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公开(公告)号：CN110092350A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810080249.6
申请日：2018-01-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其包括将一碳纳米管复合膜覆盖在一形成有二维纳米材料的基底的表面，去除所述基底后形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构及将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面，最后去除所述碳纳米管复合膜，从而实现二维纳米材料的转移。与现有技术相比，本发明提供的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，干净、不会引入其它杂质，转移后的二维纳米材料几乎无破损、完整度高。
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公开(公告)号：CN110092349A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810080247.7
申请日：2018-01-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种悬空二维纳米材料的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二维纳米材料；将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底形成有二维纳米材料的表面；用腐蚀液去除所述第一基底，将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；提供一目标基底，所述目标基底具有至少一个通孔，利用所述目标基底从清洗液中捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述二维纳米材料与所述目标基底贴合并覆盖所述目标基底的至少一个通孔；去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面，并在所述通孔的位置悬空。
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公开(公告)号：CN110065937A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810064117.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/168
Abstract: 本发明涉及一种氧化多壁碳纳米管的方法，包括以下步骤：S1，提供至少一根多壁碳纳米管；S2，将所述至少一根多壁碳纳米管置于二氧化碳气体并放入加热炉中加热；S3，加热所述加热炉至800℃～950℃，该至少一根多壁碳纳米管被二氧化碳氧化。
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公开(公告)号：CN110065936A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810070111.8
申请日：2018-01-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/162 , B65H35/07
Abstract: 本发明提供一种胶带装置，其包括：一壳体，该壳体包括一上盖板及与该上盖板相对的一底板；一前侧板及与该前侧板相对的后侧板；以及两个侧板；所述上盖板可打开，所述前侧板包括一开口；一基板，所述基板位于壳体的内部；一超顺排碳纳米管阵列，该超顺排碳纳米管阵列设置于基板上并位于壳体的内部，所述超顺排碳纳米管阵列用于使一胶带从超顺排碳纳米管阵列中连续拉出；以及至少两个胶带拉取元件，该至少两个胶带拉取元件设置于所述基板上，并与超顺排碳纳米管阵列间隔设置，所述至少两个胶带拉取元件用于固定从所述超顺排碳纳米管阵列中拉取得到的胶带，并通过将该至少两个胶带拉取元件中的至少一个胶带拉取元件将胶带从所述壳体的内部通过壳体前侧板上的开口拉出。
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公开(公告)号：CN110031109A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810027828.4
申请日：2018-01-11
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面，所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，所述黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面；在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810587B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201410849259.3
申请日：2014-12-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0011 , H01L51/0048 , H01L51/0096 , H01L51/0525 , H01L51/0562 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。
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公开(公告)号：CN109959980A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711435382.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明提供一种疏水镜子，其包括一支撑体、一设置于该支撑体上的镜子本体和一疏水膜，所述疏水膜设置于所述镜子本体的表面，所述疏水膜包括一柔性衬底，该柔性衬底包括一柔性基底以及设置于该柔性基底表面上的图案化的第一凸起；以及一疏水层，所述疏水层设置于该柔性衬底具有图案化的第一凸起的表面。
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公开(公告)号：CN109678108A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710973029.1
申请日：2017-10-18
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: B82Y30/00 , H01M2/16 , H01M4/62 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种锂硫电池，其包括一阴极，一阳极、一锂硫电池隔膜及电解液，所述电解液位于阴极和阳极之间，所述锂硫电池隔膜设置在阴极和阳极之间，位于电解液中，其中，所述锂硫电池隔膜包括一基础隔膜以及一功能层，所述功能层包括多个MoP2纳米颗粒和多个石墨烯片，所述多个MoP2纳米颗粒和多个石墨烯片相互混合均匀分布，该多个石墨烯片之间相互搭接或层叠设置，形成一整体的石墨烯层，所述多个MoP2纳米颗粒附着在多个石墨烯片的表面，所述锂硫电池隔膜应用于锂硫电池时，该功能层正对该锂硫电池的阴极设置。
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公开(公告)号：CN109599270A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710920031.2
申请日：2017-09-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明提供一种光电自储能器件的制备方法，包括制备一钙钛矿太阳能电池，制备超级电容器第一电极，将所述超级电容器第一电极与所述钙钛矿太阳能电池层叠、溶解等步骤。利用本发明提供的方法获得的光电自储能器件各项电学性能均明显提高，适用于各种光照波动环境，且该光电自储能器件的结构稳定，寿命更为长久。
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