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公开(公告)号：CN110061727B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910232656.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。
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公开(公告)号：CN107609593B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710833980.7
申请日：2017-09-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于最长轨迹投影的三维空间手写字符降维方法。传统的降维方法在三维手写字符识别的降维方面存在缺陷。本发明依次包括如下步骤：获取运动指尖的三维坐标、生成三维轨迹、三维坐标分别投影到三个标准平面上、依次连接二维坐标点生成二维轨迹，计算每个平面上的二维轨迹的长度，并删除二维轨迹中重合部分的长度，然后比较在不同平面中得到的三条二维轨迹长度并选择出最长的轨迹，定义最长轨迹所在平面为最优投影平面，最优投影平面中二维投影轨迹即为降维后的二维手写字符。本发明能够得到固定方向的2D图像，降低计算和存储的代价，获得较优的视觉效果；在三维手写字符识别中，不需要方向调整，提高三维空间手写字符的识别率。
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公开(公告)号：CN109767405A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910080360.X
申请日：2019-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于噪声水平函数的信号依赖噪声分段线性去噪方法。现有技术中，对信号依赖噪声去噪的图像融合方法需要通过相机进行多次捕获，在实际应用中消耗了大量人力和计算，十分消耗资源和时间，因此实际用途并不能采取。本发明如下：一、求取被处理图像的噪声水平函数曲线并分段；二、划分最终匹配块。三、在最终匹配块中进一步划分搜索框。四、更新搜索框中心位置的像素。本发明能够精确地对信号依赖噪声被处理图像进行噪声估计，并清楚的展现被处理图像的噪声水平函数。此外，本发明解决了传统的对信号依赖图像去噪方法不能参照实际的随灰度水平变换的噪声进行去噪的问题。
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公开(公告)号：CN109300992A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810935425.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法。传统单光子雪崩光电二极管的倍增区比较薄，进而导致探测灵敏度和光子探测效率普遍较低。本发明高探测效率的单光子雪崩二极管，包括同轴设置的p-衬底层、p外延层、n+埋层、n型电荷层、反型深n阱、p型电荷层、p-型半导体层、n阱层、浅沟槽隔离层、p型半导体层、n+型半导体层、p+型光吸收层、二氧化硅抗反射膜、氮化硅抗反射膜、阳极电极和阴极电极。本发明采用p+型光吸收层、p型半导体层以及p型电荷层组合形成P+/P/P型电荷层结构，有利于电流先横向扩展然后再流向雪崩倍增区，增大光谱响应，有效地提高其对光波长的吸收。
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公开(公告)号：CN104966274B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201510322849.5
申请日：2015-06-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种采用图像检测与区域提取的局部模糊复原方法，包括如下步骤：（1）局部模糊区域即前景的标记；（2）抠图手段（image matting）实现模糊区域提取；（3）对模糊区域进行复原并修复。本发明方法针对局部模糊图像的复原，考虑利用模糊检测手段标记出大致的模糊区域，进而使用抠图手段实现模糊区域提取，分割出前景与背景，进而对模糊区域进行复原，并进一步整合得到局部复原图像。在本发明方法中，输入观测的局部模糊退化图像，给出相关的几个参数，即可获取效果好的复原图像。本发明方法可应用于清晰背景、运动前景图像的复原。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107918488A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711021587.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: G06F3/017 , G06K9/00375
Abstract: 本发明公开了一种基于特征选择的各向同性三维手势识别方法。现有三维手势识别算法没有考虑提取的手势相关特征对分类的贡献度，而冗余特征影响识别率。本发明对采集的手势三维坐标数据，提取24个特征输入随机森林模型中，按训练模型得到的各个特征重要性分数从大到小排列，在各个手势的k组排列好的24个特征中取各组前n个特征组合成组合特征，基于十折交叉验证方法和高斯朴素贝叶斯识别模型，得到24组组合特征下高斯朴素贝叶斯识别模型的识别率；根据各组组合特征下高斯朴素贝叶斯识别模型的识别率高低决定选取由前几个特征组合成的组合特征用于最终的识别模型。本发明不仅减少特征相关数据的采集量，简化模型计算，还能提高识别率。
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公开(公告)号：CN106057958B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610648715.7
申请日：2016-08-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了单光子雪崩光电二极管的制作方法。现有单光子雪崩二极管的保护环能够承受的最大偏置电压过低。本发明单光子雪崩光电二极管的制作方法：硅基上均匀掺杂p‑衬底，p‑衬底的中心掺杂深n阱层；深n阱层外端掺杂第一p+型半导体层，第一p+型半导体层外侧掺杂p‑阱层；p‑阱层外周掺杂p‑型半导体层；p‑型半导体层外周掺杂n+型半导体层，n+型半导体层外周掺杂第二p+型半导体层；第一p+型半导体层和第二p+型半导体层外端均设置阳极电极，n+型半导体层外端设置阴极电极。本发明使雪崩光电二极管能够承受的最大反向偏置电压达到30.51V。
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公开(公告)号：CN106411299A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610852464.4
申请日：2016-09-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。
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公开(公告)号：CN104537374A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510030615.3
申请日：2015-01-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06K9/46
Abstract: 本发明公开了一种使用全局与局部强度距离衡量的头脸部区域提取方法，包括如下步骤：（1）全局强度距离衡量法实现全局视觉权重的提取表征；（2）局部强度距离衡量法实现局部视觉权重的提取表征；（3）叠加结合，阈值法提取轮廓实现区域提取。本发明方法针对含有头脸的人物正面照，考虑使用全局与局部的强度距离衡量法实现全局与局部视觉权重矩阵提取，并组合成综合的视觉权重矩阵，进而利用阈值分割实现头脸区域的提取。在本发明方法中，只要一幅人的正面照，即可迅速获取较好的区域提取效果，划分出头脸轮廓。本发明方法作为预处理方法，可应用于人脸检测识别、人脸信息获取等等，快速实现头脸区域与背景区域的划分。
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公开(公告)号：CN102768307B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210255416.9
申请日：2012-07-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于直流偏置下的非线性电感损耗测量方法，主要解决现有技术求解非线性电感磁芯损耗速度慢的问题。其实现步骤是：先量出被测电感的尺寸，得到其物理参数；在有限元软件中建立电感模型，并对其进行网格划分；对电感模型施加电压激励，使得电感模型中的电流值等于设定的偏置电流；当电感模型中的电流到达偏置电流后，对电感模型施加周期信号，使得电感模型中的电流波形与实际电流一致；用Stienmetz方程计算磁芯损耗密度，最终通过求和得到整个电感磁芯的损耗。本发明具有测量速度快、精度高的优点，可用于电路设计。
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