁膜；然后将该电磁膜单层或多层叠置后在100‑300℃进行真空固化。本方法通过湿法流延工艺和真空固化工艺制造吸波电磁膜，工艺简化，成本低，吸收剂含量高，易于与其它材料复合，适合工业生产。制得成品的吸波频带达2‑18GHz，不仅吸波性能好，本身有一定的承载能力，可以获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN104465847B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410814988.5
申请日：2014-12-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/10
摘要： 本发明涉及一种基于应力分布的电子收集器实现方法，包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率ur和环向电子迁移率uθ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系，计算得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的应力分布；5)计算得到C区域的应力分布；6)根据求解得到应力分布，将各区域分别施加相应应力，即制作得到一电子收集器。本发明可以广泛应用于半导体器件、太阳能等领域。
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公开(公告)号：CN103490122B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310430772.4
申请日：2013-09-18
申请人： 清华大学
摘要： 本发明属于光通讯、光电子技术领域，特别涉及一种基于热敏铁氧体的温控负折射开关及其制备方法。本发明是由热敏铁氧体棒和金属线组成的结构单元周期排列而成，结构周期远小于电磁波的波长，热敏铁氧体棒与金属线之间间隔一定距离；本发明采用标准的印刷电路板掩膜蚀刻技术制备所需的金属线板，将热敏铁氧体棒黏附在板的无金属线的一面，并与金属线一一对应，得到温控负折射开关；基于热敏铁氧体在其居里温度产生铁磁/顺磁转变，本发明实现了电磁波通过左手材料的负折射行为在居里温度以下为“开”和在居里温度以上为“关”的温度调控，有望推进左手材料温控传感器等器件的开发及应用。
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公开(公告)号：CN103645135B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310530145.8
申请日：2013-10-31
申请人： 清华大学
摘要： 一种调控椭偏仪温度场的装置及方法，待测试样品固定于变温台的样品室内，变温台通过绝热转接板固定于可调节样品台上，变温台与可调节样品台完全置于柔性密封装置内；变温台采用传导式导热设计，样品室窗口无介质材料，避免了椭偏光额外的振幅和相位变化。样品室旋盖采用螺纹结构，既可以使不同尺寸的样品以固定样品室，保证良好导热效，又可以与变温台保持相对固定，变温台通过绝热转接板固定于可调节样品台之上，保证了样品在三维空间内的定位精度。温过程中，可通过可调节样品台二次微调样品空间位置，使光路准直、信号强度达到最大，本发明实现了不同尺寸样品、不同气氛中，-190至500℃连续变温环境下，装置结构精巧，操作方便。
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公开(公告)号：CN103575422B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310565581.9
申请日：2013-11-13
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01K11/20
摘要： 本发明公开了属于温度敏感材料技术领域的一种基于三价稀土铁基氧化物作为温度传感材料的温度测量方法。该三价稀土铁基氧化物是以三价稀土氧化物和氧化铁为原料，通过无压烧结技术制备而成的。这种三价稀土铁基氧化物在太赫兹波激发下，可以辐射出窄带的太赫兹波，且其中心频率随温度显著改变，可以作为温度传感材料应用到温度测量中；且测量温度时，无需引入电路，在低温下也有很好的测量效果；该温度传感材料的工作温区较宽，理论上可以从0K到反铁磁-顺磁转变温度（650～750K），工作模式可以是透射式或反射式；另外，由于太赫兹波对除金属和强极性物质以外的大多数材料都有较好的透过性，因此可以用于测量密闭空间的内部温度。
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公开(公告)号：CN104465847A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410814988.5
申请日：2014-12-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/10
摘要： 本发明涉及一种基于应力分布的电子收集器实现方法，包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率ur和环向电子迁移率uθ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系，计算得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的应力分布；5)计算得到C区域的应力分布；6)根据求解得到应力分布，将各区域分别施加相应应力，即制作得到一电子收集器。本发明可以广泛应用于半导体器件、太阳能等领域。
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公开(公告)号：CN103078415B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210592682.0
申请日：2012-12-31
申请人： 清华大学
IPC分类号： H02J17/00
摘要： 本发明公开了磁谐振耦合无线能量传输技术领域中的一种磁谐振耦合无线能量传输系统的临界耦合控制方法，主要解决了在传输距离比较远而又不能依靠增加线圈的大小和匝数来提高耦合系数的弱耦合情况下传输功率和效率低的问题。该方法通过在电源和负载接入阻抗变换器，调节电源和负载的电阻值，以使得无线能量传输系统工作在临界耦合状态。本发明快速准确地得出系统处于临界耦合状态的最佳设计方案，使磁谐振耦合无线能量传输系统始终工作在一种功率大，效率高的状态。
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公开(公告)号：CN103575422A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310565581.9
申请日：2013-11-13
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01K11/20
摘要： 本发明公开了属于温度敏感材料技术领域的一种基于三价稀土铁基氧化物作为温度传感材料的温度测量方法。该三价稀土铁基氧化物是以三价稀土氧化物和氧化铁为原料，通过无压烧结技术制备而成的。这种三价稀土铁基氧化物在太赫兹波激发下，可以辐射出窄带的太赫兹波，且其中心频率随温度显著改变，可以作为温度传感材料应用到温度测量中；且测量温度时，无需引入电路，在低温下也有很好的测量效果；该温度传感材料的工作温区较宽，理论上可以从0K到反铁磁-顺磁转变温度（650～750K），工作模式可以是透射式或反射式；另外，由于太赫兹波对除金属和强极性物质以外的大多数材料都有较好的透过性，因此可以用于测量密闭空间的内部温度。
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公开(公告)号：CN102931348A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210448883.3
申请日：2012-11-10
申请人： 清华大学
摘要： 本发明属于半导体、电子元器件技术领域，特别涉及一种引线忆阻器及其制备方法。本发明两条引线分别与1个电极相连，两电极平行正对分布，并通过位于两电极之间的作为有效忆阻功能介质材料相连；所组成的引线忆阻器在电压或电流的加载下对外显示高低电阻状态转变，并且此种阻态转变具有对时间的记忆效应。通过将有效忆阻功能介质材料与电极制备成三明治结构，在三明治结构两端电极上设置引线，再包覆绝缘保护层并在结构空隙中填充绝缘材料得到完整引线忆阻器。本发明的制造方法简单，成本低，可获得一种能够用于电子电路、数字电子领域的新型无源电子元件，可提高现有数字电路的集成性和功能性，促进电子产品向更轻、更薄、功能更丰富的方向发展。
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